In Stock: 3639
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Применение транзистора a1941
Основные области применения транзистора a1941 включают в себя следующее:
- Аудиоусилители: благодаря своей высокой мощности и низким искажениям, транзистор a1941 является отличным решением для построения мощных аудиоусилителей, которые применяются в системах звукозаписи, профессиональном звуке и домашних аудиосистемах.
- Системы громкой связи: транзистор a1941 может быть использован в системах эвакуации и оповещения, где требуется мощный и надежный усилитель для передачи звуковых сигналов на большие расстояния.
- Источники питания: из-за своей высокой мощности и энергоэффективности, транзистор a1941 может быть также использован в схемах источников питания, особенно в схемах с линейными стабилизаторами.
- Сварочные аппараты: благодаря своей способности работать на высоких токах и надежности, транзистор a1941 часто применяется в электроинструментах и сварочных аппаратах.
- Другие электронные устройства: транзистор a1941 может быть использован в различных электронных устройствах, таких как стабилизаторы напряжения, блоки питания, драйверы для светодиодных лент и других устройств.
Благодаря своим характеристикам и применимости в различных сферах, транзистор a1941 является одним из самых популярных и востребованных элементов электроники.
Транзистор a1941
Особенности транзистора a1941 включают следующие:
| Максимальное значение тока коллектора (IC max) | 15 А |
| Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (VCE max) | 230 В |
| Максимальная мощность потерь (Pd max) | 150 Вт |
| Частота переключения (fT) | 30 МГц |
| Температурный коэффициент смещения базы/эмиттера (Ibe = const) | 0,88 мВ/°C |
| Коэффициент усиления (hfe) | 60-320 |
| Тип корпуса | TO-3P |
Транзистор a1941 обладает высоким значением тока коллектора и мощностью потерь, что позволяет использовать его в высоковольтных и мощных усилителях. Он также имеет достаточно высокую частоту переключения, что делает его применимым в радиочастотных устройствах.
Однако, при использовании транзистора a1941 необходимо учитывать его температурный коэффициент смещения базы/эмиттера, чтобы избежать потери характеристик из-за перегрева. Также, коэффициент усиления данного транзистора может иметь достаточно широкий разброс в зависимости от конкретного экземпляра.
В целом, транзистор a1941 является надежным и мощным компонентом, который можно успешно применять в различных электронных устройствах для усиления или управления сигналами. Правильное использование его особенностей и знание его характеристик позволит достигнуть оптимальной работы схемы.
V23050-A1110-A533 инвентарь и цена- Electronics-chip.com
Главная > Продукты > Реле > Питания реле, над 2 усилителей > V23050-A1110-A533
запрос
Характеристики
| Включить напряжение (макс): | 82.5 VDC |
|---|---|
| Выключение питания (мин): | 11 VDC |
| Тип выводов: | PC Pin |
| Переключение напряжения: | 400VAC — Max |
| Серии: | SR6, SCHRACK |
| Тип реле: |
Safety
упаковка:
Tube
Другие названия:
9-1415018-1
V23050-A1110-A533-ND
V23050A1110A533
Рабочая Температура:
-25°C ~ 70°C
Тип установки:
Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):
1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Lead free / RoHS Compliant
Особенности:
—
Подробное описание:
Safety Relay 6PST-3NO/3NC (3 Form A, 3 Form B) 110VDC Coil Through Hole
Ток (Current):
8A
Материал контактов:
Silver Tin Oxide (AgSnO)
Форма обратной связи:
6PST-3NO/3NC (3 Form A, 3 Form B)
Напряжение катушки:
110VDC
Тип катушки:
Non Latching
Сопротивление катушки:
10 kOhms
Мощность катушки:
1. 2 W
ток катушки:
10.9mA
Email:
Lastest News
- Infineon Technologies Introduces OptiMOS Linear Field-Effect Transistor Family
- Omron Adopted Maxim MAX14827A Dual-channel IO-Link Transceiver
- Microchip Technology Has Delivered 50 Million 50 Mbps Intelligent Network Interface Controller With
- Socionext Launched A 360 ° Panoramic Camera Design Solution
- Western Digital Launched A New My Passport Ultra Drive
- Reno Sub-Systems Launched New Radio Frequency (RF) Matching Networks
- 10 Nanometer Process Chips Will Spring Up In 2017
- A New Scheme For Communication Manager
- HID Global Launched HID Approve Mobile App In 2017 GSMA
- Intel Launched A New Microprocessor Chip To Compete With AMD
- Infineon Launched A New Sensor TLE4922
- Imagination Technologies Launched MIPSfpga 2.0 CPU Education Infrastructure
A1013 transistor explanation for electrical specification and application
In this section we try to explain the electrical specifications of the A1013 transistor, this explanation will help us to know about the transistor.
Voltage specs
The terminal voltage specs of the A1013 transistor collector to base and collector to emitter voltage value is -160V and emitter to base voltage is -6v, the terminal voltage shows that these transistors had higher voltage values.
The collector to emitter voltage value is -1.5V, it is the voltage at a specific condition where voltage and current are at constant or zero condition.
The voltage value of the A1013 transistor shows that it is a transistor having higher voltage and switching applications.
Current specs
The collector current value is -1A, it is the maximum load capacity of the transistor.
In switching applications, the A1013 transistor had many important roles to play.
Current gain specs
The current gain value of the A1013 transistor is 60 to 320hFE, it is the amplification capacity of a transistor device.
Transition frequency
The bandwidth transition frequency value of the A1013 transistor is 15 to 50MHz, this transistor had a low-frequency range.
Особенности транзистора a1941
1. Высокое рабочее напряжение: транзистор a1941 способен работать при достаточно высоких напряжениях (до 150 В), что позволяет использовать его в различных схемах и приложениях.
2. Высокая мощность: благодаря своей конструкции и параметрам, a1941 способен выдерживать большие токи и предоставлять высокую мощность.
3. Низкое сопротивление: транзистор a1941 обладает низким внутренним сопротивлением, что обеспечивает хорошую эффективность работы и минимизирует потери энергии.
4. Хорошая линейность: транзистор a1941 обладает хорошей линейностью в области работы, что позволяет использовать его в усилительных схемах и других приложениях, где важна точность передачи сигнала.
5. Широкий диапазон рабочих температур: транзистор a1941 способен работать в широком диапазоне температур от -55 до +150 градусов Цельсия, что делает его надежным компонентом для использования в различных условиях.
Такие особенности делают транзистор a1941 привлекательным выбором для различных электронных схем и приложений, где требуются высокие рабочие напряжения, мощность и низкое сопротивление.
A1013 transistor characteristics
output characteristics of the A1013 transistor
The figure shows the output characteristics of the A1013 transistor, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.
At different base current levels, the collector current increases from lower to higher with respect to the collector to emitter voltage.
DC current gain characteristics of the A1013 transistor
The figure shows the DC current gain characteristics of the A1013 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.
At two fixed voltage values, the DC current gain increases from a particular limit and becomes constant then dips towards a lower value.
Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка
Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
№1 — Эмиттер
№2 — База
№3 — Коллектор
Маркировка КТ502
КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка
КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка
КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка
КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка
КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка
КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка
Предельные параметры КТ502
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 25 В
- КТ502Б — 25 В
- КТ502В — 40 В
- КТ502Г — 40 В
- КТ502Д — 60 В
- КТ502Е — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 40 В
- КТ502Б — 40 В
- КТ502В — 60 В
- КТ502Г — 60 В
- КТ502Д — 80 В
- КТ502Е — 90 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
- КТ502А — 40 — 120
- КТ502Б — 80 — 240
- КТ502В — 40 — 120
- КТ502Г — 80 — 240
- КТ502Д — 40 — 120
- КТ502Е — 40 — 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц
if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }
window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});
window.addEventListener(«load», () => {
var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);
Емкость коллекторного перехода (CК)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт
Опубликовано 16.03.2020
Модификации транзистора
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1015 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| 2SA1015-GR | 0.4 W | 50 V | 50 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 | |
| 2SA1015-O | 0.4 W | 50 V | 50 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 | |
| 2SA1015-Y | 0.4 W | 50 V | 50 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 | |
| 2SA1015K | 0.2 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 130 | 80 MHz | SOT23 | |
| 2SA1015L | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO92 |
| 2SA1015LG | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 175 °C | 7 pf | 0.15 A | 200 | 80 MHz | TO92 |
| 2SA1015LO | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 175 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| 2SA1015LT1 | 0.23 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 70 | SOT23 | ||
| 2SA1015LY | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 175 °C | 7 pf | 0.15 A | 120 | 80 MHz | TO-92 |
| 2SA1015M | 0.3 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | SOT23 |
| A1015 | 0.2 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 0.15 A | 130 | 80 MHz | SOT23 | |
| A1015LT1 | 0.2 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 130 | 80 MHz | SOT23 | |
| A1015S | 0.3 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 13 pf | 0.15 A | 70 | 150 MHz | TO-92S |
| BTA1015A3 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015 | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015GR | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 200 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015O | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| CSA1015Y | 0.625 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 120 | 80 MHz | TO-92 |
| FTA1015 | 0.6 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 7 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| HSA1015 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 7 pf | 0.15 A | 120 | 80 MHz | TO-92 |
| KSA1015 | 0.4 W | 50 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
2SA1941 Datasheet (PDF)
..1. Size:157K toshiba 2sa1941.pdf
2SA1941 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1941 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = -140 V (min) Complementary to 2SC5198 Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -140 VColle
..2. Size:196K jmnic 2sa1941.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1941 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SC5198 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol
..3. Size:241K jilin sino 2sa1941.pdf
PNP so`FU\cOlvso`FU\cOlvso`FU\cOlv so`FU\cOlvSilicon PNP Epitaxial Transistor R2SA1941 APPLICATIONS (u (u (u (u Power Amplifier Applications \ OR YFUT NTyr’` FEATURES NTyr’` NTyr’`
..4. Size:272K lzg 2sa1941 3ca1941.pdf
2SA1941(3CA1941) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications. 70W 2SC51983DA5198 Features: Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage, Complementary to 2SC5198(3DA5198). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
..5. Size:301K cn yw 2sa1941.pdf
2SA1941 Transistor Silicon PNP Epitaxial Type Power Amplifier Applications FEATURES * High collector voltage: Vceo=-140V(min) * Recommended for 70W high-fidelity audio Frequency amplifier output * Complementary to 2SC5198 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -140 V Collector-Emitter Voltage VCEO -140 V Emitter-Base Volta
..6. Size:221K inchange semiconductor 2sa1941.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1941DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V =- 2.0V(Min) @I =- 7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC5198Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage app
0.1. Size:157K toshiba 2sa1941r 2sa1941o.pdf
2SA1941 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1941 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = -140 V (min) Complementary to 2SC5198 Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -140 VColle
0.2. Size:208K nell 2sa1941b.pdf
RoHS 2SA1941B Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSilicon PNP triple diffusion planar transistor-10A/-140V/100W15.60.44.80.29.62.00.13.20,12TO-3P(B)3+0.2+0.20.651.05-0.1-0.1FEATURESHigh breakdown voltage, VCEO = -140V (min) 5.450.1 5.450.11.4Complementary to 2SC5198BB C ETO-3P package which can be installed to the
0.3. Size:1285K cn sps 2sa1941t6tl.pdf
2SA1941T6TLSilicon PNP Power TransistorDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V =- 2.0V(Min) @I =- 7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC5198APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Colle
0.4. Size:427K cn sptech 2sa1941r 2sa1941o.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1941DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V =- 2.0V(Min) @I =- 7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC5198APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
A1013 vs 2SA1275
In the table, we listed the electrical specifications of A1013 and 2SA1275 transistors.
| Characteristics | A1013 | 2SA1275 |
|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | -160V | -160V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | -160V | -160V |
| Emitter to base voltage (VEB) | -6V | -6V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | -1.5V | -1.5V |
| Collector current (IC) | -1A | -1A |
| Power dissipation (PD) | 500W | 900mW |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 15 to 50MHZ | 15 to 50MHZ |
| Gain (hFE) | 60 to 320hFE | 60 to 320hFE |
| Package | TO-92 | TO-92 |
Every important electrical specification of both A1013 and 2SA1275 transistor are the same, only the power dissipation value is different.
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1ЭДИ20Н12АФ
ИС драйвера одноканального MOSFET и GaN HEMT
Инфинеон
ПДФ
1ЭДИ60Н12АФ
Одноканальный драйвер затвора MOSFET IC
Инфинеон
ПДФ
2SB1017
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
2SK1282
N-канальный силовой МОП-транзистор на полевых транзисторах
НЭК
ПДФ
2SK1282-Z
N-канальный силовой МОП-транзистор на полевых транзисторах
НЭК
ПДФ
74ACT245
Октальный двунаправленный приемопередатчик
Фэирчайлд Полупроводник
ПДФ
АБС10У
1. 0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС2У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС4У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС6У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АБС8У
1. 0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АК1573
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ
АК1573Б
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ
АК1573С
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ
Биполярный транзистор 2SA1941 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1941
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 320
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора:
2SA1941
Datasheet (PDF)
..1. Size:157K toshiba 2sa1941.pdf
2SA1941 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1941 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = -140 V (min) Complementary to 2SC5198 Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -140 VColle
..2. Size:196K jmnic 2sa1941.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1941 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SC5198 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol
..3. Size:241K jilin sino 2sa1941.pdf
PNP so`FU\cOlvso`FU\cOlvso`FU\cOlv so`FU\cOlvSilicon PNP Epitaxial Transistor R2SA1941 APPLICATIONS (u (u (u (u Power Amplifier Applications \ OR YFUT NTyr’` FEATURES NTyr’` NTyr’`
..4. Size:272K lzg 2sa1941 3ca1941.pdf
2SA1941(3CA1941) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications. 70W 2SC51983DA5198 Features: Recommend for 70W high fidelity audio frequency amplifier output stage, Complementary to 2SC5198(3DA5198). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
..5. Size:301K cn yw 2sa1941.pdf
2SA1941 Transistor Silicon PNP Epitaxial Type Power Amplifier Applications FEATURES * High collector voltage: Vceo=-140V(min) * Recommended for 70W high-fidelity audio Frequency amplifier output * Complementary to 2SC5198 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -140 V Collector-Emitter Voltage VCEO -140 V Emitter-Base Volta
..6. Size:221K inchange semiconductor 2sa1941.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1941DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V =- 2.0V(Min) @I =- 7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC5198Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage app
0.1. Size:157K toshiba 2sa1941r 2sa1941o.pdf
2SA1941 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1941 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = -140 V (min) Complementary to 2SC5198 Recommended for 70-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -140 VColle
0.2. Size:208K nell 2sa1941b.pdf
RoHS 2SA1941B Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSilicon PNP triple diffusion planar transistor-10A/-140V/100W15.60.44.80.29.62.00.13.20,12TO-3P(B)3+0.2+0.20.651.05-0.1-0.1FEATURESHigh breakdown voltage, VCEO = -140V (min) 5.450.1 5.450.11.4Complementary to 2SC5198BB C ETO-3P package which can be installed to the
0.3. Size:1285K cn sps 2sa1941t6tl.pdf
2SA1941T6TLSilicon PNP Power TransistorDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V =- 2.0V(Min) @I =- 7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC5198APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Colle
0.4. Size:427K cn sptech 2sa1941r 2sa1941o.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1941DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V =- 2.0V(Min) @I =- 7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC5198APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Другие транзисторы… 2SA1930
, 2SA1931
, 2SA1932
, 2SA1933
, 2SA1934
, 2SA1937
, 2SA1939
, 2SA1940
, TIP2955
, 2SA1942
, 2SA1962
, 2SA1971
, 2SA1972
, 2SA1986
, 2SA1987
, 2SA2034
, 2SA2056
.
