C3198y транзистор характеристики: транзистор c3198: характеристики, datasheet и аналоги

BC547C Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, BC547B
, BC547BP
, BC107
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
, BC548C
, BC548CP
.

Основные параметры транзистора c3198

Основные параметры транзистора c3198 включают следующие характеристики:

Ток коллектора: Максимальное значение тока, которое может протекать через коллектор транзистора. В случае c3198 этот параметр составляет до 1.5 Ампер.

Напряжение коллектор-эмиттер: Максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора. Для c3198 это значение составляет до 50 Вольт.

Коэффициент усиления по току: Отношение изменения выходного тока к изменению входного тока. Для транзистора c3198 этот параметр оценивается в диапазоне от 70 до 700.

Максимальная мощность: Максимальное значение мощности, которое транзистор может выдерживать без перегрева. В случае c3198 этот параметр составляет до 0.8 Ватт.

Эти параметры играют ключевую роль при проектировании и выборе транзистора c3198 для конкретной схемы. Они позволяют определить его работоспособность в различных условиях эксплуатации и обеспечить стабильную работу всей электронной системы.

Биполярный транзистор BC547C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

Самые эффективные аналоги

При замене транзистора C3198 можно использовать следующие эффективные аналоги:

2SC3198 — это японский транзистор, который является прямым заменителем C3198. Он имеет аналогичные характеристики и может использоваться в тех же электронных схемах. 2SC3198 обеспечивает надежную работу и хорошую производительность.

BC327 — это кремниевый PNP-транзистор, который также может быть использован в качестве аналога C3198. BC327 обладает высоким коэффициентом усиления тока и высокой надежностью. Он подходит для широкого спектра приложений, включая усилительные схемы и источники питания.

2N3906 — это PNP-транзистор общего назначения, который может быть альтернативой C3198. 2N3906 обладает высоким коэффициентом усиления и хорошей коммутационной способностью. Он широко используется в усилителях мощности и других электронных устройствах.

Примечание: перед заменой транзистора C3198 на аналог, необходимо убедиться, что его характеристики соответствуют требованиям вашей схемы или устройства.

Подготовка к замене C3198 транзистора

Перед тем как приступить к замене транзистора C3198, необходимо подготовиться правильно, чтобы избежать возможных проблем и повреждений.

Вот несколько важных шагов, которые следует выполнить перед заменой:

1. Отключите питание: перед началом работы с электронными компонентами, убедитесь, что все источники питания отключены. Это предотвратит возможные короткое замыкание и повреждение других компонентов.

2. Определите местоположение: найдите C3198 транзистор на плате. Он обычно помечается с помощью обозначений или номеров. Убедитесь, что вы правильно определили его положение, чтобы избежать замены неправильного компонента.

3. Соберите необходимые инструменты: прежде чем начать замену, убедитесь, что у вас есть все необходимые инструменты. Обычно для замены транзистора потребуется паяльник, пинцет, паяльная паста и паяльная лента. Проверьте, что все инструменты находятся в исправном состоянии.

4. Подготовьтесь к размещению: прежде чем приступить к замене, проверьте, что у вас есть запасной C3198 транзистор. Убедитесь, что новый транзистор совместим по параметрам с заменяемым, чтобы избежать дальнейших проблем.

После выполнения всех этих шагов вы будете готовы к замене C3198 транзистора

Следуйте осторожно и аккуратно, чтобы избежать повреждений платы или других компонентов

Подробное описание транзистора c3198

Данный транзистор имеет следующие основные параметры:

Тип транзистора	NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)	50 В
Максимальный коллекторный ток (Ic)	150 мА
Максимальная мощность (Pd)	400 мВт
Коэффициент усиления по току (hFE)	от 60 до 400
Максимальная рабочая температура	150°C

Транзистор c3198 применяется в различных электронных устройствах, таких как усилители, стабилизаторы напряжения, источники питания и другие. Он отличается надежностью и стабильностью работы.

Схема соединения транзистора c3198 представлена на рисунке:

INSERT C3198 СХЕМА СОЕДИНЕНИЯ

Временные параметры транзистора С3198

Время задержки (t_delay) — это время, которое требуется транзистору для переключения с одного состояния на другое при изменении управляющего сигнала. Этот параметр определяет скорость переключения, и его значение указывает на время реакции транзистора на входной сигнал.

Время нарастания (t_rise) представляет собой время, которое требуется транзистору для перехода от низкого уровня выходного сигнала к высокому уровню при изменении управляющего сигнала. Данный параметр характеризует скорость нарастания выходного сигнала и позволяет оценить производительность транзистора в работе с высокочастотными сигналами.

Время спада (t_fall) — это время, которое требуется транзистору для перехода от высокого уровня выходного сигнала к низкому уровню при изменении управляющего сигнала. Этот параметр также описывает скорость переключения и указывает на производительность транзистора при работе с высокочастотными сигналами.

Для определения временных параметров транзистора С3198 необходимо обратить внимание на спецификации, предоставленные в даташите производителя

Важно выбирать транзисторы, которые обладают оптимальными временными характеристиками в соответствии с требованиями вашего проекта

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	V_CEO, В	I_C, мA	P_C, мВт	h_FE	f_T, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	— (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	— (экб)

Примечания:

У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Как выбрать подходящий аналог транзистора C3198?

При выборе аналога транзистора C3198 следует обратить внимание на следующие характеристики:

Тип транзистора: Убедитесь, что выбранный аналог имеет тот же тип транзистора, то есть PNP.
Максимальное значение коллекторного тока (IC): Удостоверьтесь, что выбранный аналог обладает таким же или большим значением IC, чтобы обеспечить надлежащую работу вашего устройства.
Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (VCE): Убедитесь, что выбранный аналог имеет такое же или большее значение VCE, чтобы избежать сбоев при работе.
Тип корпуса: Проверьте, что выбранный аналог имеет корпус, совместимый с вашим устройством, чтобы легко установить его на плату.

Некоторые из популярных аналогов транзистора C3198 включают в себя 2SC3198, A733 и KSC3198. Однако, перед выбором аналога всегда рекомендуется обратиться к документации вашего устройства или посоветоваться с профессионалами, чтобы гарантировать, что выбранный аналог наиболее подходит для вашего конкретного случая.

Важно помнить, что при замене транзистора необходимо убедиться, что все соединения и параметры соответствуют требованиям вашего устройства. При несоответствии могут возникнуть проблемы с работой устройства или его поломка

Данные рекомендации помогут вам выбрать подходящий аналог для замены транзистора C3198 в вашем устройстве. Однако, мы рекомендуем обращаться за консультацией к специалистам или производителю устройства, чтобы получить дополнительную информацию и обеспечить правильную работу вашего устройства.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Температура, °С
		КТ361Е	КТ361Ж	КТ361И	КТ361К	КТ361Л	КТ361М	КТ361Н	КТ361П
не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Обратный ток коллектора (U_КБ=10 В), мкА	I_КБО		1		1		1		1		0,1		0,05		0,1		0,05	25; -60
	25		25		25		25		2,5		5		2,5		5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (I_Э=1 мА, U_КБ=10 В)	h_21Э	50	350	50	350	250	–	50	350	50	350	70	160	20	90	100	350	25
50	500	50	700	250	–	50	700	50	500	70	300	20	150	100	500	100
15	350	25	350	100	–	25	350	15	350	30	160	10	90	15	350	-60
Обратный ток коллектор-эмиттер (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=25 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=20 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=40 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=35 В), мА	I_КЭR		1		1		1		1		0,01		0,01		0,05		0,01	25
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U_КБ = 10 В, I_Э= 5 мА, f = 100 МГц)	\|h_21Э\|	2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		1,5		3		25
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (I_Э= 5 мА, U_КБ=10 В, f=5 МГц), пс	τ_к		800		800		800		400		400		400		150		500	25

Рисунок 3 – Типовые выходные характеристики транзисторовКТ361А, КТ361В, КТ361Д, КТ361А1, КТ361Д1, КТ361Н

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов КТ361Б, КТ361Г,КТ361Г1, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361Л, КТ361М, КТ361П

Рисунок 5 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ361

Рисунок 6 – Зависимость обратного тока коллектора транзисторов КТ361от температуры окружающей среды с границами 95% разброса

Рисунок 7 – Зависимость напряжения между коллектором и эмиттером транзисторовКТ361, в режиме насыщения от температуры окружающей среды с 95% разбросом

Рисунок 8 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361А, КТ361В, КТ361Д,КТ361Д1, КТ361А1, КТ361Н и КТ361М

Рисунок 9 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361Б, КТ361Е, КТ361Ж,КТ361И, КТ361К, КТ361Л и КТ361Г

Рисунок 10 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами 95% разброса

Рисунок 11 – Зависимость минимальной наработки от режимаэксплуатации при токе коллектора 12 мА

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

λ ≤ 2∙10-8∙(J_p∙500000)/(12∙t_н)

где J_p – рабочий ток коллектора, мА;t_н – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Рисунок 12 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами разброса 95%

Рисунок 13 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте отнапряжения на коллекторе транзистора КТ361 с 95% разбросом

Рисунок 14 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором иэмиттером транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Рисунок 15 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором ибазой транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Особенности аналогов C3198 транзистора

При замене C3198 транзистора на аналоги необходимо учитывать несколько важных особенностей

Во-первых, нужно обратить внимание на значения его ключевых параметров, таких как максимальное рабочее напряжение и максимальный ток коллектора. Во-вторых, необходимо проверить, совпадают ли типы корпусов, так как физические размеры и конфигурация выводов могут быть различными

В-третьих, стоит учесть коэффициент усиления транзистора (hfe) и его шумовые параметры, так как они могут влиять на характеристики схемы, в которую он будет включен.

Аналог	Максимальное рабочее напряжение	Максимальный ток коллектора	Тип корпуса	Коэффициент усиления (hfe)	Шумовые параметры
A1013	−50 В	−0,5 А	TO-92	40-400	Низкий
A733	−50 В	−1 А	TO-92	25-425	Умеренный
KTC3198	−50 В	−0,15 А	TO-92	80-800	Высокий

Приведенные аналоги имеют схожие характеристики с C3198, но имеют некоторые отличия. Например, транзистор A1013 обладает высоким коэффициентом усиления, а KTC3198 является отличным выбором, если требуется работать с небольшим током коллектора. Однако, перед заменой C3198 транзистора на аналоги, всегда рекомендуется проконсультироваться с производителем или технической поддержкой, чтобы убедиться, что выбранный аналог подходит для конкретного применения и условий эксплуатации.

Биполярный транзистор BC547B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

C5198 transistor characteristics

output characteristics of the C5198 transistor

The figure shows the output characteristics of the C5198 transistor, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.

In a varying base current, the collector current increases at a different level with respect to the collector to emitter voltages.

At the higher base current value, the collector current increases quickly with small variations at voltages.

DC current gain characteristics of the C5198 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the C5198 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.

At a fixed collector to emitter voltage, the gain value of the transistor increases from a fixed value.

Инструменты и материалы для замены C3198 транзистора

Для замены транзистора C3198 вам понадобятся следующие инструменты и материалы:

1. Паяльная станция: вам понадобится паяльник с регулируемой температурой и паяльная станция для эффективной замены транзистора.

2. Олово и флюс: необходимо иметь качественное олово с низким содержанием свинца и флюс для облегчения пайки.

3. Паяльная медная оплетка: данная оплетка поможет удалить старую пайку и подготовить поверхность для установки нового транзистора.

Новый транзистор C3198: подобрать транзистор с такими же техническими характеристиками, как и заменяемый, и обратить внимание на его надежность и качество

5. Пинцет и отвертки: пинцет поможет вам удерживать и манипулировать мелкими деталями, а отвертки понадобятся для откручивания и закручивания крепежных элементов.

6. Мультиметр: понадобится для проверки электрических параметров транзистора до и после замены.

7. Инструкции: имейте под рукой руководство для замены C3198 транзистора, чтобы быть уверенным в правильной последовательности действий.

Не забывайте соблюдать меры предосторожности при работе с электронными компонентами и следуйте указаниям производителя

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение	Параметр	Значение
V_CBO	Напряжение коллектор-база, В	BC546	80
(U_{CB max})	BC547/550	50
BC548/549	30
V_CEO	Напряжение коллектор-эмиттер, В	BC546	65
(U_{CE max})	BC547/550	45
BC548/549	30
V_EBO (U_{EB max})	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	BC546/547	6
BC548-550	5
I_C(I_Cmax)	Ток коллектора, А	0,1
P_C (P_{C max})	Рассеиваемая мощность, Вт	0,5
T_j(t_jmax)	Температура кристалла, °С	150
T_stg	Температура хранения, °С	-65…+150

C5198 vs C5200 vs 2SC2581

In the table, we listed the electrical specification comparison of C5198 vs C5200 vs 2SC2581, this is helpful for a better understanding and also for the replacement process.

Characteristics	C5198	C5200	2SC2581
Collector to base voltage (VCB)	140V	230V	200V
Collector to emitter voltage (VCE)	140V	230V	140V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	5V	6V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	0.3 to 2V	0.4 to 3V	2V
Collector current (IC)	10A	15A	10A
Power dissipation (PD)	100W	150W	100W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	30MHZ	30MHZ	20MHZ
Gain (hFE)	35 to 160hFE	35 to 160hFE	30hFE
Package	TO-3P	TO-264	TO-3P

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (I_B) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (I_C). Напряжение между базой и эмиттером (V_BE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (I_C).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать I_C до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (V_BE) может составлять около 200 мВ,а V_BE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а V_BE будет составлять около 650 мВ.

Варианты замены C3198 транзистора

1. 2SC3198: данный транзистор является полным аналогом C3198 и имеет аналогичные электрические характеристики. Он может быть использован без каких-либо изменений в схеме.

2. 2N5551: этот транзистор также является хорошим аналогом C3198. Он обладает высоким коэффициентом усиления и может успешно заменить C3198 в различных приложениях.

3. MPSA42: данный транзистор обладает высоким коэффициентом усиления и низкими шумами. Он может способствовать улучшению производительности схемы при замене C3198.

4. BC557: этот экземпляр также является аналогом C3198 и имеет схожие электрические характеристики. Он может быть использован в приложениях, где требуется низкий уровень шума и стабильность.

5. 2N3906: данный транзистор обладает высоким коэффициентом усиления и может быть успешно использован вместо C3198.

Все перечисленные транзисторы считаются действительными аналогами C3198 и могут быть использованы для замены без каких-либо значительных изменений в схеме. При выборе аналога необходимо руководствоваться требованиями конкретного приложения и электрическими характеристиками необходимого устройства.

Выходные параметры транзистора С3198

Транзистор С3198 представляет собой биполярный NPN транзистор, который обладает следующими выходными параметрами:

— Максимальная допустимая коллекторная обратная ЭДС (Vceo): 100 В;

— Максимально допустимая коллекторная постоянная ЭДС (Vcbo): 140 В;

— Максимально допустимая эмиттерная постоянная ЭДС (Vebo): 7 В;

— Максимальный допустимый коллекторный ток (Ic): 0.7 А;

— Максимальный допустимый базовый ток (Ib): 0.1 А;

— Максимальная мощность диссипации на коллекторе (Pc): 0.8 Вт;

— Коэффициент усиления по току (hFE): от 120 до 300;

— Сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии (Rceo): не более 1.5 Ом;

— Сопротивление коллектор-эмиттер в закрытом состоянии (Rce): не более 1.5 Ом;

— Рабочая частота (fT): 100 МГц;

Выходные параметры транзистора С3198 определяют его возможности по работе с током, напряжением и мощностью. Они также влияют на его усилительные и коммутационные свойства, позволяя использовать транзистор в различных схемах и приложениях.