Характеристики транзистора 2n2222

2N3904 характеристики. 2N3904 datasheet. NPN

ДОБРЕ ПІДХОДИТЬ ДЛЯ ТБ І ПОБУТОВОЇ ТЕХНІКИ

ВИСОКЕ ПОСИЛЕННЯ І НИЗЬКА НАПРУГА НАСИЧЕННЯ

2N3904 datasheet pdf

Заміна та аналог транзистора 2N3904

2N4401, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1211, 2SC815, BC537, BC538, KN2222A, KN3904, KSC1008, KSC815, KSP05, KSP06, KSP2222A, KSP8098, KSP8099, KTN2222A, MPS2222A, MPS2222AG, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS8098, MPS8098G, MPS8099, MPS8099G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219A, PN2222A, PN3569, PN4033 or ZTX450.

2N3904 характеристики

ТЕПЛОВІ ХАРАКТЕРИСТИКИ2N3904

Характеристика	Символ	Max	Одиниця
Термічний опір, з’єднання з навколишнім середовищем	RJA	200	°C/W
Термічний опір, з’єднання з корпусом	RJC	83. 3	°C/W

ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N3906

(TA = 25°C, якщо не зазначено інше)

Характеристика	Символ	Min	Max	Одиниця
ВИМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ
Напруга пробою колектор–емітер (IC = 1.0 mAdc, IB = 0)	V(BR)CEO	40	–	Vdc
Напруга пробою колектор-база (IC = 10 μAdc, IE = 0)	V(BR)CBO	60	–	Vdc
Напруга пробою база-емітер (IE = 10 μAdc, IC = 0)	V(BR)EBO	5. 0	–
Базовий граничний струм (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc)	IBL	–	50	nAdc
Струм відсічення колектора (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc)	ICEX	–	50	nAdc
ВВІМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ
Коефіцієнт постійного струму(IC = 0.1 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 1.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 100 mAdc, VCE = 1. 0 Vdc)	hFE	40701006030	−−300−−	−
Напруга насичення колектор–емітер(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc	VCE(sat)	−−	0.250.4	Vdc
Напруга насичення бази-емітера(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)	VBE(sat)	0.65−	0.850.95	Vdc

ХАРАКТЕРИСТИКИ СЛАБОГО СИГНАЛУ

Характеристика	Символ	Min	Max	Одиниця
Коефіцієнт підсилення струму − добуток пропускної здатності (IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)	fT	300	−	MHz
Вихідна ємність (VCB = 5. 0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)	C obo	−	4.0	pF
Вхідна ємність (VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)	C ibo	−	8	pF
Вхідний опір (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	hie	1.0	10	kΩ
Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	hre	0.5	8.0	X10− 4
Підсилення струму слабкого сигналу (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz	hfe	100	400	−
Вихідний допуск (IC = 1. 0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	hoe	1.0	40	μmhos
Коефіцієнт шуму (IC = 100μ Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k, f = 1.0 kHz)	NF	−	5.0	dB

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕМИКАННЯ

Характеристика		Символ	Min	Max	Одиниця
Час затримки	(VCC = 3.0 Vdc, VBE = 0.5 Vdc,IC = 10 mAdc, IB1 = 1.0 mAdc)	td	−	35	ns
Час наростання	(VCC = 3.0 Vdc, VBE = 0.5 Vdc,IC = 10 mAdc, IB1 = 1.0 mAdc)	tr	−	35	ns
Час зберігання	(VCC = 3. 0 Vdc, IC = 10 mAdc, IB1 = IB2 = 1.0 mAdc)	ts	−	200	ns
Час спаду	(VCC = 3.0 Vdc, IC = 10 mAdc, IB1 = IB2 = 1.0 mAdc)	tf	−	50	ns

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками.  Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Габариты транзистора КТ361 и КТ361-1

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1), а также пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1 приведены на рисунке 1.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

3308
ДВОЙНОЙ СИЛЬНОТОЧНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

ВА5417
МОЩНЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

ЧА3511
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3512
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3513
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3514
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА3666
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

КХА3689-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА5356-КГГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА6005-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА6005-КЭГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

CHA6356-QXG
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА6552-КДЖГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

ЧА7115-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ

Что представляет собой данный элемент электрических схем

Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.

Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.

Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики. Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен. Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния. Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:

• UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
• ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
• IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
• IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
• IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.

Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

• U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
• U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
• I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
• Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
• h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
• I КБ — обратный ток вывода коллектора.
• f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
• U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

• Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
• Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Наиболее важные параметры.

• Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.
• Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
• Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.
• Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.
• Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
• Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.
• Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.
• Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.
• Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.
• Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.