Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23
Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:
- снижение канального сопротивления;
- паразитного сопротивления;
- выводной емкости и индуктивности;
- увеличение рабочего тока;
- увеличение рабочего напряжения;
- увеличение скорости действия.
Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.
Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.
Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.
К транзисторам предъявляются следующие требования:
- Невысокое открытое сопротивление.
- Стабильность температуры, если не используется радиатор.
- Невысокий порог напряжения затвора.
- Бюджетная стоимость.
У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.
У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.
Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.
Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.
Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23
Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.
Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой
Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения
На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.
Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.
Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23
В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:
- управляющее напряжение затвора;
- тип корпуса;
- технология кристаллизации;
- уровень напряжения стока и размера кристалла.
Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:
- L — уровень управляющего напряжения.
- F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
- L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.
Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.
Работа с микроконтроллерами
При расчете транзисторного ключа нужно учитывать все особенности работы элемента. Для того чтобы работала система управления на микроконтроллере, используются усилительные каскады на транзисторах. Проблема в том, что выходной сигнал у контроллера очень слабый, его не хватит для того, чтобы включить питание на обмотку электромагнитного реле (или же открыть переход очень мощного силового ключа). Лучше применить биполярный транзисторный ключ, которым произвести управление MOSFET-элементом.
Применяются несложные конструкции, состоящие из таких элементов:
- Биполярный транзистор.
- Резистор для ограничения входного тока.
- Полупроводниковый диод.
- Электромагнитное реле.
- Источник питания 12 вольт.
Диод устанавливается параллельно обмотке реле, он необходим для того, чтобы предотвратить пробой транзистора импульсом с высоким ЭДС, который появляется в момент отключения обмотки.
Сигнал управления вырабатывается микроконтроллером, поступает на базу транзистора и усиливается. При этом происходит подача питания на обмотку электромагнитного реле – канал «коллектор — эмиттер» открывается. При замыкании силовых контактов происходит включение нагрузки. Управление транзисторным ключом происходит в полностью автоматическом режиме – участие человека практически не требуется. Главное – правильно запрограммировать микроконтроллер и подключить к нему датчики, кнопки, исполнительные устройства.
Маркировка SOT-23
Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.
Корпуса бывают:
- sot23-3.
- sot23-5.
- sot23-6.
Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:
- DC/DC.
- AC/DC.
- ШИМ(pwm).
Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.
Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.
Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.
H13005D Datasheet (PDF)
Транзистор h945
1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi
R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2
1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi
R H13005D 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．
1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi
R H13005D 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
3308
ДВОЙНОЙ СИЛЬНОТОЧНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
ВА5417
МОЩНЫЙ ДВОЙНОЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
ЧА3511
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА3512
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА3513
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА3514
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА3666
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
КХА3689-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА5356-КГГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА6005-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА6005-КЭГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
CHA6356-QXG
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА6552-КДЖГ
Монолитная микроволновая микросхема GaAs
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
ЧА7115-99Ф
GaAs монолитная микроволновая микросхема
Объединенные монолитные полупроводники
ПДФ
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | — | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | — | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | — | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | — | 30 | — | 0,8 | 150 | 190 | — | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | — | 25 | — | 0,8 | 175 | — | — | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | — | 150 | 150 | — | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | — | 4 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | — | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | — | 40 | — | 1 | — | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | — | 40 | — | 1,5 | — | 190 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | — | 25 | — | 3 | — | — | — | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Проверка работоспособности полевого транзистора
Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.
Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):
- Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
- Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
- Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
- Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
- Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.
Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.
Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.
Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.
В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.
Режима работы в SOA
Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)
Режим FBSOA
На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.
mps8099 datasheet (32)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Type | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MPS8099 |
On Semiconductor |
Amplifier Transistor | Original |
|
||
| MPS8099 |
On Semiconductor |
Voltage and current are negative for PNP transistors | Original |
|
||
| MPS8099 |
On Semiconductor |
Small Signal Amplifier NPN; Package: TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height; No of Pins: 3; Container: Bulk; Qty per Container: 5000 | Original |
|
||
| MPS8099 |
Sinyork |
Mini size of Discrete semiconductor elements | Original |
|
||
| MPS8099 |
Continental Device India |
Semiconductor Device Data Book 1996 | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Motorola |
Semiconductor Data Library Volume 3 1974 | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Unknown |
Basic Transistor and Cross Reference Specification | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Unknown |
Shortform Transistor PDF Datasheet | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Unknown |
Cross Reference Datasheet | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Unknown |
Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Unknown |
Semiconductor Master Cross Reference Guide | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Unknown |
Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Scan |
|
||
| MPS8099 |
National Semiconductor |
Shortform National Semiconductor Datasheet | Scan |
|
||
| MPS8099 |
National Semiconductor |
NPN Transistors | Scan |
|
||
| MPS8099 |
National Semiconductor |
General Purpose Amplifiers and Switches | Scan |
|
||
| MPS8099 |
On Semiconductor |
Over 600 obsolete distributor catalogs now available on the Datasheet Archive — Transistor, Bipolar, NPN, General Purpose, Pkg Style TO92 | Scan |
|
||
| MPS8099 |
Samsung Electronics |
NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) | Scan |
|
||
| MPS8099C |
Unknown |
Semiconductor Master Cross Reference Guide | Scan |
|
||
| MPS8099G |
On Semiconductor |
Small Signal Amplifier NPN | Original |
|
||
| MPS8099RL |
On Semiconductor |
MPS8099 — TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal | Original |
|
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока от 15 и выше.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 60 в, импульсное — 160 в — у КТ805А, КТ805АМ. 135 в — у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ — не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — 5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ — не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — 5 в.
Максимальный ток коллектора. — 5 А.
Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ — — не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — — не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более — 100 мА.
Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). — 30 Вт.
Граничная частота передачи тока — 20 МГц.
Транзисторы КТ805 и качер Бровина.
Качер Бровина — черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла — источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста — он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.
В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости — КТ805АМ.
В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент — намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 — 0,25 мм на диэлектрическое основание, например — пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен — может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).
После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу — это даст возможность наблюдать «стример» — коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы — стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.
Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 — 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.
Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 — 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор — чем больше, тем лучше.
Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно — выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина — 22см), а первичной — 6см (длина — 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения — 8 в.
В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.
При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего — от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.
Создание устройства
Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.
Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.
Более современные варианты
Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
- был добавлен 5-контактный вариант;
- появилась бессвинцовая версия;
- был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.
Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.
Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.
Tip3055 транзистор характеристики и его российские аналоги
Биполярный транзистор TIP3055 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP3055
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO218
TIP3055 Datasheet (PDF)
1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola
Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO
TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr
TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain — 15 AMPERE hFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe
1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns
TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas
1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
Описание
NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)
Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт
Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».
Транзистор 2N3055
Наверно многие радиолюбители слышали о 2N3055 транзисторе, поскольку он широко используется в уже течение многих лет. Его металлический корпус идеален для рассеивания большого количества тепла при помощи хорошего радиатора.
Комплементарной парой транзистора 2N3055 является транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но имеет p-n-p структуру.
Если вы хотите собрать усилитель, вы можете использовать эту пару транзисторов. В этом случае, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 30 вольт.
Распиновка транзистора 2N3055
Распиновка транзистора 2N3055 в его классическом металлическом корпусе: корпус является коллектором, а два оставшихся вывода – это база и эмиттер.
Транзистор 2N3055, как и MJ2955, выпускается также в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который проще монтировать на радиаторе: TIP3055 и TIP2955 соответственно. Здесь в отличие от полностью металлического корпуса рассеиваемая мощность чуть ниже, 90 ватт против 115 ватт.
Как собрать корпус SOT23 собственноручно
Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.
Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.
Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.
С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:
Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.
Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.
Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.
Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.
Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.
Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.
