Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1711
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
2N1711
Datasheet (PDF)
..1. Size:623K rca 2n1711.pdf
..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit
..3. Size:46K st 2n1711.pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..4. Size:47K st 2n1711 .pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf
http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com
..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE
..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf
9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.
Характеристики транзистора A614 на русском языке
Описание:
Транзистор A614 является NPN-транзистором средней мощности, который обладает высокой частотой переключения и низким уровнем коллекторного тока.
Он имеет три вывода: коллектор (C), базу (B) и эмиттер (E), и предназначен для работы с постоянным и переменным током.
Особенности:
Транзистор A614 обладает высоким надежным временем работы и хорошими электрическими характеристиками, что делает его идеальным для использования в усилителях мощности, переключающих схемах и других устройствах электроники, где требуется высокая скорость работы и стабильность.
Он также обладает низким уровнем шума и небольшими размерами, что позволяет использовать его в компактных электронных устройствах.
Транзистор A614 имеет высокий показатель усиления тока, что позволяет использовать его в каскадах усиления сигнала.
Применение:
Транзистор A614 применяется в различных устройствах и схемах электроники, включая усилители мощности, высокочастотные устройства, коммутационные схемы, схемы управления, импульсные источники питания и многое другое.
Функция и применение транзистора A614 Y
| Функция | Применение |
| Усилитель сигнала | Транзистор A614 Y может использоваться в усилительных схемах различных устройств, таких как радиоприемники, усилители звука и другие. Он обеспечивает усиление сигнала и передачу его на выходной каскад с нужной мощностью. |
| Источник тока | Также транзистор A614 Y может использоваться в схемах как источник тока. В этом режиме он обеспечивает стабильность и точность заданного тока, который может быть подан на другие компоненты или устройства. |
| Ключевой элемент защитных схем | Благодаря своей высокой надежности и мощности, транзистор A614 Y может использоваться в различных защитных схемах, таких как защита от короткого замыкания, защита от перегрузки и других. Он обеспечивает быстрое и эффективное отключение при возникновении опасной ситуации. |
| Управление электромеханическими устройствами | Транзистор A614 Y может использоваться для управления электромеханическими устройствами, такими как реле, соленоиды, электромоторы и другие. Он позволяет регулировать электрический поток и обеспечивает точное управление функциональностью этих устройств. |
Транзистор A614 Y имеет широкий спектр применения в электронике, благодаря своей высокой мощности, надежности и эффективности. Он является важным компонентом во многих устройствах и позволяет создавать сложные электронные схемы с различными функциональными возможностями.
Область применения транзистора A614 Y
Транзистор A614 Y обладает широкой областью применения в различных электронных устройствах. Благодаря своим характеристикам и особенностям, он нашел применение в следующих областях:
- Аудиоусилительных устройствах. Транзистор A614 Y обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума, что позволяет его успешно применять в аудиоусилителях для усиления звукового сигнала.
- Радиоприемниках. Благодаря своим высоким рабочим частотам и низкому коэффициенту шума, транзистор A614 Y применяется в радиоприемниках для усиления радиочастотного сигнала.
- Телекоммуникационных устройствах. Транзистор A614 Y обладает высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для применения в телекоммуникационных устройствах, таких как модемы или маршрутизаторы.
- Стабилизаторах напряжения. Благодаря своей низкой внутренней емкости, транзистор A614 Y может быть использован в стабилизаторах напряжения для поддержания постоянного напряжения на выходе.
- Источниках питания. Транзистор A614 Y может быть применен в источниках питания для управления током и напряжением.
Все эти применения делают транзистор A614 Y неотъемлемой частью современной электроники и помогают обеспечить высокое качество и надежность работы различных устройств.
Применение и особенности использования Sec a614 y транзистора
- Sec a614 y транзистор обладает высокой мощностью и низким уровнем шума, что делает его идеальным выбором для применения в усилителях и других аудиоустройствах.
- Благодаря своей структуре и параметрам, Sec a614 y может использоваться во многих схемах усилителей, включая устройства класса AB.
- Также этот транзистор может использоваться для усиления слабых сигналов в радиоприемниках и других подобных устройствах.
- Sec a614 y обладает высоким коэффициентом усиления и способен обрабатывать большие сигналы, поэтому он может использоваться в схемах сильноточной электроники.
Учитывая эти особенности и применения, Sec a614 y транзистор является важным компонентом в электронике и широко применяется в различных устройствах и системах.
Описание транзистора A614
Основные характеристики транзистора A614:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Максимальное напряжение коллектора | 40 В |
| Максимальный ток коллектора | 1 А |
| Максимальная мощность коллектора | 1 Вт |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
Транзистор A614 обладает высокой частотой переключения и низким уровнем шума, что делает его идеальным для применения в усилителях высокой частоты, радиопередатчиках, коммуникационных системах, а также различных других устройствах.
Транзистор A614 изготавливается с использованием технологии полупроводникового материала, что позволяет ему обеспечивать стабильную работу в широком диапазоне рабочих условий и обеспечивать долговечность и надежность функционирования.
Структура и принцип работы Sec a614 y транзистора
Основной элемент транзистора — это полупроводниковый кристалл с тремя областями, примыкающими друг к другу. Выходящая область имеет тип n, базовая область — тип p, а входящая — тип n. Эти три области образуют два p-n перехода, которые обычно называют эмиттер-база и коллектор-база.
Принцип работы Sec a614 y транзистора основан на передаче зарядовых носителей из эмиттера в коллектор через базу. В нормальном режиме работы, эмиттер-база переход пропускает электроны из эмиттера в базу, а коллектор-база переход пропускает электроны из базы в коллектор. Таким образом, усиление электрического сигнала осуществляется за счет тока, протекающего через базу, который управляет током, проходящим через эмиттер и коллектор.
Sec a614 y транзисторы широко применяются в различных электронных устройствах, таких как радиоприемники, телевизоры, мобильные телефоны и прочие. Благодаря своей маленькой размерности и высокой надежности, они являются основными элементами для построения различных электрических схем.
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).
Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).
Достоинства и недостатки
Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.
Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.
Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.
Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.
Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.
Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.
Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.
Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.
Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.
Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.
Условия использования транзистора A614
Для оптимальной работы транзистора A614 рекомендуется соблюдать следующие условия:
- Предельно допустимые значения тока коллектора, эмиттера и базы не должны превышать указанных в технической документации.
- Температурный режим должен быть соблюден в пределах указанных значений. Использование радиатора является рекомендуемым дополнением для стабильной работы транзистора A614.
- Входное и выходное сопротивление устройства, в котором используется транзистор A614, должно быть согласовано с этим транзистором для достижения оптимальной эффективности.
- Соблюдайте правила монтажа и манипулирования с транзистором A614, чтобы избежать статического электричества и повреждения контактов.
Длительная работа транзистора A614 в рамках рекомендуемых условий использования поможет обеспечить его стабильность и долгий срок службы.
Sec a614 y транзистор: уникальная электронная компонента
Одной из ключевых особенностей Sec a614 y транзистора является его высокая мощность и работа в широком диапазоне напряжений. Этот транзистор позволяет эффективно управлять токами больших значений, что делает его незаменимым компонентом в современных электронных устройствах.
Sec a614 y транзистор также обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в высокочастотных устройствах и системах связи. Благодаря своей уникальной конструкции и материалам, этот транзистор способен работать на частотах до нескольких гигагерц.
Еще одной важной характеристикой Sec a614 y транзистора является его надежность и долговечность. Транзисторы этой серии прошли строгие испытания и тестирование, что гарантирует их стабильную работу в течение длительного времени
Sec a614 y транзисторы выпускаются с различными номиналами и параметрами, что позволяет выбрать подходящий вариант для конкретного применения. Благодаря этому, эти транзисторы могут использоваться в разных сферах: от электроники до промышленной автоматики.
В заключение, Sec a614 y транзистор является уникальной электронной компонентой, сочетающей в себе высокую мощность, надежность и широкий диапазон применения. Он является незаменимым элементом в современных электронных устройствах и способствует разработке новых технологий и систем связи.
In Stock
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Электрические характеристики
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVCBO | Напряжение пробоя коллектор-база | IC= -100 µA, IE=0 | -50 | V | ||
| BVCEO | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | IC= -10mA, IB=0 | -50 | V | ||
| BVEBO | Напряжение пробоя эмиттер-база | IE= -10 µA, IC=0 | -5 | V | ||
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB= -50V, IE=0 | -0.1 | µA | ||
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB= -5V, IC=0 | -0.1 | µA | ||
| hFE1 hFE2 | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE= -6V, IC= -2mA VCE= -6V, IC= -150mA | 70 25 | 400 | ||
| VCE (sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -0.1 | -0.3 | V | |
| VBE (sat) | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -1.1 | V | ||
| fT | Частотная эффективность | VCE= -10V, IC=-1mA | 80 | MHz | ||
| Cob | Выходное сопротивление | VCB= -10V, IE=0, f=1MHz | 4 | 7 | pF | |
| NF | Уровень шумов | VCE= -6V, IC= -0.1mA f=100Hz, RG=10kΩ | 0.5 | 6 | dB |
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре воздуха 25°C.
Описание транзистора A614 на русском языке
Вот некоторые основные характеристики транзистора A614:
- Максимальное коллекторное напряжение (VCE): 30 В
- Максимальный коллекторный ток (IC): 500 мА
- Максимальная мощность потери (PD): 625 мВт
- Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C
- Коэффициент усиления по току (hFE): 60-320
Транзистор A614 имеет трехэлементную структуру, включающую эмиттер, базу и коллектор. Он обладает низким уровнем шума, высокой коммутационной скоростью и низким напряжением смещения. Транзистор A614 может быть использован в различных схемах усиления и коммутации сигналов с низкими частотами.
Обратите внимание, что при работе с транзистором A614 необходимо соблюдать максимальные допустимые значения напряжения, тока и мощности, а также следить за температурой, чтобы избежать повреждения устройства
Также важно учитывать правильное подключение контактов, чтобы транзистор работал в соответствии с его спецификациями
Основные технические параметры транзистора A614
Основные технические параметры транзистора A614 включают в себя:
1. Максимальные значения:
- Максимальное обратное напряжение коллектора (Vcbo): 60 В
- Максимальное напряжение эмиттера-коллектора (Vceo): 25 В
- Максимальное напряжение эмиттера-базы (Vebo): 5 В
- Максимальный ток коллектора (Ic): 1 А
- Максимальная мощность коллектора (Pc): 0,8 Вт
2. Характеристики тока:
- Ток коллектора в рабочем режиме (Ic): 0,5 А
- Ток базы в рабочем режиме (Ib): 0,1 А
- Коэффициент усиления по току коллектора (hfe): 50-120
- Напряжение насыщения коллектора-эмиттера (Vce(sat)): 0,3 В
3. Характеристики частоты:
- Время задержки переключения (tS): 35 нс
- Время нарастания переключения (tR): 50 нс
- Время спада переключения (tF): 20 нс
- Граничная частота (fT): 100 МГц
Транзистор A614 обладает низким уровнем шума и низкими искажениями, что делает его идеальным для использования в аудиоусилителях, высокочастотных устройствах и других приложениях, где требуется высокая точность и качество сигнала
Важно помнить, что для корректной работы транзистора необходимо соблюдать указанные максимальные значения и рабочие условия
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Полевики с обособленным затвором
Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:
- МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
- МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
- МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.
Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.
Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.
Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.
Со встроенным
Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.
Транзисторы с внутренним каналом
Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.
Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.
Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.
Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.
С индуктивным каналом
В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.
Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.
Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями
От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.
Тепловые характеристики
Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.
Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.
Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.
Аналоги
Таблица содержит перечень элементов, предлагаемых для замены. Отбор производился по параметрам транзистора, – заголовкам столбцов таблицы. Исполнение – корпус ТО-92, структура – PNP.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| КТА1266 | 50 | 0,15 | 0,625 | 70 | 80 |
| Импортное производство | |||||
| 2SA1015 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| 2SB560 | 80 | 0,7 | 0,75 | 60 | 50 |
| KSA1015 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| KSA708C | 60 | 0,7 | 0,8 | 40 | 30 |
| KSA709C | 150 | 0.7 | 0,8 | 70 | 50 |
| KSA733C | 50 | 0,15 | 0,25 | 50 | 40 |
| KTA1267 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| KTA1279 | 300 | 0,5 | 0,625 | 40 | 50 |
| 2SA1137 | 80 | 0,1 | 0,3 | 100 | 90 |
| 2SA1136, | 80 | 0,1 | 0,3 | 100 | 90 |
| 2SA970, | 120 | 0,1 | 0,3 | 200 | 100 |
Примечание: характеристики параметров транзитора взяты из даташип производителя.
Как проверить устройство с помощью мультиметра
Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.
Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.
Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.
Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.
Транзистор A614: описание и основные характеристики
Транзистор A614 представляет собой NPN эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор, который широко используется в электронике и электротехнике. Он обладает высокой надежностью и хорошими характеристиками, что делает его привлекательным для различных приложений.
Основные характеристики транзистора A614:
- Тип корпуса: TO-92
- Максимальное постоянное обратное напряжение коллектора: 50 В
- Максимальное постоянное обратное напряжение базы: 5 В
- Максимальное коллекторное напряжение эмиттера: 5 В
- Максимальный коллекторный ток: 100 мА
- Максимальная потребляемая мощность: 200 мВт
- Тип монтажа: на печатную плату
Транзистор A614 совместим с различными схемами усиления, коммутации и стабилизации, что делает его универсальным компонентом для разработки разных электронных устройств.
Важно помнить, что для правильного подключения и использования транзистора A614 необходимо ознакомиться с его datasheet, чтобы учесть все специфические особенности и требования
Рабочие режимы IRF740
Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.
В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.
Типы подключений
По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:
- С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
- С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
- С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.
Особенности транзистора A614
1. High Voltage: Транзистор A614 обладает высоким напряжением пробоя.
2. High Current Gain: Одна из основных особенностей транзистора A614 заключается в его высоком коэффициенте усиления тока.
3. Low Saturation Voltage: Транзистор A614 обладает низким напряжением насыщения, что обеспечивает его эффективную работу при высоких токах коллектора.
4. Switching Speed: Благодаря своей быстродействующей способности, транзистор A614 может применяться в схемах быстрого коммутационного управления.
5. Wide Operating Temperature Range: Транзистор A614 способен работать в широком диапазоне рабочих температур, что делает его универсальным в различных условиях эксплуатации.
Транзистор A614 широко используется в различных приборах и электронных устройствах, таких как усилители мощности, схемы коммутации, импульсные преобразователи и другие приложения в области электроники.
