БД 238 | РАЗЛИЧНЫЕ Транзистор PNP -2A/ 80V 25W
Изображение только для иллюстрации, пожалуйста, смотрите технические характеристики в описании продукта.
Transistor PNP -2A/ 80V 25W TO126
| Ord.number: | 13730 |
|---|---|
| In stock | 36 pcs |
| MOQ: | 5 PCS | ||||||
| Допустимые заказа. в трубке) | |||||||
| Категория: | Биполярные транзисторы — Силовые | ||||||
| Информация о продукте: | В наличии | ||||||
| Производитель (Марка): | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 0022 |
Price excl.VAT
| 5 pcs+ | 0,4460 € |
|---|---|
| 50 pcs+ | 0, 3840 € |
| 250 ПК+ | 0,3460 € |
| 950 ПК+ | 0,3230 € |
| Производство. Производство.0199 |
Показать стоимость доставки
Узнать цену
Нужны лучшие цены?
Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.
Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных. Мы гарантируем цены только для количества на складе.
ЗАКАЗ: ШТ. 2,2300 €
В вашем запросе ценового предложения уже 0 шт.
Вы уже заказали: 0 шт.
Ценовое предложение создано для этого продукта .
| Ord.Number: | 13730 |
|---|---|
| в запасе | 36 PCS |
| MOQ: | 5 PCS | ||
| Разрешено количество заказа: | 1 ПК (5, 6, 7 … ПК) | ||
| Категория: | Биполярные транзисторы — Power | ||
| Информация о продукте: | в запасе | ||
| Производитель (бренд): | Различные | (бренд): | 9 |
Price excl.VAT
| 10 pcs+ | 0,4310 € |
|---|---|
| 50 pcs+ | 0,3840 € |
| 250 pcs+ | 0,3460 € |
| 950 pcs+ | 0,3230 € |
| Manufacturers Standard Package |
Показать стоимость доставки
Узнать цену
Нужны лучшие цены?
Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.
Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных.
ЗАКАЗАТЬ: ШТ. 2,2300 €
В вашей корзине уже 0 шт.
В вашем ценовом предложении уже 0 шт.0009
You ordered already: 0 pcs
Price offer was created for this product
Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка
Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
№1 — Эмиттер
№2 — База
№3 — Коллектор
Маркировка КТ502
КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка
КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка
КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка
КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка
КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка
КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка
Предельные параметры КТ502
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 25 В
- КТ502Б — 25 В
- КТ502В — 40 В
- КТ502Г — 40 В
- КТ502Д — 60 В
- КТ502Е — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 40 В
- КТ502Б — 40 В
- КТ502В — 60 В
- КТ502Г — 60 В
- КТ502Д — 80 В
- КТ502Е — 90 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
- КТ502А — 40 — 120
- КТ502Б — 80 — 240
- КТ502В — 40 — 120
- КТ502Г — 80 — 240
- КТ502Д — 40 — 120
- КТ502Е — 40 — 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц
if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }
window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});
window.addEventListener(«load», () => {
var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);
Емкость коллекторного перехода (CК)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт
Опубликовано 16.03.2020
Important Specifications of 2N3906
Let us now see some important specifications of 2N3906 PNP Transistor. The two main specifications for any Bipolar Transistor are its Collector–to–Emitter Voltage and the Collector Current.
For 2N3906, the typical collector–to–emitter voltage (VCEO) is –40V and the collector current (IC) is –200mA. Apart from these two another important specification is the Emitter–Base Voltage (VEBO), which –5V.
We will see other important specifications with the help of the following table.
| Parameter | Symbol | Value |
| Collector – Emitter Voltage | VCEO | -40V |
| Collector – Base Voltage | VCBO | -40V |
| Emitter – Base Voltage | VEBO | -5V |
| Continuous Collector Current | IC | -200mA |
| Total Power Dissipation at 25°C | PD | 625mW |
| Operating and Storage Junction Temperature Range | TJ, TSTG | -55°C to 150°C |
| Thermal Resistance (Junction to Case) | RθJC | 83.3°C/W |
| Thermal Resistance (Junction to Ambient) | RθJA | 200°C/W |
| DC Current Gain (IC = -10 mA, VCE = -1V) | hFE | Minimum 100, Maximum 300 |
| Current Gain – Bandwidth Product | fT | 250MHz |
| Rise Time (VCC = -3V, VBE = -0.5V, IC = -10mA, IB1 = -1mA) | tr | 35ns |
| Fall Time (VCC = -3V, IC = -10mA, IB1 = IB1 = -1mA) | tf | 75ns |
We listed out only few important parameters of 2N3906 Transistor in the table. For more information on all the parameters and specifications, we suggest you to refer to the official datasheet.
Выбор аналогов транзистора 2n3906
Один из самых популярных аналогов транзистора 2n3906 – это BC556B. Этот транзистор также является PNP и имеет сравнимые технические характеристики с 2n3906. BC556B может заменить 2n3906 в большинстве приложений без каких-либо проблем.
Другим аналоговым вариантом является 2sa1015. Этот транзистор также является PNP-транзистором и имеет похожие характеристики на 2n3906. 2sa1015 может использоваться вместо 2n3906 во многих приложениях.
Еще одним аналогом транзистора 2n3906 является MPS2222A. Этот транзистор является NPN и обратен по сравнению с 2n3906, но он также может использоваться в качестве замены. Для его установки потребуется изменить полярность и связи в схеме.
Важно отметить, что выбор аналогового транзистора зависит от конкретного приложения и требований к его работе. В некоторых случаях может потребоваться подбирать аналоги с более высокой мощностью или другими параметрами
Перед заменой транзистора 2n3906 на аналог, рекомендуется внимательно изучить документацию и спецификации для обеспечения правильного подбора аналогового транзистора и его совместимости с конкретным приложением.
Работа транзистора 2n3906
Работа транзистора 2n3906 основана на принципе усиления и контролирования электрического тока. Когда в базу подается небольшой ток, вызывается появление значительного коллекторного тока. Таким образом, транзистор может быть использован в качестве усилителя сигнала или включен в цепи управления.
Для нормальной работы транзистора 2n3906 необходимо правильно подключение электродов. Эмиттер транзистора обычно подключается к отрицательному полюсу питания, коллектор — к положительному, а база — к управляющему сигналу.
При подаче положительного напряжения на базу электроны из базы переносятся в эмиттер. Это вызывает протекание коллекторного тока, который усиливается передачей электронов от эмиттера к базе. Таким образом, управляющий сигнал на базу позволяет управлять коллекторным током и, соответственно, выходным сигналом.
Транзистор 2n3906 может использоваться в различных электронных схемах, включая усилители малой мощности, стабилизаторы напряжения, переключатели и др. Благодаря своим характеристикам, он нашел широкое применение в различных областях, начиная от аудиоустройств и заканчивая безопасностью и светотехникой.
2N3906 Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание
12 декабря 2017 – 0 комментариев
2N3906 Конфигурация контактов
|
Номер контакта |
Название контакта |
Описание |
|
1 |
Излучатель |
Утечка тока через эмиттер |
|
2 |
Базовый |
Управляет смещением транзистора |
|
3 |
Коллектор |
Ток протекает через коллектор |
Характеристики
- Биполярный PNP-транзистор
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
- Базовое напряжение эмиттера (VBE) равно 5 В
- Базовый ток (IB) не более 5 мА
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
- Базовое напряжение коллектора (VCB) составляет 40 В
- Доступен в пакете To-92
Примечание.
Полные технические характеристики можно найти в техническом паспорте 2N3906, приведенном в конце этой страницы.
2N3906 Эквивалентные транзисторы
2N4403, MPSA13, MPSA92, MPSA55, ZTX555
Альтернатива для 2N3906
BC157, BC558, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42
Краткое описание 2N3906
2N3906 представляет собой транзистор PNP , следовательно, коллектор и эмиттер будет закрыт (смещен в прямом направлении), когда базовый штифт удерживается на земле, и будет разомкнут (смещен в обратном направлении), когда на базовый штырь подается сигнал. В этом отличие PNP-транзистора от NPN-транзистора: логическое состояние (синий цвет) используется для переключения между заземлением и сигнальным напряжением (эмиттер-база VBE), как показано ниже.0003
2N3906 имеет коэффициент усиления от 110 до 300, это значение определяет мощность усиления транзистора.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое между коллектором-эмиттером (VCE) или базой-эмиттером (VBE), может составлять 40 и 5 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 5 В.
Где использовать 2N3906
2N3906 — широко используемый PNP-транзистор. Он очень похож на транзистор bc557, за исключением того, что он имеет высокое напряжение между коллектором и эмиттером, и, следовательно, можно переключать высоковольтные нагрузки.
Итак, если вы ищете PNP-транзистор , способный переключать высоковольтные нагрузки в пределах 0,2 А, то этот транзистор 2N3906 может оказаться для вас правильным выбором.
Как использовать 2N3906
Транзистор 2N3906 обычно используется в качестве переключающего устройства. При использовании в качестве переключателя он может работать в области насыщения и области отсечки. В транзисторе PNP по умолчанию он находится во включенном состоянии, но нельзя сказать, что он полностью включен, пока базовый вывод не будет заземлен. Если мы обеспечим заземление на базовый контакт, то транзистор будет смещен в обратном направлении и, как говорят, включен. Если питание подается на базовый контакт, он прекращает проводить ток между эмиттером и коллектором и считается выключенным. Для защиты транзистора последовательно с ним добавлено сопротивление.
RB = VBE / IB
Где значение VBE для этого транзистора будет 5В. Максимальное значение обеспечения базового тока составляет 200 мА. Таким образом, из этого вы можете найти значение сопротивления, которое будет добавлено последовательно с ним. В приведенной ниже схеме напряжение базового эмиттера (VBE) равно 0 В (заземлено), поэтому транзистор PNP проводит, и двигатель вращается. Если установлено высокое значение (5 В), двигатель остановит вращение
Обратите внимание, что для PNP-транзисторов нагрузки должны быть подключены со стороны коллектора, как показано ниже. Также обратите внимание, что ток нагрузки должен быть менее 200 мА (здесь 140 мА)
Применение
- Используется для переключения высоковольтных слаботочных нагрузок
- Оптимально для нагрузок с высоким пиковым напряжением до 40 В
- Используется в различных приложениях переключения.
- Используется в схемах инверторов и преобразователей
- Используется для изготовления сирены или двойной светодиодной или ламповой мигалки.
- Можно использовать в парах Дарлингтона.
2D-модель и размеры
2D-размеры помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на плате или печатной плате.
Аналоги импортного и отечественного производства
| Тип транзистора | PC | VCEO | VEBO | IC | TJ | fT | CC | hFE | Тип корпуса |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N 3906A | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| Импортные аналоги | |||||||||
| MMBT 390 | 0,35 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-23 |
| PZT 3906 | 1 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-223 |
| H2N 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| KN 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2N 3905 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 200 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2SB 1014 | 0,7 | 60 | 8 | 1 | 185 | 160 | ТО-92 | ||
| 2SB 977A | 0,75 | 50 | 8 | 1 | 195 | 3000 | ТО-92 | ||
| BC 327-025 | 0,625 | 45 | 5 | 0,5 | 150 | 260 | 10 | 160 | ТО-92 |
| KN 4403 | 0,625 | 40 | 5 | 0,6 | 150 | 200 | 8,5 | 100 | ТО-92 |
| KSP 75/76/77 | 0,625 | 40/50/60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | ТО-92 | ||
| TIPP 115/116/117 | 0,8 | 60/80/100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | ТО-92 | ||
| TIS 91 (M) | 0,625 | 40 | 5 | 0,4 | 150 | 100 | ТО-92 | ||
| ECG 2342 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 2000 | ТО-92 | |
| BSR 62 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | ТО-92 | |
| Аналоги производства РФ и Республики Беларусь | |||||||||
| КТ 6109D/G | 0,625 | 40 | 5 | 0,5 | 150 | 144/112 | ТО-92 | ||
| КТ361Г/В2/Д2/К2 | 0,15 | 35 – 60 | 4 | 0,05 | 150 | 250 | 7 | 350 | ТО-92 |
| КТ502В/Г/Д /Е | 0,35 | 40 | 0,15 | 150 | 5 | 120 | ТО-92 | ||
| КТ6136А | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 300 | ТО-92 |
| КТ313Б/В | 0,3 | 60 | 5 | 0,35 | 150 | 200 | 12 | 300 | ТО-92 |
Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.
Схемы с использованием транзистора 2n3906
Одной из типичных схем, в которых применяется транзистор 2n3906, является схема усилителя мощности класса B. В этой схеме транзисторы 2n3906 и 2n3904 используются в комбинации, чтобы создать усилитель мощности с малыми искажениями. Транзистор 2n3906 является ключевым элементом, отвечающим за усиление положительной полуволны сигнала. Схема усилителя мощности класса B широко применяется в аудио усилителях, радиоприемниках и других устройствах.
Другой интересной схемой с использованием транзистора 2n3906 является схема автоматического включения светодиода. В этой схеме, транзистор 2n3906 используется в качестве переключателя, который регулирует ток, подаваемый на светодиод. Когда напряжение на базе транзистора достигает определенного значения, транзистор открывается и ток начинает протекать через светодиод, включая его. Это позволяет автоматически включать светодиод при определенных условиях.
Кроме того, транзистор 2n3906 может использоваться в схемах, требующих усиления слабых сигналов или управления небольшими токами. Он может использоваться в схемах усиления звука, управления маломощными моторами и других аналогичных приложениях.
Introduction to 2N3906 PNP Transistor
The 2N3906 is a general-purpose Bi-Polar PNP Transistor. It is one of the popular discrete transistors that circuit designers, hobbyists and makers use in their electronics projects. Motorola Semiconductor released the 2N3906 as well as its NPN counterpart, the 2N3904 back in the 60’s.
We can use this transistor for both amplification as well as switching applications. The TO-92 package is the most common package for 2N3906 with both straight leans and bent leads.
Apart from TO-92, it is also available in a couple of SMD packages as well. SOT-23 and SOT-223 are the main SMD packages, where the SOT-23 variant has a part name as MMBT3906 while the SOT-223 variant has the part name as PZT3906.
The onsemi semiconductor company is the primary producer of 2N3906 transistors in TO-92 package with some small-time companies such as Micro Commercial Company, NTE Electronics and Comchip Technology are also producing them.
Previously, some big semiconductor companies (Fairchild – NXP, STMicroelectronics) also produced the 2N3906 Transistors, but as of today, only onsemi acts as the main producer.
The SOT-223 package is very rare (and Digi-Key listed it as obsolete) but the SOT-23 package is still popular. Some companies that manufacture SOT23 variant of 2N3906 are onsemi, Diodes Incorporated, TSMC, Micro Commercial Company, Panjit International Inc.
2N3906 Transistor Pinout
Before looking at the specifications of 2N3906 PNP Transistor, let us quickly take a peek at the circuit symbol and also the pinout of different packages of 23906 Transistor.
As it is a BJT, it has three terminals: Base (B), Emitter (E) and Collector (C). There is nothing special about the circuit symbol as it is essentially a regular PNP Transistor. But none the less, here is the circuit symbol of 2N3906 Transistor.
Image
Coming to the pinout, we took the three popular packages (TO092, SOT-23 and SOT-223) and made 3D models with pinouts. The following image shows the pinout of 2N3906 Transistor.
PNP Si Транзистор Дарлингтона, 50 В, 2 А (комп.
{{выделение}}
3,80 $
Деталь №: NTE269
| Купить 1+ | 3,80 $ | |
| Купить 50+ | 3,17 $ | Сохранить задачу% |
| Купить 100+ | 2,92 $ | Сохранить задачу% |
| Купить 200+ | 2,71 $ | Сохранить задачу% |
| Купить 500+ | 2,53 $ | Сохранить задачу% |
Купить ` price`.`low `+
${{ parseFloat(price.price).toFixed(2) }}
Сохранить {{ Math.floor(((product_selected().prices.price — price.price) / product_selected().prices.price) * 100) }}%
Посмотреть корзину »
{{ product_selected().in_stock }} в наличии для немедленной отправки.
Этот продукт не доступен в настоящее время.
Посмотреть корзину »
Рекомендуемые продукты
{{ rp }}
${{ rp }}
Описание продукта
NTE Semiconductors
Номер детали NTE: NTE269 Описание: T-PNP, DARL 50 В, HFE1000 Кол-во в упаковке: 1
Позвоните или напишите нам, чтобы узнать о состоянии запасов.
Срок поставки товаров, которых нет в наличии, составляет 1-2 недели.
Щелкните здесь, чтобы просмотреть техническое описание NTE269. Если эта ссылка на техническое описание не работает, техническое описание все еще может быть доступно на сайте nteinc.com.
Эта деталь является эквивалентной заменой для следующих деталей: 3L4-6024-1, 921-383, D41K1, D41K2, D41K3, D41K4, ECG269, GE-368, M726, NTE269, NTE273 (имеются незначительные электрические отличия , но устройство будет работать в большинстве приложений.), SK9256, SK9256/269, TM269
Vetco располагает полным ассортиментом электронных компонентов, включая интегральные схемы (ИС), транзисторы, диоды и светодиоды. Ищете дополнительную информацию? Пожалуйста, нажмите здесь для поиска онлайн-компонента NTE ПОИСК ПО ПЕРЕКРЕСТНЫМ ССЫЛКАМ
Состояние продукта: Новый
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ : Рак и репродуктивный вред — www.
Графические данные
Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).
Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.
Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.
Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).
Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).
Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).
Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).
Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).
Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.
Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.
2N3906 pnp транзистор комплиментарный npn, замена, распиновка, конфигурация выводов, заменитель, маркировка 2N 3906, spice model, аналог smd, техпаспорт
Характеристики транзистора 2N3906
- Тип: ПНП
- Напряжение коллектор-эмиттер, макс.: -40 В
- Напряжение коллектор-база, макс.: -40 В 9 0101 Напряжение эмиттер-база, макс.:
-5 В Ток коллектора – непрерывный, макс. : -0,2 А
Рассеивание коллектора: 0,625 Вт
Коэффициент усиления по постоянному току (h fe ): 100 до 300
Частота перехода, мин: 250 МГц
Коэффициент шума, не более: 4 дБ
Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении: от -55 до +150 °C
Упаковка: TO-92
900 06
Распиновка 2N3906
2Н3906 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо — это выводы эмиттера, базы и коллектора. Вот изображение, показывающее схему выводов этого транзистора.
SMD версия транзистора 2N3906
N3906S (СОТ -23), KST3906 (SOT-23), KTA1504 (SOT-23), KTA1504S (SOT-23), MMBT3906 (SOT-23), MMBT3906L (SOT-23), MMBT3906LT1 (SOT-23), MMBT3906LT1G (SOT- 23), ММБТ3906LT3 (СОТ-23), ММБТ3906LT3G (SOT-23), MMBT3906T (SOT-523F), MMBT3906TT1 (SOT-416), MMBT3906TT1G (SOT-416), MMBT3906WT1 (SOT-323), MMBT3906WT1G (SOT-323), MMST3906 (SOT-323), PMBS39 06 (SOT-23), PMBT3906 (SOT-23), PMST3906 (SOT-323), PZT3906 (SOT-223) и TMBT3906 (SOT-23) — это SMD-версия транзистора 2N3906.
Эти транзисторы однотипны, имеют схожие параметры и предназначены для поверхностного монтажа.
Замена и аналог для транзистора 2N3906
Вы можете заменить 2N3906 на 2N4403, 2SA696, 2SA697, 2SA708, BC527, BC528, KN2907, KN2907A , КН3906, КСА708, КСП2907А, КСП55, КСП56, КСП8598, КСП8599 , KTN2907, KTN2907A, MPS2907, MPS2907A, MPS2907AG, MPS2907G, MPS3906, MPS4354, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPS8598, MPS8598G, MPS8599, MPS859 9Г, МПСА55, МПСА55Г, МПСА56, МПСА56Г, МПСВ51А, МПСВ51АГ, МПСВ55, МПСВ55Г , MPSW56, MPSW56G, P2N2907A, P2N2907AG, PN200, PN2905, PN2905A, PN2907, PN2907A, PN4354, PN4355, ZTX550 или ZTX951.
2N3906 Spice Модель
.модель 2N3906 PNP ( + Is=1,41f + Хти=3 + Пример=1,11 + Ваф=18,7 + Bf=180,7 + Ne=1,5 + Исэ=0 + Iкф=80м + Хтб=1,5 + руб=4,977 + Нк=2 + Иск=0 + Икр=0 + Rc=2,5 + Сjc=9,728p + Mjc=0,5776 + Vjc = 0,75 + ФК = 0,5 + Cje=8.