ФНЧ И БЛОК СТАБИЛИЗАЦИИ
Фильтр низкой частоты и сумматора построен на двух микросхемах. Он предназначен для плавной регулировки фазы, громкости и частоты. Сумматор предназначен для суммирования сигналов обеих каналов, для получения более мощного сигнала. В промышленных автоусилителях высокой мощности используется именно такой принцип фильтрации и суммирования сигнала, но сумматор можно при желании исключить из схемы и обойтись только фильтром низких частот. Фильтр срезает все частоты, оставляя только предел в пределах 35-150 Гц.
Регулировка фазы позволяет согласовать сабвуфер с акустическими системами, в некоторых случаях её тоже исключают.
Этот блок питается от стабилизированного источника двухполярного напряжения +/-15 Вольт. Питание можно организовать с помощью дополнительной вторичной обмотки или же использовать двухполярный стабилизатор напряжения для понижения напряжения от основной обмотки.
Для этого собран двухполярный стабилизатор. Первоначально напряжение снижается диодами зенера, затем усиливается биполярными транзисторами и подается на линейные стабилизаторы напряжения типа 7815 и 7915. На выходе стабилизатора образуется стабильное двухполярное питание, которым и питается блок сумматора и ФНЧ.
Стабилизаторы и транзисторы могут греться, но это вполне нормально, при желании их можно укрепить на теплоотводы, но в моем случае имеется активное охлаждение кулером, поэтому теплоотводы не пригодились, к тому же тепловыделение в пределах нормы, поскольку сам блок ФНЧ потребляет очень мало.
3DD13007_B8 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd13007 b8d.pdf Size:154K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 B8D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 7 A 产品采用平面工艺， 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 80 W 终端结构和少
1.2. 3dd13007 h8d.pdf Size:155K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 H8D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 9 A 产品采用平面工艺， 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 90 终端结构和
1.3. 3dd13007 b8.pdf Size:155K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 B8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.4. 3dd13007 z7.pdf Size:151K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z7 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 Z7 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 结构和少
1.5. 3dd13007 x1.pdf Size:153K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 X1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 X1 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.6. 3dd13007 y8.pdf Size:153K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Y8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 Y8 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 340 V 该产品 ● 高温特性好 IC 7 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.7. 3dd13007 z8.pdf Size:154K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z8 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 Z8 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 75 W 结构和少
Мини-диваны
Это одно из лучших решений, предназначенных для малогабаритных квартир и студий. Если вы столкнулись с такой ситуацией, необязательно покупать полноразмерную мебель, которая займет все свободное пространство. Это хорошее решение и для тех, кто часто переезжает. Мебель anderssen небольшого размера отличается высоким качеством и удобными механизмами трансформации. Ее можно поставить в комнате ребенка, на кухне, в спальне и небольшой гостиной. Она хорошо смотрится в домашнем кабинете. Но ее можно установить и в просторной квартире, если вы склонны к минимализму или вам требуется дополнительный диван небольшого формата.
Мини-диваны зачастую оснащают механизмом еврокнижка, дополняют подушками со съемными чехлами и удобной спинкой. Такие чехлы особенно удобны тем, у кого есть дети и домашние животные. Их можно почистить и снова надеть на подушки. Когда диван раскладывается, подушки убирают, после чего выкатывают вперед сидение. Затем отпускают спинку. Вы можете выбрать и боковой вариант трансформации компактной мебели.
Вы должны учитывать, что боковая раскладка дополнительно требует свободное пространство слева или справа. Мебель нельзя ставить вплотную со стеной или шкафом. Многочисленные варианты мини-диванов anderssen дают возможность подобрать оптимальную модель. Выделяют следующие преимущества малогабаритных диванов:
- экономию свободного места;
- эстетичность исполнения;
- невысокую стоимость;
- удобство эксплуатации;
- функциональность.
Таким образом, при выборе дивана необходимо учитывать различные факторы, такие как размеры помещения, удобство использования, качество и надежность. Выбирая мягкую мебель anderssen, вы можете быть уверены в надежности и долгосрочности ее использования в своем доме.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база, В | UCBO | IC = 100 мкА | 600 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO | IC = 10 мА | 400 |
| Напряжение эмиттер-база, В | UEBO | IE = 10 мкА | 6 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 550 В | 10 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICEO | UCB = 400 В | 10 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 6,0 В | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)1 ٭ | IC = 50 мА, IB = 10 мА | 0,4 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)2 ٭ | IC = 100 мА, IB = 20 мА | 0,75 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) ٭ | IC = 50 мА, IB = 10 мА | 1 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 10,0 В, IC = 10 мА | ≥ 8 |
| hFE (2) ٭ | UCE = 10,0 В, IC = 50 мА | 10…36 |
٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C.
In Stock: 3
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Биполярный транзистор MJ15003G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJ15003G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора:
MJ15003G
Datasheet (PDF)
..1. Size:104K onsemi mj15003g.pdf
MJ15003 (NPN),MJ15004 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are PowerBaset power transistorsdesigned for high power audio, disk head positioners and other linearhttp://onsemi.comapplications.Features 20 AMPEREPOWER TRANSISTORS High Safe Operating Area (100% Tested) — 5.0 A @ 50 V For Low Distortion Complementary DesignsCOMPLEMENTARY SIL
7.1. Size:119K motorola mj15003r.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ15003/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJ15003*Complementary Silicon PowerPNPMJ15004*TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are PowerBase power transist
7.2. Size:101K onsemi mj15003 mj15004.pdf
MJ15003 (NPN),MJ15004 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are power transistors designed for highpower audio, disk head positioners and other linear applications.http://onsemi.comFeatures20 AMPERE High Safe Operating Area For Low Distortion Complementary Designs POWER TRANSISTORS High DC Current GainCOMPLEMENTARY SILICON These
7.3. Size:156K mospec mj15003-04.pdf
AAA
7.4. Size:165K cn sptech mj15003.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor MJ15003DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 5AFE CWide Area of Safe OperationComplement to the PNP MJ15004APPLICATIONSDesigned for high power audio,disk head positioners andother linear applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag
7.5. Size:205K inchange semiconductor mj15003.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ15003DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 5AFE CWide Area of Safe OperationComplement to the PNP MJ15004Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio,disk head positioners andother linear applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы… MJ11022G
, MJ11028G
, MJ11032G
, MJ11033G
, MJ13009
, MJ14002G
, MJ14003G
, MJ15001G
, 2N5551
, MJ15004G
, MJ15015G
, MJ15016G
, MJ15022G
, MJ15023G
, MJ15024G
, MJ15025G
, MJ16018-1400V
.
MJ15003G Datasheet (PDF)
..1. Size:104K onsemi mj15003g.pdf
MJ15003 (NPN),MJ15004 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are PowerBaset power transistorsdesigned for high power audio, disk head positioners and other linearhttp://onsemi.comapplications.Features 20 AMPEREPOWER TRANSISTORS High Safe Operating Area (100% Tested) — 5.0 A @ 50 V For Low Distortion Complementary DesignsCOMPLEMENTARY SIL
7.1. Size:119K motorola mj15003r.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ15003/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJ15003*Complementary Silicon PowerPNPMJ15004*TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are PowerBase power transist
7.2. Size:101K onsemi mj15003 mj15004.pdf
MJ15003 (NPN),MJ15004 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are power transistors designed for highpower audio, disk head positioners and other linear applications.http://onsemi.comFeatures20 AMPERE High Safe Operating Area For Low Distortion Complementary Designs POWER TRANSISTORS High DC Current GainCOMPLEMENTARY SILICON These
7.3. Size:156K mospec mj15003-04.pdf
AAA
7.4. Size:165K cn sptech mj15003.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor MJ15003DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 5AFE CWide Area of Safe OperationComplement to the PNP MJ15004APPLICATIONSDesigned for high power audio,disk head positioners andother linear applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag
7.5. Size:205K inchange semiconductor mj15003.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJ15003DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 5AFE CWide Area of Safe OperationComplement to the PNP MJ15004Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio,disk head positioners andother linear applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Влияние входного и выходного конденсаторов на АЧХ нашего усилителя
Замеряем АЧХ нашей платы. На входе: конденсатор 1 мкФ, на выходе: 2200 мкФ.
Если посмотреть график внизу, на АЧХ (частотную характеристику) нашего усилителя, то можно заметить завал на низких частотах, начиная от 100 Гц и ниже. А также небольшой завал на высоких частотах (от 10 кГц и выше). По высоким частотам этот завал совсем незначительный, поэтому мы его трогать не будем. А вот низких частот нужно немного добавить.
Часто начинающие пользователи методом научного тыка добавляют конденсаторы в усилитель. Иногда им везет, а иногда нет.
Для начала обратим внимание на рекомендации автора:
На нашей собранной плате выходной конденсатор имеет ёмкость 2200 мкФ, входной — 1 мкФ. Нагрузка у нас 4 Ом. На схеме Худа входной конденсатор — 0.5 мкФ, а выходной — 5000 мкФ. Частенько любители увеличивают входной конденсатор для выравнивания АЧХ. Но на самом деле нужно увеличить ёмкость выходного.
Сейчас мы добавим по очереди конденсаторы и будем замерять АЧХ.
1. Добавляем входной конденсатор 3.3 мкФ параллельно 1 мкФ = 4.3 мкФ:
На входе 4.3 мкФ на выходе 2200 мкФ
Видно, что практически ничего не поменялось на нашем графике, поэтому конденсатор мы пока выпаяем.
2. Теперь добавим параллельно выходному конденсатору 2200 мкФ ещё на 4700 мкФ и смотрим график:
На входе 1 мкФ на выходе 6900 мкФ
Как видим, наша АЧХ стала лучше на низких частотах и этого вполне достаточно для комфортного прослушивания музыки.
3. Но нам этого, конечно же, мало. Мы хотим ещё, поэтому добавим ещё 4700 мкФ к нашим конденсаторам:
На входе 1 мкФ на выходе 11600 мкФ
АЧХ ещё немного выровнялась, но это незначительно.
4. Давайте вернем наш конденсатор на вход, видно еще небольшое выравнивание АЧХ. Получилась такая картинка:
На входе 4.3 мкФ на выходе 11600 мкФ
Посмотрев на график, вы можете выбрать вариант, который вам подойдет для 4 Ом. Если же у вас акустика 8 Ом, просто делите емкость конденсаторов на 2.
Для себя мы оставим 2 вариант, этого достаточно для нашего усилителя. То есть, на входе — 1 мкФ а на выходе — 2200+4700 мкФ.
ТУТ ВИДЕО
Совсем не дурно, почти hi-end! На самом деле если ориентироваться только по КНИ, то этот усилитель полноценный HI-END, но для хай-энда этого не достаточно, поэтому его отнесли к старому и доброму разряду hi-fi.
Несмотря на то, что усилитель развивает всего 100 ватт, он на порядок сложнее аналогичных схем, но сама сборка не составит труда при наличии всех компонентов. Отклонять номиналы схемы не советую – мой опыт это подтверждает.
Маломощные транзисторы в ходе работы могут перегреваться, но волноваться не стоит – это их нормальный режим работы. Выходной каскад, как уже сказал, работает в классе АВ, следовательно, выделятся огромное количество тепла, которое нужно отводить. В моем случае они укреплены на общий теплоотвод, которого более, чем достаточно, но на всякий случай, имеется также и активное охлаждение.
После сборки нас ждет первый запуск схемы. Для этого советую еще раз прочитать запуск и настройку Ланзара – тут все делается точно таким же образом. Первый запуск делаем с закороченной на землю входом, если все ОК, то размыкаем вход и подаем звуковой сигнал. К тому времени все силовые компоненты должны быть укреплены на теплоотвод, а то восхищаясь музыкой можете не заметить, как дымят ключи выходного каскада – каждый из них стоит очень и очень. А про блок защиты в узнаете в следующем материале. С уважением – АКА КАСЬЯН.
Биполярный транзистор MJ15003 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJ15003
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора:
Как питаемся схема
От качества питания зависит и качество усиления. С какими бы выдающимися характеристиками не был транзистор, если питание плохо отфильтровано или недостаточное, то усиление будет советующего качества.
На клеммы Х3 и Х4 подключается питание 6 В.
Эта схема может питаться и от аккумулятора. Однако, несмотря на то, что аккумулятор – это источник с минимальным шумом, у аккумулятора тоже есть свое сопротивление.
И чтобы оно не мешало и не влияло на работу усилителя, нужен сглаживающий и накопительный конденсатор.
Электролитический конденсатор С3 накапливает энергию источника питания, что позволяет улучшить качество усиления. Чем выше емкость – тем лучше. Естественно, у такого правила есть ограничения. Если поставить слишком большую емкость, то будет большая нагрузка на источник питания.
К тому же, электролитические конденсаторы должны разряжаться после выключения. Тем более, есть предел для увеличения емкости для схемы. Если в эту схему подключить конденсатор емкостью 1 фарад (1 000 000 мкФ), то уровень шума на выходе усилителя будет такой же, как и при 1000 мкФ. Это связано с тем, что у транзистора так же есть и свои «шумы», отсутствие экранировки на входе, динамические искажения и другие параметры.
Во время проектирования схемы все эти параметры рассчитываются. Здесь в схеме у конденсатора С3 емкость 47 микрофарад – этого достаточно для нашего транзистора, поскольку у него не большая мощность, которую он может выдать. Можно поставить и большую емкость, например, 1000 микрофарад. Главное не нежно ставить конденсатор с меньшим пределом по напряжению. Если поставить конденсатор менее 6 В (питание схемы), то конденсатор начнет нагреваться и даже может взорваться.
Разбор схемы
Это моно-усилитель мощности звуковой частоты.
Транзистор VT1 является главным элементом в схеме усилителя. Поэтому схема называется транзисторный УНЧ (усилитель низкой частоты).
В данном случае используется n-p-n транзистор. Он включен по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Эта схема позволяет выжить максимум из транзистора. Она усиливает и напряжение, и ток одновременно. Итого максимальная мощность.
Как именно определяется схема включения? Входящий сигнал подается на базу и эмиттер, а выходящий снимается с коллектора и эмиттера. То есть, по сути, общий контакт эмиттер. Поэтому схема называется с общим эмиттером. Эмиттер – это силовая часть транзистора, которая позволяет усилить сигнал по максимуму.
Что такое каскад
Каскад – это по сути этап усиления, который не зависит от другого. Бывают и двухкаскадные усилители. То есть, например, в схеме есть два транзистора. Один работает как предусилитель, и передает усиленный сигнал на вход второго. Поэтому схема называется двухкаскадной. Они не зависят друг от друга, но первый каскад передает сигнал на второй, что позволяет увеличить мощность сигнала.
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.
Использование микросхемы TDA7388
Новичкам и людям, которые не хотят много времен тратить на изготовление усилителя, рекомендуется взять готовую микросхему для создания гаджета. Так появится возможно настроить технику под свои потребности.
Характеристики
Производитель указывает, что у данного усилителя напряжение меняется от 10 до 18 В. Последний показатель подходит больше, местами возможны скачки до 50 вольт. Под эти показатели легко подобрать блок питания, а составленная схема будет стабильно работать. На выходном каскаде используют полевые транзисторы, это тоже плюс.
При использовании микросхемы усилитель получится класса АВ, он работает с частотами до 20 тыс. Гц. Предусмотрена защита от перегрева и короткого замыкания во время работы. Изготавливается устройство проще, чем аналоги, поэтому комплектующие легко найти.
Сборка
Для создания усилителя потребуется печатная плата с габаритами 35*70 мм. Конденсаторы берут до 25 Вт, подходят пленочные и электролитические. Если возникают проблемы со схемой TDA7388, то ее заменяют на TDA7560, они считаются одинаковыми. Каскад функционирует в мостовом режиме, поэтому отдельные конденсаторы не используются.
Сразу после сборки прибор заработает, дополнительные детали при этом не требуются. Во время монтажа конструкции стоит учитывать, что выводы MUTE и ST-BY замыкают на плюс, их включают при разъединении шины. При выборе блока питания учитывают, что максимальный ток не должен быть выше 15 А.
Недостатком самодельного усилителя является габаритный радиатор, хотя бы на 50 квадратных см. Уменьшение размеров возможно только при установке охлаждающего радиатора.
Аналоги
Для изготовления усилителя используют разные микросхемы. Перечислим детали, которые также пригодны для монтажа:
- TDA 7850. Лучший аналог для автомобильной акустики. Имеет высокий класс звучания и не искажает звук. Минимизирует паразитарные шумы, гарантирует четкость и басистость музыки.
- TDA 7560. Выходная мощность тут ниже, но эта деталь дешевле стоит. Чип впервые стали использовать для автомагнитол.
- TDA 7851. У него схожие с первым аналогом характеристики, но здесь уменьшена выходная мощность. Звук через деталь передается отлично, есть несколько защитных механизмов от перегорания.
Самостоятельное изготовление усилителя позволит сэкономить деньги и самостоятельно определить критерии устройства, а не выбирать из того, что есть в автомобильных магазинах. Однако, не стоит забывать про риски, которые зависят от качества комплектующих и самой сборки. Взвесьте все факторы перед тем, как решиться на покупку или самостоятельный монтаж устройства.
