Основные характеристики
1. Коэффициент усиления по току (hFE) — от 120 до 400. Значение hFE определяет, во сколько раз усиливается входной ток при наличии базового тока.
2. Максимальное коллекторное напряжение (Vсео) — 200 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может выдержать транзистор на коллекторе.
3. Максимальный коллекторный ток (Iс) — 1 А. Это значение представляет максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора без возникновения необратимых изменений в его параметрах.
4. Максимальная мощность потерь на тепло (Pт) — 800 мВт. Несоответствие применения нужного радиатора тепла может привести к повреждению транзистора.
5. Температура работы — от -55°C до +150°C. Транзистор может работать в диапазоне температур от -55°C до +150°C без каких-либо изменений в его параметрах.
6. Уровень шума (NF) — 6.5 дБ. Значение шума указывает на уровень нежелательных сигналов, которые могут возникать при использовании транзистора.
Таким образом, транзистор C5296 обладает набором основных характеристик, которые определяют его возможности в усилительных схемах. При выборе данного транзистора необходимо учитывать не только его характеристики, но и требования конкретной схемы, в которой он будет использоваться.
Мощность и ток
Транзистор C5296 обладает высокой мощностью и способен выдерживать высокие токи. Максимальная рабочая мощность составляет, например, 80 ватт. Это означает, что при использовании транзистора в схеме, необходимо учитывать мощность нагрузки, чтобы не превысить указанные значения. Если превысить допустимую мощность, это может привести к перегреву транзистора и его повреждению.
Также, важным параметром является максимальный ток, который транзистор способен выдержать. Например, для транзистора C5296 максимальный ток в режиме коллектор-эмиттер составляет 5 ампер. При превышении этого значения транзистор может перегреться и выйти из строя.
Помимо рабочей мощности и максимального тока, важно также учитывать другие параметры транзистора при выборе и его использовании в конкретной схеме. Они могут варьироваться в зависимости от производителя и модели транзистора, поэтому всегда следует обращаться к документации и спецификациям для получения точной информации
Функциональные характеристики транзистора С5296
В таблице 1 показаны основные функциональные характеристики транзистора С5296:
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Тип | p-n-p |
| Максимальное коллекторное напряжение (Uкэ) | 30 В |
| Максимальный коллекторный ток (Iкмакс) | 100 мА |
| Максимальная мощность (Pк) | 100 мВт |
| Коэффициент усиления по току (h21) | 30-80 |
| Температурный диапазон (Tраб) | -65…+85 °C |
| Корпус | TO-18 |
Транзистор С5296 имеет p-n-p конфигурацию, что означает, что токи в нем протекают от эмиттера к коллектору при подаче положительного напряжения на базу. Максимальное коллекторное напряжение составляет 30 В, что позволяет использовать данный транзистор в различных цепях с напряжением до этого значения.
Максимальный коллекторный ток равен 100 мА, что определяет максимальную нагрузку, которую его можно подключить к данному транзистору. Максимальная мощность составляет 100 мВт, что позволяет использовать его в небольших мощностных устройствах.
Коэффициент усиления по току (h21) составляет 30-80, что показывает, насколько сильно текущие изменения базы влияют на текущие коллектора, определяя усиление сигнала. Чем выше значение h21, тем больше происходит усиление.
Транзистор С5296 может работать в широком температурном диапазоне от -65 до +85 °C, что позволяет использовать его в различных климатических условиях.
Транзистор С5296 поставляется в корпусе TO-18, который обеспечивает надежное соединение компонента с платой и защищает его от внешних воздействий.
Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;
транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
| N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
| P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Роль C5296 в электронике
С5296 относится к классу униполярных транзисторов типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Он обладает высоким коэффициентом усиления и низким сопротивлением проводимости, что позволяет использовать его в высокочастотных цепях.
Этот транзистор широко применяется в различных областях электроники, включая аудиоусилители, источники питания, электронные схемы управления и другие устройства. Он также используется в переключателях и блокировщиках, где его высокая коммутационная способность позволяет эффективно управлять потоком тока.
Одной из основных преимуществ C5296 является его надежность и долговечность. Он обладает высокой стабильностью работы и способен выдерживать значительные температурные нагрузки. Это делает его идеальным выбором для применения в условиях высоких нагрузок и экстремальных температур.
Благодаря своим характеристикам и надежности, C5296 остается одним из самых популярных транзисторов на рынке электронных компонентов. Он приносит значимый вклад в функционирование многих современных электронных устройств и систем, обеспечивая их эффективность и стабильность работы.
Функциональные возможности
Основные функциональные возможности транзистора C5296 включают:
- Высокая мощность и эффективность работы
- Низкий уровень шума и искажений
- Высокая скорость переключения
- Широкий диапазон рабочих температур
- Надежная защита от перегрузок и короткого замыкания
- Простая интеграция с другими компонентами системы
Такие функциональные возможности делают транзистор C5296 идеальным выбором для использования в различных приборах и схемах, включая усилители звука, источники питания, блоки питания для светодиодных ламп и другие устройства, требующие высокой мощности и надежной работы.
Как выбрать и купить C5296 транзистор
При выборе и покупке транзистора C5296 нужно учесть несколько важных факторов
Во-первых, следует обратить внимание на основные параметры этого транзистора, которые описаны ниже:
| Параметр | Описание |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Максимальное коллекторное напряжение (VCEO) | 30 В |
| Максимальный коллекторный ток (IC) | 3 А |
| Максимальная мощность (PD) | 40 Вт |
| Максимальная рабочая температура (Tj) | 150 °C |
Кроме того, при выборе транзистора C5296 важно обратить внимание на его применение. C5296 является универсальным транзистором и может использоваться в различных электронных схемах. Он обладает высокой надежностью и эффективностью, поэтому часто применяется в усилительных и коммутационных устройствах
Он обладает высокой надежностью и эффективностью, поэтому часто применяется в усилительных и коммутационных устройствах.
При покупке C5296 транзистора рекомендуется обращаться к проверенным поставщикам электронных компонентов. Они гарантируют подлинность и качество транзисторов, а также предоставляют соответствующую документацию и гарантию на продукцию
Также стоит обратить внимание на цену и условия доставки, чтобы выбрать наиболее выгодное предложение
В итоге, правильный выбор и покупка C5296 транзистора позволят обеспечить надежную работу электронной схемы и долговечность устройства.
Как выбрать замену транзистору С5296
При выборе замены для транзистора С5296 необходимо учитывать несколько ключевых параметров
Во-первых, важно обратить внимание на тип транзистора и его область применения. Для этого следует обратиться к документации или техническому описанию транзистора С5296 и определить его основные характеристики
Затем следует выбрать замену, которая имеет максимально схожие параметры. Информацию о параметрах замен можно найти в справочниках и каталогах электронных компонентов
Основными параметрами, на которые следует обратить внимание, являются максимальное рабочее напряжение, максимальный ток коллектора, коэффициент усиления и мощность
Также стоит учитывать и другие параметры, связанные с тем, как транзистор будет используется в конкретной схеме. Например, может потребоваться транзистор с определенным типом корпуса или температурным диапазоном. Для определения этих параметров также стоит обратиться к документации или консультироваться с опытными специалистами в области электроники.
Важно отметить, что при выборе замены для транзистора С5296 необходимо быть внимательным и аккуратным, чтобы избежать неправильного выбора, который может привести к нестабильной работе схемы или повреждению других компонентов. Поэтому рекомендуется провести тщательный анализ и выбрать замену с учетом всех требований и условий использования транзистора С5296
Критерии выбора замены для транзистора С5296
При выборе замены для транзистора С5296 необходимо учитывать ряд важных критериев, которые обеспечат надежную работу и соответствие требованиям оригинального транзистора.
Во-первых, необходимо учесть эквивалентность параметров заменяемого транзистора и его замены
Для этого следует обратить внимание на значения таких параметров, как напряжение коллектор-эмиттер (VCE), ток коллектора (IC), коэффициент усиления тока (hFE) и максимальная мощность потребления (Ptot). Значения этих параметров должны быть сопоставимы с оригинальным транзистором для сохранения его функциональности и надежности
Во-вторых, следует обратить внимание на тип корпуса замены. Транзисторы различных типов корпусов несовместимы между собой и требуют применения специальных монтажных искусственных
При замене транзистора С5296 необходимо выбирать замену с тем же типом корпуса, чтобы обеспечить совместимость и легкое монтажное использование.
Также, следует учитывать температурный диапазон работы заменяемого транзистора и его замены. Если исходный транзистор работает в широком диапазоне температур, то замену следует выбирать с аналогичным диапазоном
Это важно для сохранения нормальной работы транзистора при различных рабочих условиях и избегания его перегрева или охлаждения
Наконец, можно также обращать внимание на производителя и рейтинг надежности замены. Возможно, есть предпочтение отдавать предпочтение проверенным производителям или выбирать замены с высокими оценками надежности
Это поможет обеспечить длительное и безотказное функционирование системы, в которой используется заменяемый транзистор.
Параметр
Транзистор С5296
Замена
Напряжение коллектор-эмиттер (VCE)
100 В
Не менее 100 В
Ток коллектора (IC)
10 А
Не менее 10 А
Коэффициент усиления тока (hFE)
50-500
В рамках 50-500
Максимальная мощность потребления (Ptot)
50 Вт
Не менее 50 Вт
Тип корпуса
TO-220
TO-220 или аналогичный
Температурный диапазон работы
-55°C до +150°C
-55°C до +150°C или аналогичный
Производитель
Не важно
Проверенный производитель
Рейтинг надежности
Не важно
Высокий рейтинг надежности
Особенности работы транзистора С5296
Ток коллектора данного транзистора имеет возможность достичь значительных значений, что позволяет применять его в мощных схемах.
Корпус транзистора имеет отверстия для радиатора, что позволяет эффективно рассеивать тепло.
Транзистор обладает низким уровнем шума, что важно при работе с чувствительными сигналами.
С5296 позволяет обеспечивать высокую линейность усиления, что актуально в схемах сигнального усиления.
Эти особенности делают транзистор С5296 привлекательным для широкого спектра применений в электронике, начиная от аудиоусилительных схем, заканчивая высокочастотным усилением.
Основные характеристики C5296 транзистора
- Тип корпуса: TO-220F;
- Максимальное смещение коллектор-эмиттер (Vceo): 300 В;
- Максимальный ток коллектора (Ic): 3.0 А;
- Максимальная мощность потери (Pd): 2.0 Вт;
- Максимальное напряжение переключения коллектор-эмиттер (Vces): 700 В;
- Максимальная рабочая температура: +150 °C;
Транзистор C5296 может быть использован в различных схемах, включая усилительные и коммутационные схемы, благодаря его высокой надежности, низкому уровню шума и быстрому времени переключения. Также этот транзистор обладает хорошими характеристиками стабильности и возможностью работы при высокой температуре, что позволяет его использование в суровых условиях.
Основные характеристики
- Максимальное допустимое напряжение коллектора: 150 В;
- Максимальное допустимое напряжение эмиттера: 5 В;
- Максимальный коллекторный ток: 5 А;
- Максимальная мощность потерь: 10 Вт;
- Максимальная рабочая температура: 150 градусов Цельсия;
- Ток усиления: 100-300;
- Коэффициент усиления по току: 40-200;
- Сопротивление эмиттер-база: 3 Ом;
- Сопротивление коллектор-эмиттер: 0.3 Ом.
Транзистор C5296 имеет SOT-89 корпус и предназначен для применения в преобразователях, стабилизаторах, системах автоматического регулирования и других устройствах электронной техники, требующих больших параметров тока и напряжения.
