2sc2235 pdf даташит

Транзистор 2sc2625: характеристики, цоколевка, аналоги

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.

Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.

Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Кривые сняты при температуре корпуса транзистора TC = 25°C и при соотношениях: IC = 5IB1, IB1 = -IB2 (см. схему измерений временных характеритсик).

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.

Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

2SC2078 Datasheet (PDF)

..1. 2sc2078.pdf Size:111K _sanyo

Ordering number:EN462ENPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC207827MHz RF Power Amplifier ApplicationsPackage Dimensionsunit:mm2010C1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 80 VCollector-to-Emitter Voltage VCE

..2. 2sc2078.pdf Size:239K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2078 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- :VCER= 75V(Min) ;RBE=150 Collector Current- :IC=3A APPLICATIONS 27MHz RF Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 80 V VCER Collector-Emitter Voltage RBE=15

8.1. 2sc2073a.pdf Size:154K _toshiba

8.2. 2sc2075.pdf Size:152K _toshiba

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.3. 2sc2076.pdf Size:57K _no

8.4. 2sc2073.pdf Size:218K _lge

2SC2073(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Wide safe Operating Area. Complementary to 2SA940 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Paramenter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC C

 8.5. st2sc2073u.pdf Size:632K _semtech

ST 2SC2073U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor General purpose amplifier and high voltage application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 160 V Collector Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 1 APeak Collector Current (Single pulse, tp = 300 s) ICP 2 A0.5 Ptot W To

8.6. 2sc2073 3da2073.pdf Size:215K _foshan

2SC2073(3DA2073) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. :, 2SA940(3CA940) Features: Wide Safe Operating Area, complementary to 2SA940(3CA940). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

8.7. 2sc2073a 3da2073a.pdf Size:221K _foshan

2SC2073A(3DA2073A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. :, 2SA940A(3CA940A) Features: Wide Safe Operating Area, complementary to 2SA940A(3CA940A). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

8.8. 2sc2073.pdf Size:192K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2073DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SA940Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

8.9. 2sc2075.pdf Size:192K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2075DESCRIPTIONHigh transition frequencyWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS27MHz Power Amplifier ApplicationsRecommended for output stage applicationof AM 4W transmitterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collect

Другие транзисторы… 2SC2068
, 2SC2069
, 2SC207
, 2SC2070
, 2SC2071
, 2SC2073
, 2SC2075
, 2SC2076
, A733
, 2SC2078B
, 2SC2078C
, 2SC2078D
, 2SC2078E
, 2SC2079
, 2SC208
, 2SC2080
, 2SC2081
.

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

  • Тип проводимости транзистора NPN;
  • Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
  • Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
  • Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
  • Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
  • Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
  • Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >

Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

  • Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
  • Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
  • Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
  • Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC TJ hFE UCE(sat) ton / ts / tf Корпус
2SC2625 80 450 400 7 10 150 ≥ 10 1,2 1,0 / 2,5 / 1,0 TO-3P
КТ834А 100 500 400 8 15 150 150 1,5 — / — / 0,6 ТО-3
КТ840А 60 900 400 5 6 150 10 — 100 0,6 0,2 / 3,5 / 0,6 ТО-3
КТ840Б 750 350
КТ840В 860 375
КТ847 125 650 650 8 15 200 8 — 25 1,5 — / 3,0 / 1,5 ТО-3
2Т856А 125 950 5 10 10 — 60 1,5 — / — / 0,5
2Т856Б 750
2Т856В 550
2Т856Г 850
КТ862В 50 600 350 5 10 150 12 — 50 1,5 0,5 / 2,0 / 0,5
КТ862Г 400
2Т862В 50 600 350 5 10 150 12 — 50 1,5 0,5 / 2,0 / 0,5
2Т862Г 400
КТ872А 100 700 6 8 150 6 1 — / 6,7 / 0,8 ТО-218
КТ872В 600
КТ878А 100 900 6 25 150 12 — 50 1,5 — / 3,0 / — ТО-3
КТ878В 600
КТ890А/Б/В 120 350 350 5 20 150 300 1,6 ТО-218

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC TJ hFE RƟJC UCE(sat) ton / ts / tf Корпус
2SC2625 80 450 400 7 10 150 > 10 1,56 1,2 1,0 / 2,5 / 1,0 TO-3P
2SC2626 80 450 300 7 15 150 > 10 1,55 1,2 0,8 / 2,0 / 0,8 TO-218
2SC3318 80 500 400 7 10 150 > 45 1,55 1 0,5 / 1,5 / 0,15 TO-218
2SC3320 80 500 400 7 15 150 > 30 1 0,5 / 1,5 / 0,15 TO-218
2SC3847 85 1200 800 7 10 150 > 100 1,5 0,5 / 3,5 / 0,3 TO-218
2SC4138 80 500 400 10 10 150 > 45 0,5 1,0 / 3,0 / 0,5 TO-218
2SC4275 80 500 400 10 10 150 > 120 1,56 0,8 1,0 / 2,5 / 0,5 TO-218
2SC4276 80 500 400 10 15 150 > 30 1,56 0,8 1,0 / 2,5 / 0,5 TO-218
2SC4298 80 500 400 10 15 150 > 55 1,3 1,0 / 3,0 / 0,5 TO-218
2SC4509 80 500 400 10 10 150 > 10 1,56 0,8 1,0 / 2,5 / 0,5 TO-3PML
2SC4510 80 500 400 10 15 150 > 25 1,56 0,8 1,0 / 2,5 / 0,5 TO-3PML
2SC4557 80 900 550 7 10 150 > 10 0,5 1,0 / 5,0 / 0,5 TO-3PML
2SC5024R/O/Y 90 800 500 7 10 150 15 — 35 1 0,5 / 3,0 / 0,3 TO-218
2SC5352 80 600 400 7 10 150 > 20 1 0,5 / 2,0 / 0,3 TO-3PN
2SC5924 90 900 600 14 > 10 — / — / — TO-3PF
KSC5024R/O/Y 90 800 500 7 10 150 15 — 35 1 1,0 / 2,5 / 0,5 TO-3P
MJE13009K/P 80 700 400 9 12 150 > 40 1,55 1,5 1,0 / 3,0 / 0,7 TO-3P TO-220
MJE13011 80 450 400 7 10 150 > 10 1,5 1,0 / 2,0 / 1,0 TO-220/F TO-3P
T25 80 450 400 7 10 > 30 — / — / — TO-3PN
TT2148 80 500 400 7 12 150 > 20 0,8 0,5 / 2,5 / 0,3 TO-3PB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: