Характеристики транзистора irf1404

Что это такое

Полевой транзистор — это радиоэлемент полупроводникового типа. Он используется для усиления электросигнала. В любом цифровом приборе схема с полевым транзистором исполняет роль ключа, который управляет переключением логических элементов прибора. В этом случае использование ПТ является очень выгодным решением проблемы с точки зрения уменьшения размеров устройства и платы. Обусловлено это тем, что цепь управления радиокомпонентами требует не очень большой мощности, а значит, что на одном кристалле могут располагаться тысячи и десятки тысяч транзисторов.

Материалами, из которых делают полупроводниковые элементы и транзисторы в том числе, являются:

• Фосфид индия;
• Нитрид галлия;
• Арсенид галлия;
• Карбид кремния.

Важно! Полевые транзисторы также называют униполярными, так как при протекания через них электротока используется только один вид носителей

Описание Irf614 транзистора

Транзистор Irf614 относится к семейству MOSFET транзисторов и предназначен для работы с высокими токами и напряжениями. Он применяется в различных схемах усилителей мощности, импульсных блоках питания, инверторах и других устройствах.

Основные характеристики транзистора Irf614:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное рабочее напряжение (VDS): 250 В
• Максимальный рабочий ток (ID): 26 A
• Сопротивление канала (RDS(on)): 0.07 Ом
• Мощность (PD): 75 Вт

Tранзистор Irf614 обладает высокой эффективностью, низким сопротивлением канала и хорошей устойчивостью к перегрузкам. Он имеет низкие потери мощности при переключении и хорошую теплопроводность.

Использование транзистора Irf614 позволяет строить эффективные и надежные электронные устройства, обладающие высокой производительностью и стабильной работой в широком диапазоне условий эксплуатации.

Для получения более подробной информации о технических характеристиках и применении транзистора Irf614 рекомендуется ознакомиться с его datasheet.

Транзисторные сборки в одном корпусе

Транзисторные сборки (пара полевых транзисторов в едином корпусе) позволяют уменьшить площадь, занимаемую прибором, сохраняя тот же высокий ток и такое же низкое сопротивление открытого канала, что и у двух дискретных транзисторов в отдельных корпусах. Кроме того, при использовании транзисторных сборок значительно упрощается топология печатной платы, уменьшается паразитная индуктивность печатных трасс и увеличивается эффективность преобразования. Транзисторные сборки можно использовать как в высоковольтных ступенях конвертеров, так и в выходных ключах. Сопротивление открытого канала в таких сборках менее 3 мОм, максимальный ток — до 30 А. Для транзисторных сборок предназначены три типа корпусов: 3×3, 6×3,7 и 6×5 мм.

Компания Vishay Siliconix производит сборки полевых транзисторов с разной конфигурацией:

• два n‑канальных транзистора;
• комплементарная пара транзисторов.

Комплементарная пара транзисторов в едином корпусе

n‑ и p‑канальные транзисторы полностью независимы и имеют отдельные выводы. На рис. 9 показана цоколевка сборки комплементарных транзисторов в стандартном корпусе SO‑8. А в таблице 6 приведены параметры транзисторов комплементарной сборки Si9942DY.

Рис. 9. Транзисторная сборка комплементарной пары силовых полевых транзисторов:
а) вид сверху;
б) n канальный полевой транзистор;

Таблица 6. Параметры транзисторов комплементарной сборки Si9942DY

	VDS, В	RDS(on), Ом	ID, A
n-канальный транзистор	20	0,125 при VGS = 10 В	±3
0,25 при VGS = 4,5 В	±2
p-канальный транзистор	-20	0,2 при VGS = –10 В	±2,5
0,35 при VGS = –4,5 В	±2

Сборка двух n‑канальных полевых транзисторов

Типовой конфигурацией транзисторной сборки двух n‑канальных транзисторов является схема полумоста. Транзисторы рассчитаны на типовое напряжение 30 В. Технология транзисторов — TrenchFET Gen IV.

На рис. 10 показана полумостовая конфигурация n‑канальной транзисторной сборки.

Рис. 10. Полумостовая конфигурация n канальной транзисторной сборки

Семейство PowerPAIR

Семейство PowerPAIR представлено сборками двух мощных n‑канальных полевых транзисторов. Они соединены по схеме полумоста, но имеют ассиметричные параметры. Приборы ориентированы для применения в низковольтных DC/DC суперкомпактных конверторах нового поколения. Несимметричность параметров верхнего и нижнего транзисторов полумоста как раз и обусловлена спецификой применения. Транзисторы пары отличаются быстродействием и сопротивлением открытого канала. Верхний транзистор полумоста имеет более высокое быстродействие, чем нижний. У верхнего транзистора также меньше сопротивление открытого канала. Для этого семейства используются корпуса со следующими размерами: 3×3, 6×3,7 и 6×5 мм. Например, 30‑В транзисторная сборка SiZ300DT семейства PowerPAIR выполнена в форм-факторе 3×3 мм, а SiZ910DT имеет размер 6×5 мм. Прибор SiZ300DT предназначен для DC/DC-конвертеров с рабочим током до 10 A, в то время как SiZ910DT больше подходят для приложений с током свыше 20 A. Площадь корпуса PowerPAIR 3×3 мм примерно в три раза меньше площади корпуса PowerPAIR 6×5 мм.

Три новых прибора в форм-факторе PowerPAIR 6×3,7 мм позволили расширить портфолио приборов этой серии, при этом одновременно произошло увеличение рабочего напряжения с 20 до 30 В.

Новый прибор SiZ728DT — первый в семействе PowerPAIR 6×3,7 мм с рабочим напряжением 25 В. Прибор SiZ790DT в том же форм-факторе имеет встроенный диод Шоттки. SiZ730DT имеет самое низкое сопротивление R_DS(on) среди всего семейства 30‑В PowerPAIR с размерами 6×3,7 мм.

IRF614 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF614

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 8.2(max)
nC

Время нарастания (tr): 7.6
ns

Выходная емкость (Cd): 42
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2
Ohm

Тип корпуса:

IRF614
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  1 irf614 irf615.pdf

 ..2. Size:919K  international rectifier irf614.pdf

PD — 94849IRF614PbF Lead-Free11/25/06Document Number: 91025 www.vishay.com1IRF614PbFDocument Number: 91025 www.vishay.com2IRF614PbFDocument Number: 91025 www.vishay.com3IRF614PbFDocument Number: 91025 www.vishay.com4IRF614PbFDocument Number: 91025 www.vishay.com5IRF614PbFDocument Number: 91025 www.vishay.com6IRF614PbFTO-220AB Package Outline

 ..3. Size:134K  international rectifier irf614pbf.pdf

IRF614, SiHF614Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 4.5Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 ..4. Size:133K  vishay irf614 sihf614.pdf

IRF614, SiHF614Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 4.5Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 0.1. Size:174K  international rectifier irf614s.pdf

 0.2. Size:197K  international rectifier irf614spbf.pdf

IRF614S, SiHF614SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 250 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 1.8 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Sin

 0.3. Size:855K  fairchild semi irf614b.pdf

November 2001IRF614B/IRFS614B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.8A, 250V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 8.1 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.4. Size:945K  samsung irf614a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) : 1.393 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

Другие MOSFET… IRF543
, IRF550A
, IRF610
, IRF610A
, IRF610S
, IRF611
, IRF612
, IRF613
, IRFP260
, IRF614A
, IRF614S
, IRF615
, IRF620
, IRF620A
, IRF620FI
, IRF620S
, IRF621
.

Симисторный ключ

Для гальванической развязки цепей управления и питания лучше
использовать оптопару или специальный симисторный драйвер. Например,
MOC3023M или MOC3052.

Эти оптопары состоят из инфракрасного светодиода и фотосимистора. Этот
фотосимистор можно использовать для управления мощным симисторным
ключом.

В MOC3052 падение напряжения на светодиоде равно 3 В, а ток — 60 мА,
поэтому при подключении к микроконтроллеру, возможно, придётся
использовать дополнительный транзисторный ключ.

Встроенный симистор же рассчитан на напряжение до 600 В и ток до
1 А. Этого достаточно для управления мощными бытовыми приборами через
второй силовой симистор.

Рассмотрим схему управления резистивной нагрузкой (например, лампой
накаливания).

Таким образом, эта оптопара выступает в роли драйвера
симистора.

Существуют и драйверы с детектором нуля — например, MOC3061. Они
переключаются только в начале периода, что снижает помехи в
электросети.

Резисторы R1 и R2 рассчитываются как обычно. Сопротивление же
резистора R3 определяется исходя из пикового напряжения в сети питания
и отпирающего тока силового симистора. Если взять слишком большое —
симистор не откроется, слишком маленькое — ток будет течь
напрасно. Резистор может потребоваться мощный.

Нелишним будет напомнить, что 230 В в электросети (текущий стандарт для
России, Украины и многих других стран) — это значение
действующего напряжения. Пиковое напряжение равно \(\sqrt2 \cdot 230 \approx
325\,\textrm{В}\).

Как паять полевые транзисторы правильно и безопасно: 5 советов

Рекомендую новичкам на этот вопрос обратить самое пристальное внимание. Тогда разочарования от проделанной работы у вас не возникнет

Где спрятана засада или чем опасна статика для электроники

В повседневной жизни статическое электричество мы ощущаем редко, например, при расчесывании волос пластиковой расческой, выходе из автомобиля после поездки или в некоторых других случаях.

Обычно статика доставляет нашему организму небольшие неприятности, которые просто раздражают. Но с полупроводниками дела обстоят иначе.

У МОП транзисторов очень тонкий слой изоляции между затвором и материалом канала. Он образует емкостную связь затвор-исток, затвор-сток. Причем сам диэлектрик создает этот эффект, работая как емкость.

Мы знаем, что любой конденсатор выпускается для работы под определенным напряжением. Если его превысить, то происходит пробой изоляции. Для повреждения оксидной пленки полевика обычно достаточно десятка вольт, а иногда и меньше.

Теперь показываю фотографиями какие опасности мы можем создать своими руками для транзисторов, если не будем соблюдать правила их пайки.

Я взял свой любимый трансформаторный паяльник Момент, включил его шнур питания в розетку, но кнопку включения не нажимал. Один конец провода мультиметра через крокодил посадил на жало, а второй — просто прислонил к пальцу. Установил режим вольтметра переменного тока.

Прибор показывает 28 вольт. Вот такие наводки создаются даже при обесточенном трансформаторе.

Продолжаю эксперимент. Черный щуп оставил на прежнем месте, а красный прислонил к диэлектрической поверхности табуретки, где размещены все приборы.

Почти 6,4 вольта. Когда отделил красный щуп воздушным пространством — показание стало вообще 8 вольт.

А ведь это совершенно случайные замеры, результаты которых зависят от множества факторов, что значит: напряжение может быть значительно больше или меньше.

Чтобы этого не допустить важно соблюдать обязательные рекомендации

Совет №1: шунтирование выводов

Исключить повреждение полупроводниковых переходов при хранении и работе можно содержанием микросхем, транзисторов, изделий интегральной электроники в слое фольги.

Аналогичный результат, в частности, получается, если обмотать контакты их выводов тонкой медной проволочкой без изоляции.

Совет №2: снятие статики с работающего оборудования

Работать лучше всего профессиональной паяльной станцией с заземленным наконечником. Если ее нет, то заземлите отдельными проводниками жало паяльника и монтажную плату. Выводы транзистора зашунтируйте тонкой проволочкой, которая будет снята после пайки.

Снять опасный потенциал статики с пинцета и инструмента, которым будете работать, позволяет заземляющий браслет на руке или иной части тела. Его сопротивление в 1 МОм исключает возможность опасного статического разряда.

Совет №3: подготовка рабочего места

Сухой воздух северных широт, особенно зимой, способствует накоплению статики на окружающих предметах. Увлажнители и мойки воздуха успешно борются с этим явлением.

Антистатический коврик сразу надежно снимает статические потенциалы, воздействия электрических помех из окружающей среды.

Совет№4: профессиональные смеси

Специальный флюс марки FluxOff не только отлично смывает канифоль и следы от коррозии, но реально убирает статику. Им достаточно просто смочить плату.

Совет №5: быстрая пайка

Выбирайте минимально необходимую мощность паяльника, но работайте им быстро. Опытные ремонтники умудряются разогреть жало, взять им припой, обесточить паяльник и затем припаять деталь на место.

Часть современных микросхем и транзисторов имеет защиту от статики, но это не отменяет необходимости соблюдать правила безопасной пайки со всеми остальными изделиями.

Аналоги

Маркировка	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Корпус
IRF840	125 W	500 V	20 V	4 V	8 A	150 °C	63 nC		1500 pf	0,85 Ohm	TO220
IRF840A	125 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	38 nC		1018 pf	0,85 Ohm	TO220
IRF840B	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	41 nC	65 ns	145 pf	0,8 Ohm	TO‑220
IRF840PBF	125 W	500 V	20 V	4 V	8 A	150 °C	63 nC	23 ns	310 pf	0,85 Ohm	TO‑220AB
IRF840APBF	125 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	38 nC	23 ns	155 pf	0,85 Ohm	TO‑220AB
2SK1574	125 W	500 V	30 V		8 A	150 °C				0,85 Ohm	TO220AB
2SK2866	125 W	600 V	30 V	4 V	10 A	150 °C	45 nC	22 ns	630 pf	0,75 Ohm	TO220AB
8N50	125 W	500 V	30 V		8 A	150 °C		38 ns	115 pf	0,77 Ohm	TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F2
9N65	167 W	650 V	30 V		9 A	150 °C		20 ns	177 pf	0,85 Ohm	TO‑220 TO‑220F
10N50	143 W	500 V	30 V		10 A	150 °C		80 ns	177 pf	0,54 Ohm	TO‑220 TO‑220F1
10N60	156 W	600 V	30 V		10 A	150 °C		69 ns	166 pf	0,72 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑262 TO‑263
10N60A	156 W	600 V	30 V	4 V	10 A	150 °C	44 nC	69 ns	166 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
10N65	178 W	650 V	30 V		10 A	150 °C		69 ns	166 pf	0,72 Ohm	TO‑263 TO‑220 TO‑262 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2
10N65A	156 W	650 V	30 V		10 A	150 °C		26,2 ns	146,5 pf	0,85 Ohm	TO220
12N50	195 W	500 V	30 V		12 A	150 °C		54 ns	198 pf	0,42 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑263
12N60	225 W	600 V	30 V		12 A	150 °C		115 ns	200 pf	0,6 Ohm	TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F TO‑262
12N65	140 W	650 V	30 V	4 V	12 A	150 °C	58 nC	28 ns	195 pf	0,7 Ohm	TO220AB
12N80	390 W	800 V	30 V		12 A	150 °C		12 ns	315 pf	0,75 Ohm	TO‑3P TO‑247 TO‑230 TO‑220F2
13N50	168 W	500 V	30 V		13 A	150 °C		140 ns	245 pf	0,42 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1
15N50	170 W	500 V	30 V		15 A	150 °C		150 ns	250 pf	0,26 Ohm	TO‑220F2
15N60	312 W	600 V	30 V		15 A	150 °C		200 ns	270 pf	0,5 Ohm	TO‑247 TO‑3P TO‑220F1
15N65	312 W	650 V	30 V		15 A	150 °C		125 ns	295 pf	0,5 Ohm	TO‑247 TO‑220F TO‑220F2
18N50	277 W	500 V	30 V		18 A	150 °C		165 ns	330 pf	0,24 Ohm	TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
AOT11S60	178 W	600 V	30 V		11 A	150 °C		20 ns	37,3 pf	0,399 Ohm	TO‑220
BUZ91	150 W	600 V	20 V	4 V	8,5 A	150 °C		70 ns	180 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
BUZ91A	150 W	600 V	20 V	4 V	8 A	150 °C		70 ns	180 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
CS840	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C		75 ns	150 pf	0,85 Ohm	TO‑220
FMP20N60S1	150 W	600 V	30 V	3,5 V	20 A	150 °C	48 nC	40 ns	3120 pf	0,19 Ohm	TO‑220
FQP12N60C	225 W	600 V	30 V	4 V	12 A	150 °C	48 nC			0,65 Ohm	TO220
FQP13N50C	195 W	500 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	56 nC			0,48 Ohm	TO220
FQPF13N50C	195 W	500 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	56 nC			0,48 Ohm	TO220F
FTP14N50C	188 W	500 V	30 V	4 V	14 A	150 °C	41 nC	30 ns	180 pf	0,46 Ohm	TO220
IPP60R190C6	151 W	600 V	20 V	3,5 V	20,2 A	150 °C	63 nC	11 ns	85 pf	0,19 Ohm	TO220
IRFB11N50A	170 W	500 V	10 V	4 V	11 A	150 °C	52 nC			0,52 Ohm	TO220AB
IRFB9N60A	170 W	600 V	10 V	4 V	9,2 A	150 °C	49 nC			0,75 Ohm	TO220AB
NCE65T130	260 W	650 V	30 V	4 V	28 A	150 °C	37,5 nC	12 ns	120 pf	0,13 Ohm	TO220
SPP11N60C3	125 W	600 V	20 V	3,9 V	11 A	150 °C	45 nC	5 ns	390 pf	0,38 Ohm	TO220
STP14NM65N	125 W	650 V	25 V	4 V	12 A	150 °C	45 nC	13 ns	90 pf	0,38 Ohm	TO220
STP26NM60N	140 W	600 V	25 V	4 V	20 A	150 °C	60 nC	25 ns	115 pf	0,165 Ohm	TO220
WFP840	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	59 nC	22 ns	145 pf	0,8 Ohm	TO‑220

В качестве отечественного аналога могут подойти транзисторы КП777А, КП840.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

IRF614 Datasheet PDF — Intersil Corporation

Part Number	IRF614
Description	2.0A/ 250V/ 2.0 Ohm/ N-Channel Power MOSFET
Manufacturers	Intersil Corporation
Logo
There is a preview and IRF614 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 7 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! January 1998 Features • 2.0A, 250V • rDS(ON) = 2.0Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature — TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards” Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND IRF614 TO-220AB IRF614 NOTE: When ordering, use the entire part number. IRF614 2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET Description This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor. It is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of opera- tion. This power MOSFET is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA17443. Symbol D G S Packaging JEDEC TO-220AB SOURCE DRAIN GATE DRAIN (FLANGE) CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures. http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright Intersil Corporation 1999 1 File Number 3273.1

IRF614 Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued) 10 3.0 VGS = 10V, ID = 2.5A 8 2.4 6 1.8 VGS = 10V 4 1.2 VGS = 20V 2 0.6 0 2 4 6 8 10 ID, DRAIN CURRENT (A) NOTE: Heating effect of 2.0µs pulse is minimal. FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE VOLTAGE AND DRAIN CURRENT 0.2 -40 0 40 80 120 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE 160 1.25 ID = 250mA 1.15 1.05 0.95 0.85 0.75 -40 0 40 80 120 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) 160 FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE 500 VGS = 0V, f = 1MHz CISS = CGS + CGD 400 CRSS = CGD COSS = CDS + CGD 300 CISS 200 COSS 100 CRSS 1 10 100 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE 2.0 VDS = 2 x VGS MAX, PULSE TEST = 80µs 1.6 TJ = 25oC 1.2 TJ = 150oC 0.8 0.4 0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0 ID, DRAIN CURRENT (A) FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT 10 1 0.1 TJ = 150oC TJ = 25oC 10-2 0.4 0.8 1.2 1.6 VSD, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V) 2.0 FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE 5 Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRF614 electronic component.

Information	Total 7 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

IRF614 Schematic ( PDF Datasheet ) — Vishay

Teilenummer	IRF614
Beschreibung	Power MOSFET ( Transistor )
Hersteller	Vishay
Logo
Gesamt 9 Seiten Power MOSFET IRF614, SiHF614 Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 250 VGS = 10 V 8.2 1.8 4.5 Single 2.0 TO-220AB D S D G G S N-Channel MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Available RoHS* COMPLIANT DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry. ORDERING INFORMATION Package Lead (Pb)-free SnPb TO-220AB IRF614PbF SiHF614-E3 IRF614 SiHF614 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Continuous Drain Current Pulsed Drain Currenta Linear Derating Factor VGS at 10 V TC = 25 °C TC = 100 °C ID IDM Single Pulse Avalanche Energyb Repetitive Avalanche Currenta Repetitive Avalanche Energya EAS IAR EAR Maximum Power Dissipation Peak Diode Recovery dV/dtc TC = 25 °C PD dV/dt Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg Soldering Recommendations (Peak Temperature) for 10 s Mounting Torque 6-32 or M3 screw Notes a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11). b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 13 mH, Rg = 25 , IAS = 2.7 A (see fig. 12). c. ISD  2.7 A, dI/dt  65 A/μs, VDD  VDS, TJ  150 °C. d. 1.6 mm from case. LIMIT 250 ± 20 2.7 1.7 8.0 0.29 61 2.7 3.6 36 4.8 — 55 to + 150 300d 10 1.1 UNIT V A W/°C mJ A mJ W V/ns °C lbf · in N·m * Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply Document Number: 91025 S11-0510-Rev. B, 21-Mar-11 www.vishay.com 1 This datasheet is subject to change without notice. THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 IRF614, SiHF614 Vishay Siliconix VDS Vary tp to obtain required IAS RG 10 V tp L D.U.T IAS 0.01 Ω + — VDD A Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit VDS VDS tp VDD IAS Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms 140 ID 120 Top 1.2 A 1.7 A 100 Bottom 2.7 A 80 60 40 20 VDD = 50 V 25 50 75 100 125 150 91025_12c Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig. 12c — Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current 10 V QGS VG QG QGD Charge Fig. 13a — Basic Gate Charge Waveform Current regulator Same type as D.U.T. 12 V 50 kΩ 0.2 µF 0.3 µF + D.U.T. — VDS VGS 3 mA IG ID Current sampling resistors Fig. 13b — Gate Charge Test Circuit www.vishay.com 6 Document Number: 91025 S11-0510-Rev. B, 21-Mar-11 This datasheet is subject to change without notice. THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 6 Page
Seiten	Gesamt 9 Seiten
PDF Download

Besondere Datenblatt

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller
IRF610	N-Channel Mosfet Transistor	Inchange Semiconductor
IRF610	3.3A/ 200V/ 1.500 Ohm/ N-Channel Power MOSFET	Intersil Corporation
IRF610	N-Channel Power MOSFETs/ 3.5A/ 150-200V	Fairchild Semiconductor
IRF610	Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	New Jersey Semiconductor
IRF610	Power MOSFET ( Transistor )	Vishay

Teilenummer	Beschreibung	Hersteller
CD40175BC	Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.	Fairchild Semiconductor
KTD1146	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.	KEC

www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche

Драйвер полевого транзистора

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору
между стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовую
микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор
сверху.

Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч (например,
IR2151) для построения двухтактной схемы, но для простого включения
нагрузки это не требуется. Это нужно, если нагрузку нельзя оставлять
«висеть в воздухе», а требуется обязательно подтягивать к земле.

Рассмотрим схему драйвера верхнего плеча на примере IR2117.

Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее
эффективно использовать транзистор.

Datasheet для Irf614 транзистора

Ниже приведены основные технические характеристики транзистора Irf614:

• Тип: P-канальный MOSFET
• Напряжение стока-истока (Vds): 200 В
• Напряжение затвора-истока (Vgs): ± 20 В
• Напряжение затвора-истока (Vgs(th)): 2-4 В
• Ток стока (Id): 0,270 А
• Сопротивление открытого стока-истока (Rds(on)): 0,500 Ом
• Мощность: 43 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-220

Irf614 транзистор предназначен для использования в различных электронных схемах, где требуется коммутация или усиление сигналов. Он обладает низким сопротивлением и низким уровнем шума, что делает его хорошим выбором для многих приложений.

Датасheet для Irf614 транзистора можно найти на официальных сайтах производителя электронных компонентов или на специализированных платформах, где предоставляется информация о различных электронных компонентах.

При использовании транзистора Irf614 необходимо учитывать его технические характеристики и следовать рекомендациям, указанным в датасheet, чтобы достичь оптимальной производительности и надежной работы в конкретном приложении.