Транзистор c815: характеристики и цоколевка

Содержание

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

• Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
• Биполярные – имеют два p-n перехода;
• Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

• Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
• Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Кт815 характеристики и аналоги

СПРАВОЧНИК ПО ОТЕЧЕСТВЕННЫМ ТРАНЗИСТОРАМ СЕРИИ 8хх

13- 50/1 20-100/1 15- 35/2 10- 70/5 20-150/ 20-150/ 20-150/ 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 15- 35/2 10-100/10 10-100/10 10-100/10 10-100/10 10-100/10 15- 45/0.5 30-100/0.5 15- 45/0.5 30-100/0.5 10- 50/6 20-125/6 20-125/6 20-125/6 20-125/6 15-100/2 15- /5 5- /8 5- /8 5- /8 10- 60/20 10- 60/20 10- 60/20 40- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 20- /2 20- /2 20- /2 15- /2 20- /1 20- /1 20- /1 10- /1 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 15- /5 20- /5 15- /5 12- /5 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 40- /0.15 40- /0.15 30- /0.15 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 25- /1 5- /8 5- /8 5- /8 5- /8 430-60000/10 430-60000/10 430-60000/10 750- /5 750- /5 750- /5 500-18000/10 750-18000/10 750-18000/10 10-200/0.1 10-120/0.1 10-120/0.1 750-18000/10 750-18000/10 750-18000/10 2.25- /4.5 2.25- /4.5 750- /3 750- /3 750- /3 750- /3 25- /1 25- /1 25- /1 20- /1

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование	U КБ , В	U КЭ , В	I K , мА	Р К , Вт	h21 э	I КБ , мА	f, МГц	U КЭ , В.
КТ815А	40	30	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Б	50	45	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815В	70	65	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Г	100	85	1500(3000)	1(10)	30-275	≤50	≥ 3	<0,6

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

• U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
• U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
• I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
• Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
• h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
• I КБ — обратный ток вывода коллектора.
• f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
• U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

• Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
• Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

Особенности транзистора C815

Транзистор C815 обладает рядом уникальных особенностей, которые делают его незаменимым компонентом во многих электронных устройствах.

1. Низкое потребление энергии. Транзистор C815 разработан с учетом минимального расхода энергии, что позволяет устройству работать дольше без необходимости замены или подзарядки батареи

Это особенно важно для портативных устройств, которые должны работать долгое время от автономного источника питания

2. Высокая помехозащищенность. В современном мире электромагнитные помехи являются серьезной проблемой для электронных устройств. Однако транзистор C815 обладает специальными функциями, которые позволяют ему эффективно отфильтровывать помехи из внешней среды. Это гарантирует стабильную и надежную работу устройства даже в условиях сильных помех.

3. Оптимальный коэффициент усиления. Транзистор C815 имеет высокий коэффициент усиления, что позволяет эффективно усиливать слабые сигналы. Это делает его идеальным компонентом для устройств, где требуется усиление сигнала, например, в радиоприемниках или телевизорах.

Таким образом, транзистор C815 является уникальным компонентом, сочетающим в себе низкое потребление энергии, высокую помехозащищенность и оптимальный коэффициент усиления. Это делает его незаменимым для множества электронных устройств различного назначения.

Низкое потребление энергии

Низкое потребление энергии делает транзистор C815 идеальным выбором для различных энергосберегающих приложений

Он может быть использован в устройствах, где важно сохранение энергии, например, в батарейных источниках питания, мобильных устройствах, солнечных батареях и других системах, работающих от ограниченного источника энергии

Дополнительным преимуществом низкого потребления энергии является увеличение срока службы устройства, так как меньшее количество энергии потребляется в процессе работы

Это особенно важно для беспроводных устройств, которые работают на батарейках и требуют длительной автономной работы

Транзистор C815 с низким потреблением энергии является надежным и эффективным компонентом электронных систем, обеспечивая сохранение энергии и оптимальную производительность.

Высокая помехозащищенность

Транзистор C815 отличается высокой помехозащищенностью, что делает его идеальным выбором для использования в условиях сильных электромагнитных помех. Благодаря своей конструкции и особым материалам, этот транзистор способен эффективно фильтровать внешние воздействия, не допуская их влияния на работу устройства.

Высокая помехозащищенность транзистора C815 обеспечивает стабильную работу не только при использовании в промышленных условиях, но и при работе вблизи других электронных устройств, которые могут генерировать электромагнитные помехи.

Благодаря этой особенности транзистор C815 может использоваться в различных сферах, где требуется высокая надежность и стабильность работы электронных систем. Это может быть автомобильная промышленность, медицинская техника, авиационная и космическая отрасль, а также промышленные и бытовые приборы.

Что такое транзистор и его функции

Функции транзистора:

1. Усиление сигнала — одна из основных функций транзистора. Он может усилить слабый входной сигнал и выдать его на выходе с большей амплитудой.
2. Импульсная обработка сигналов — транзисторы используются для обработки быстроизменяющихся электрических сигналов. Они могут быстро переключаться между состояниями включено и выключено, что позволяет им выполнять функции детекторов, генераторов и логических элементов.
3. Регулировка тока и напряжения — транзисторы могут быть использованы для управления током и напряжением в электрическом устройстве. Они могут устанавливать определенные значения тока или напряжения в цепи.
4. Выполнение логических операций — транзисторы могут быть использованы для выполнения различных логических операций, таких как И, ИЛИ, НЕ. Они могут быть использованы для построения логических схем, которые определяют логику работы электронных устройств и компьютеров.

Транзисторы имеют множество применений, от радиоаппаратуры до микропроцессоров. Они играют ключевую роль в современных электронных устройствах, позволяя им выполнять различные функции обработки сигналов и управления электрическими схемами.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается
схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101,
Рига 103, Урал Авто-2.
Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204-
стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт

Имеет структуру типа n — p — n , создан на основе эпитаксиально-планарной технологии. Имеет большое количество разновидностей, а также отечественных и зарубежных аналогов. Комплементарной парой этому элементу является транзистор КТ814, в паре с которым, на данных транзисторах делали схемы эмиттерного повторителя.

Наиболее популярное применение этого элемента – усилители низкой частоты
. Кроме того, данный прибор часто применяется в операционных и дифференциальных усилителях и разного вида преобразователей.

Транзистор получил широкое распространение в 80-х годах 20-го века в качестве элемента большого количества бытовой техники. Название прибора может рассказать о нём минимальную необходимую информацию. Буква К означает “кремниевый”, Т – “транзистор”. Цифра 8 указывает на принадлежность к мощным приборам, предназначенным для работы на средних частотах. Цифра 15 указывает на номер разработки.

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

• американская фирма Motorola,
• японская Seiko Instruments
• тайваньская Pan Jit.

Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.
7E	MUN5215DW1T1	K2	MO	2Q
11	MUN5311DW1T1	L3	MO	2Q	7F	MUN5216DW1T1	K2	MO	2Q
12	MUN5312DW1T1	L3	MO	2Q	7G	MUN5230DW1T1	K2	MO	2Q
12	INA-12063	U2	HP	2Q	7H	MUN5231DW1T1	K2	MO	2Q
13	MUN5313DW1T1	L3	MO	2Q	7J	MUN5232DW1T1	K2	MO	2Q
14	MUN5314DW1T1	L3	MO	2Q	7K	MUN5233DW1T1	K2	MO	2Q
15	MUN5315DW1T1	L3	MO	2Q	7L	MUN5234DW1T1	K2	MO	2Q
16	MUN5316DW1T1	L3	MO	2Q	7M	MUN5235DW1T1	K2	MO	2Q
1С	BC847S	N5	SI	2Q	81	MGA-81563	U1	HP	2Q
1P	BC847PN	P6	SI	2Q	82	INA-82563	U1	HP	2Q
31	MUN5331DW1T1	L3	MO	2Q	86	INA-86563	U1	HP	2Q
32	MUN5332DW1T1	L3	MO	2Q	87	INA-87563	U1	HP	2Q
33	MUN5333DW1T1	L3	MO	2Q	91	IAM-91563	U1	HP	2Q
34	MUN5334DW1T1	L3	MO	2Q	A2	MBT3906DW1T1	P5	MO	2Q
35	MUN5335DW1T1	L3	MO	2Q	A3	MBT3906DW9T1	P5	MO	2Q
36	ATF-36163	A1	HP	2Q	A4	BAV70S	E4	SI	2Q
3C	BC857S	P5	SI	2Q	E6	MDC5001T1	U3	MO	2Q
3X	MUN5330DW1T1	L3	MO	2Q	H5	MBD770DWT1	F2	MO	2Q
46	MBT3946DW1T1	P6	MO	2Q	II	AT-32063	N2	HP	2Q
51	INA-51063	U2	HP	2Q	M1	CMY200	U1	SI	2R
52	INA-52063	U2	HP	2Q	M4	MBD110DWT1	F2	MO	Q
54	INA-54063	U2	HP	2Q	M6	MBF4416DW1T1	A3	MO	2Q
6A	MUN5111DW1T1	L2	MO	2Q	MA	MBT3904DW1T1	N5	MO	2Q
6B	MUN5112DW1T1	L2	MO	2Q	MB	MBT3904DW9T1	N5	MO	2Q
6C	MUN5113DW1T1	L2	MO	2Q	MC	BFS17S	N5	SI	2Q
6D	MBF5457DW1T1	A3	MO	2Q	RE	BFS480	N5	SI	2Q
6D	MUN5114DW1T1	L2	MO	2Q	RF	BFS481	N5	SI	2Q
6E	MUN5115DW1T1	L2	MO	2Q	RG	BFS482	N5	SI	2Q
6F	MUN5116DW1T1	L2	MO	2Q	RH	BFS483	N5	SI	2Q
6G	MUN5130DW1T1	L2	MO	2Q	T4	MBD330DWT1	F2	MO	2Q
6H	MUN5131DW1T1	L2	MO	2Q	W1	BCR10PN	L3	SI	2Q
6J	MUN5132DW1T1	L2	MO	2Q	WC	BCR133S	K2	SI	2Q
6K	MUN5133DW1T1	L2	MO	2Q	WF	BCR08PN	L3	SI	2Q
6L	MUN5134DW1T1	L2	MO	2Q	WK	BCR119S	K2	SI	2Q
6M	MUN5135DW1T1	L2	MO	2Q	WM	BCR183S	K2	SI	2Q
7A	MUN5211DW1T1	K2	MO	2Q	WP	BCR22PN	L3	SI	2Q
7B	MUN5212DW1T1	K2	MO	2Q	Y2	CLY2	A1	SI	2R
7C	MUN5213DW1T1	K2	MO	2Q	6s	CGY60	U1	SI	2R
7D	MUN5214DW1T1	K2	MO	2Q	Y7s	CGY62	U1	SI	2R

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815

. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».

5.2. Схема с эмиттерной стабилизацией

Схема эмиттерной стабилизацией (ЭС) имеет три сопротивления: R’_Б, R»_Б и R_Э. индексы отражают названия электродов, к которым подключены эти сопротивления, рис. 5.3:

Рис. 5.3. Схема эмиттерной стабилизации, транзистор включен по схеме с ОЭ.

Элементы одного каскада условно отделены от другого пунктирными линиями. Нагрузкой каскада может быть аналогичный каскад; тогда вместо R_H будем указывать R_ВХ.СЛ – входное сопротивление следующего каскада.

Известно, что для БТ характерным является наличие заметного входного тока i_ВХ.0 = i_Б0, как было отмечено выше через сопротивление R_Э приходит сумма токов: i_Э0 = i_Б0 + i_К0. отпирающее напряжение смещения (между базой и эмиттером) U_СМ = U_Б0 должно быть положительным для транзистора n-p-n, а для транзистора p-n-p – отрицательным:

U_Б0 = [U_R»Б – U_RЭ] = i_ДЕЛ ·R»_Б – i_Э0 ·R_Э = [i_ДЕЛ ·R»_Б – (i_K0 – i_Б0)]; (5.1)

Должно выполняться условие:

|U_R»Б| > |U_RЭ|;

Здесь R’_Б и R»_Б – делитель напряжения в цепи базы. Для БТ при расчетах иногда удобнее использовать вместо напряжения U_Б0, ток смещения i_Б0. Эти величины однозначно связаны входной характеристикой, рис. 5.2а.

Данная схема обеспечивает не только необходимое смещение для транзистора, но и стабилизирует положение РТ при действии дестабилизирующих факторов (температуры, нестабильности источника питания, старения элементов схемы, разброса параметров транзистора и др.). Например, при увеличении тока i_К0 величина U_Б0 уменьшается, в управлении (5.1) и наоборот. Это стабилизирует положение РТ и можно сказать является результатом введения ООС. Напряжение обратной связи создаётся на сопротивлении R_Э:

U_СВ = ∆i_K0· R_Э. (5.2)

где ∆i_K0 – изменение тока коллектора. С увеличением R_Э возрастает U_СВ и её глубина:

; (5.3)

здесь – эквивалентное сопротивление делителя; h_21Э – статический коэффициент усиления по току БТ в схеме с общим эмиттером; R_ВХ.Э – входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером. Из уравнения (5.2) видно, что с увеличение R_Э возрастает U_СВ и её глубина, уравнение (5.3). Напряжение ООС подаётся на вход транзистора через сопротивление делителя R’_Б и R»_Б. Чем меньше эти сопротивления, тем эффективнее работает данная схема, тем лучше стабилизация режима. Однако выбирать очень малыми сопротивления в цепи базы нельзя, т.к. эти сопротивления шунтируют вход УЭ и уменьшают передаваемое на вход напряжение сигнала. Данная схема является одной из самых эффективных схем, используемых в радиоэлектронике.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89
. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день
, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Вспомогательное питание в высоковольтных системах

Все системы, описанные выше, для своей отвечающей за управление электроники требуют питания низкого напряжения ±5, 12 и 24 В. Также низкое напряжение требуется для питания небольших вспомогательных систем освещения и охлаждения. Упростить решение задачи по генерации этих малых уровней напряжения из доступного от сети переменного тока среднего по уровню напряжения могут модули с возможностью работы от высокого входного напряжения, которые способны обеспечить небольшой по уровню ток. Благодаря возможности легко увеличивать рабочее напряжение эта область применения как будто специально создана для концепции Supercascode. Использование в этой концепции нормально включенного SiC JFET последовательно с низковольтным нормально выключенным МОП-транзистором упрощает схему запуска, как это было продемонстрировано в низковольтных преобразователях с обратной связью. В зависимости от уровня мощности пользователи могут выбирать между использованием модулей питания или просто созданием сборки на основе печатной платы с использованием готовых компонентов JFET.

Подробное описание транзистора С815

Транзистор С815 имеет тип транзистора NPN и обладает высоким коэффициентом усиления по току. Он предназначен для работы в низкочастотных усилительных схемах и является незаменимым элементом для создания мощных и стабильных электронных устройств.

Основные характеристики транзистора С815:

• Тип: NPN
• Максимальный ток коллектора (I_C): 5 А
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 60 В
• Максимальная мощность: 1 Вт
• Коэффициент усиления по току (h_FE): 40-120
• Частота переключения (f_T): 150 МГц
• Максимальная рабочая температура: 150°C

Транзистор С815 обладает низкими внутренними емкостями и имеет низкое сопротивление эмиттера, что делает его идеальным для работы в усилительных схемах. Кроме того, он обладает высоким коэффициентом усиления по току, что позволяет использовать его в схемах усиления слабых сигналов.

Транзистор С815 широко применяется в радиоэлектронике, телекоммуникационной и автомобильной промышленности. Он отличается надежностью, высокой эффективностью и долгим сроком службы.

Меры безопасности

Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов. Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки

Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд

Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.

Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.

Как проверить транзистор Дарлингтона

Самый простой способ проверки составного транзистора заключается в следующем:

• Эмиттер подсоединяется к «минусу» источника питания;
• Коллектор подсоединяется к одному из выводов лампочки, второй её вывод перенаправляется на «плюс» источника питания;
• Посредством резистора к базе передаётся плюсовое напряжение, лампочка светится;
• Посредством резистора к базе передаётся минусовое напряжение, лампочка не светится.

Если всё получилось так, как описано, то транзистор исправен.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Цоколевка транзистора C815

TO-92 имеет три вывода: базу (B), эмиттер (E) и коллектор (C)

Правильное подключение транзистора C815 особенно важно для его работы. База является управляющим выводом и должна быть подключена к управляющей сигнальной цепи

Коллектор является выводом, через который проходит управляемый ток. Эмиттер служит для отвода тепла, образующегося в процессе работы транзистора.

Расположение выводов на цоколевке TO-92 может быть представлено следующим образом:

Правильное расположение выводов:

B — база

C — коллектор

E — эмиттер

Для удобства подключения транзистора C815 к схеме можно использовать специальные клеммные колодки или пайку выводов транзистора непосредственно на печатную плату.