Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | IC = 10 мА, IB = 0 | ≥ 400 | |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 9 В, IC = 0 | ≤ 1,0 |
| Характеристики включенного состояния | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) (1) | IC = 2,0А, IB = 0,4 А | ≤ 1,0 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) (2) | IC = 5,0А, IB = 1,0 А | ≤ 2,0 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) (3) | IC = 8,0А, IB = 2,0 А | ≤ 3,0 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) (1) | IC = 2,0А, IB = 0,4 А | ≤ 1,2 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) (2) | IC = 5,0А, IB = 1,0 А | ≤ 1,6 |
| Статический коэффициент усиления по току ٭ | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 2,0 А | |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А | 5…30 | |
| Характеристики работы в режиме малого сигнала | |||
| Граничная частота усиления (частота среза), МГц | fT | IC = 1,0 мА, UCE = 10 В | ≥ 4 |
| Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ | Cob | 110 | |
| Временные характеристики при резистивной нагрузке | |||
| Время нарастания импульса тока, мкс | ton | UCC = 125 В, IC = 5 А, IB1 = -IB2 = 1,0 А, RL = 25 Ом | 1,6 |
| Время сохранения импульса, мкс | ts (tstg) | 3 | |
| Время спадания импульса, мкс | tf | 0,7 |
٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Модификации и группы
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Группы по hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13001-0 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,4 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 1,8 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-2 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,0 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-A | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,5 / 0,6 | TO-92T |
| 3DD13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…26 | Группы A/B | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 0,8 / 1 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P1 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| ALJ13001 | 1 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 10 групп без обозначения | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CD13001 | 0,9 | 500 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | — | — | 6 групп A/B/C/…/F | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CS13001 | 0,75 | 700 | 480 | 9 | 0,2 | 150 | — | 8…30 | 4 группы без обозначения | — | TO-92 |
| HMJE13001 | 1 | 600 | 400 | 6 | 0,3 | 150 | — | 8…36 | — | — | TO-92 |
| MJ13001A | 0,625 | 500 | 400 | 8 | 0,5 | 150 | ˃10 | 8…40 | — | — | TO-92 |
| MJE13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…70 | 12 групп A/B/C…/L | — | TO-92, SOT-89 |
| MJE13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92 |
| MJE13001A2 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92L |
| MJE13001AH | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,3 | 150 | — | 5…30 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92(S) |
| MJE13001B1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92L |
| MJE13001DE1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,8 | TO-92 |
| MJE13001E1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001E2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — / 3 / 0,6 | TO-92L | |
| MJE13001H | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,18 | 150 | — | 5…30 | — | — | TO-92(S) |
| MJE13001P | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…70 | 12 групп A/B/C…/L | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| SBN13001 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0.5 | 150 | — | 10…40 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92 |
| SXW13001 | 9 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| SXW13001 | 10 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 10…40 | — | — | TO-126 |
| XW13001 | 7 | 600 | 400 | — | 0,25 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| Исполнение SMD | |||||||||||
| MJD13001 | 0,3 | 700 | 400 | 8 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 6 групп A/B/C/…/F | — / 2,4 / 0,9 | SOT-23 |
| MJE13001A0 | 0,5 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-23 |
| MJE13001AT | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-89 |
| MJE13001C0 | 0,65 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-23 |
| MJE13001CT | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-89 |
Примечание. Маркировка:
- MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
- MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.
Особенности работы транзистора при разных нагрузках
Нагрузка — это элемент в схеме, к которому подключается выходной каскад транзистора. В зависимости от схемы и цели использования транзистора, нагрузка может быть различной: активная, пассивная, резистивная, индуктивная или емкостная.
При работе транзистора 13007 с активной нагрузкой, например, с мощным динамиком, основным параметром, на который следует обратить внимание, является мощность
Так как активная нагрузка предназначена для преобразования электрической энергии в другую форму, важно учесть, что транзистор должен обеспечивать достаточную мощность для приведения нагрузки в действие
При работе с пассивной нагрузкой, такой как резистор или светодиод, важным является соответствие импедансов. Транзистор 13007 имеет определенное входное и выходное сопротивление, которое должно соответствовать импедансам пассивной нагрузки. В противном случае, возможны искажения сигнала или даже полное отсутствие выходного сигнала
Важно подобрать нагрузку таким образом, чтобы эффективно использовать возможности транзистора
При использовании индуктивной или емкостной нагрузки, особенности работы транзистора связаны с энергетическими характеристиками нагрузки. Индуктивность и емкость могут влиять на переходные процессы. При возникновении паразитных колебаний или дребезга контактов, возможно возникновение ошибочных сигналов или снижение эффективности работы схемы. Здесь важна стабильность работы транзистора и минимальное влияние нагрузки на переходные процессы.
Итак, при выборе и подключении нагрузки к транзистору 13007, следует учитывать особенности работы транзистора при разных нагрузках
Важно обеспечить соответствие параметров транзистора и нагрузки, чтобы достичь максимальной эффективности работы схемы и надежности транзистора
Применение D13007k в электронике
Одним из основных применений D13007k является его использование в схемах усилителей звука. Благодаря высокой мощности и низкому внутреннему сопротивлению, этот транзистор обеспечивает качественное и чистое усиление звуковых сигналов.
Также D13007k широко применяется в схемах стабилизаторов напряжения. Благодаря его высоким токо- и напряженностным характеристикам, он является идеальным элементом для поддержания постоянного напряжения в электрической цепи.
Кроме того, D13007k может использоваться в электронных устройствах, где требуется увеличение или уменьшение амплитуды электрических сигналов, например, в модуляторах, детекторах, инверторах и других.
Данный транзистор также может быть применен в системах автоматизации и управления, где необходимо усиление сигналов для работы с различными устройствами.
В целом, D13007k представляет собой универсальный транзистор, который находит широкое применение в различных областях электроники благодаря своим высоким техническим характеристикам и надежности.
STD13007 Datasheet (PDF)
0.1. std13007.pdf Size:293K _auk
STD13007NPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007 STD13007 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratin
0.2. std13007p.pdf Size:264K _auk
STD13007PNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007P STD13007 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Rat
0.3. std13007f.pdf Size:265K _auk
STD13007FNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C High Collector Voltage : VCBO = 700V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13007F STD13007 TO-220F-3LAbsolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol R
0.4. std13007fc.pdf Size:265K _auk
STD13007FCNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching High Collector Voltage : VCBO = 700V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E STD13007FC STD13007 TO-220F-3SLEAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Sym
Транзистор D13007K
Принцип работы транзистора D13007K основывается на управлении током, который течет в его основной области, путем изменения напряжения между базой и эмиттером. В режиме усиления, малый ток в базе может управлять большим током в эмиттере, что позволяет усиливать электрический сигнал. В режиме коммутации, транзистор может быстро включаться или выключаться, контролируя ток, протекающий через нагрузку.
Основными характеристиками транзистора D13007K являются:
- Максимальное коллекторное напряжение: 700 В.
- Максимальный коллекторный ток: 8 А.
- Максимальная мощность потерь: 75 Вт.
- Коэффициент усиления тока (бета): 5-100.
- Максимальная рабочая температура: +150 °C.
- Корпус: TO-3P.
Транзистор D13007K отличается высокой надежностью, стабильностью работы и широким диапазоном рабочих температур, что обеспечивает его применение в различных электронных устройствах.
Проверка стабилизатора
Сразу возникает уместный вопрос о том, как проверить tl431 мультиметром. Как показывает практика, одним мультиметром проверить не получится. Для проверки tl431 мультиметром следует собрать схему. Для этого понадобятся: три резистора (один из них подстроечный), светодиод или лампочка, источник постоянного тока 5В.
Резистор R3 необходимо подобрать таким образом, чтобы он ограничил ток до 20мА в цепи питания. Его номинал составляет примерно 100Ом. Резисторы R2 и R3 выполняют роль балансира. Как только напряжение будет 2,5 В на управляющем электроде, то переход светодиода откроется, и напряжение пойдет через него. Эта схема хороша тем, что светодиод выполняет роль индикатора.
Источник постоянного тока — 5В является фиксированным, а управлять микросхемой tl431 можно с помощью переменного резистора R2. Когда питание на микросхему не подается, то диод не горит. После того как сопротивление изменяется при помощи подстроечного резистора, светодиод загорается. После этого мультиметр нужно включить в режим измерения постоянного тока и замерить напряжение на управляющем выводе, которое должно составлять 2,5. Если напряжение присутствует и светодиод горит, то элемент можно считать рабочим.
Коэффициент усиления тока
Значение коэффициента усиления тока определяется конструкцией и параметрами транзистора, а также условиями его работы. Обычно для транзистора D13007K коэффициент усиления тока составляет около 10-20. Это означает, что при подаче базового тока 1 мА коллекторный ток может достигать значения от 10 до 20 мА.
Знание значения коэффициента усиления тока позволяет определить, насколько эффективно можно управлять коллекторным током транзистора при помощи базового тока. Чем больше значение коэффициента усиления тока, тем больше усиление и, соответственно, больше контроль над коллекторным током можно осуществить с помощью базового тока.
Напряжение коллектора
Напряжение коллектора (Vce) — это разность потенциалов между коллектором и эмиттером транзистора. Оно определяет режим работы транзистора и может быть переменным или постоянным.
В полевом транзисторе D13007K типа NPN кремниевый устройство. Он специально разработан для работы с высокими значениями напряжения коллектора. Напряжение коллектора данного транзистора может достигать значений до 700 Вольт, что делает его подходящим для использования в мощных электронных устройствах.
Правильное подключение и использование напряжения коллектора является важным аспектом в работе транзистора D13007K. Неправильное или слишком высокое напряжение между коллектором и эмиттером может привести к повреждению или поломке транзистора.
Напряжение коллектора зависит от требований конкретной схемы или приложения, в котором используется транзистор D13007K. При разработке электронных устройств необходимо учитывать допустимые значения напряжения коллектора и подбирать соответствующий источник питания для транзистора.
Важно отметить, что напряжение коллектора необходимо контролировать и обеспечивать его стабильность в рамках допустимых значений. Это позволит гарантировать надежную работу транзистора D13007K и продлить его срок службы
Характеристики транзисторов 13007 13009
Вот основные характеристики и особенности этих транзисторов:
-
Тип: оба транзистора относятся к типу NPN (негативно-позитивно-негативный) транзисторов.
-
Максимальное напряжение коллектора: для транзистора 13007 это 400 В, для транзистора 13009 — 600 В. Это значит, что транзистор 13009 может выдерживать большее напряжение на коллекторе по сравнению с 13007.
-
-
Максимальный коллекторный ток: для транзистора 13007 это 8 А, для транзистора 13009 — 12 А. Транзистор 13009 может выдерживать больший ток на коллекторе по сравнению с 13007.
-
Максимальная мощность рассеяния: для обоих транзисторов это 50 Вт. Это значит, что мощность, которую можно рассеять на транзисторе без перегрева, не должна превышать это значение.
-
Корпус: оба транзистора доступны в корпусе TO-220, который обеспечивает хорошую теплопроводность и удобство монтажа.
Помимо этих основных характеристик, транзисторы 13007 и 13009 также имеют множество других параметров, которые могут быть важны в конкретных приложениях. При выборе транзистора необходимо учитывать требования схемы и задачи, для которых он будет использоваться.
Схема цоколевки и принципы подключения транзистора 13007
Схема цоколевки транзистора 13007 имеет следующий порядок расположения выводов:
| Номер вывода | Наименование |
|---|---|
| 1 | Коллектор |
| 2 | Эмиттер |
| 3 | База |
При подключении транзистора 13007 к схеме необходимо соблюдать следующие принципы:
- Коллектор транзистора должен быть подключен к положительной стороне источника питания схемы.
- Эмиттер транзистора должен быть подключен к нагрузке или к нулю в случае использования транзистора в коммутационном устройстве.
- База транзистора должна быть подключена к управляющему сигналу или к источнику управляющего напряжения через предварительный резистор для защиты транзистора от больших токов.
Правильное подключение транзистора 13007 к схеме обеспечивает надежную и стабильную работу устройства. Неверное подключение может привести к перегреву транзистора и его выходу из строя. Перед подключением рекомендуется ознакомиться с даташитом транзистора и учесть максимально допустимые значения токов и напряжений.
Параметры и Цоколевка
Нумерация контактов на транзисторе:
- База;
- Эмиттер;
- Коллектор.
На корпус нанесены обозначения по которым можно узнать следующую информацию:
- A — место изготовления;
- Y — Год;
- WWW — неделя изготовления;
- G — свинца не содержит.
Перейдем к описанию основных характеристик MJE13007 (все замеры делались при Токр. среды = 25 °С.) :
- Корпус: TO-220;
- Ток коллектора, не более: 8 А;
- Напряжение коллектор-база, не более: 700 В;
- Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V;
- Структура — n-p-n;
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В;
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 60;
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц;
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт.
Российские аналоги MJE13007:
Полную информацию можно узнать в Datasheet выпускаемой производителем для данного транзистора.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Любое оружие, используемое в сражении, заедает в самый неподходящий момент. Следствие дворника: Против лома нет приема. Поправка сценариста: Лом ТОЖЕ заедает. 3-ий закон Робототехники Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13007 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор MJE13007 транзистором BU406D; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; транзистором 2SC2553; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC2335; транзистором ECG2312; транзистором MJE13007A; транзистором MJE13006; транзистором KSC2335; дата записи: 2015-02-04 07:44:50 дата записи: 2017-12-19 09:49:35 Добавить аналог транзистора MJE13007.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13007? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. Semiconductor Pinout Informations E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN TransistorPart Number : E13007-2 Function : NPN Silicon Transistor Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C 1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control 1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY |
Транзистор 13007: особенности и характеристики
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектора | 700 В |
| Максимальный коллекторный ток | 8 А |
| Максимальная мощность | 40 Вт |
| Коэффициент усиления | 60-120 |
| Тип корпуса | TO-220 |
Транзистор 13007 обеспечивает стабильную работу при высоких напряжениях и токах, что позволяет его использование в мощных схемах. Благодаря высокому коэффициенту усиления, он эффективно усиливает слабый входной сигнал. При этом он также может служить как ключ для переключения с большой скоростью.
Тип корпуса TO-220 предоставляет удобное и надежное крепление транзистора на печатной плате. Кроме того, он обладает хорошими теплоотводными свойствами, что позволяет эффективно отведение тепла при высоких нагрузках.
Транзистор 13007 обладает высокой надежностью и долгим сроком службы, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств. Используя его в своих схемах, вы можете быть уверены в стабильной работе и высокой производительности.
Совместимость транзистора F13007d
Рассмотрим некоторые совместимые транзисторы, которые могут заменить F13007d:
- IRF840 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, имеющий сходные характеристики с F13007d. Он широко используется в источниках питания, световых эффектах и других электронных устройствах.
- 2SC2625 — это быстрый транзистор с n-p-n структурой, который также может быть альтернативой для F13007d. Он применяется в усилителях мощности, светодиодных драйверах и других аналогичных устройствах.
- BD249C — это транзистор с p-n-p структурой, который может быть заменен на F13007d в некоторых ситуациях. Он находит применение в аудиоусилителях, переключателях и других электронных устройствах.
- 2N3055 — это выпрямительный и усилительный транзистор, который может быть использован в качестве замены для F13007d. Он применяется в источниках питания, усилителях звука и других электронных устройствах.
При выборе альтернативного транзистора для замены F13007d необходимо учитывать технические параметры и требования вашего конкретного проекта или устройства. Рекомендуется обратиться к спецификациям и документации каждого транзистора, чтобы убедиться в его совместимости и возможности замены.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Аналоги транзистора F13007d
Существует несколько аналогов транзистора F13007d, которые имеют схожие характеристики и могут быть использованы в качестве замены:
- Транзистор FJP13007 — это более дешевая альтернатива F13007d с аналогичными параметрами и возможностями. Он также является надежным и широко доступным компонентом.
- Транзистор HSD13007 — это еще один аналог F13007d, который часто используется в схемах блоков питания и инверторов. Он отличается высокой надежностью и стабильной работой.
- Транзистор BUH515 — это более мощный аналог F13007d с повышенной максимальной токовой нагрузкой. Он может быть использован в схемах, требующих большей мощности.
При замене транзистора F13007d на его аналоги необходимо обратить внимание на то, чтобы их электрические параметры (например, максимальный ток коллектора и коэффициент усиления) соответствовали требованиям схемы, в которой они будут использоваться