CMP80N06 Datasheet (PDF)
1.1. cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf Size:1054K _update-mosfet
CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description Product Summery
The 80N06 is N-ch MOSFET
BVDSS RDSON ID
with extreme high cell density ,
60V 7.8m 80A
which provide excellent RDSON
and gate charge for most of the
Applications
synchronous buck converter
Motor Control
applications.
DC-DC converters
General Purpose Power Amplif
1.2. cmp80n06 cmb80n06 cmi80n06.pdf Size:1054K _cmos
CMP80N06/CMB80N06/CMI80N06
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description Product Summery
The 80N06 is N-ch MOSFET
BVDSS RDSON ID
with extreme high cell density ,
60V 7.8m 80A
which provide excellent RDSON
and gate charge for most of the
Applications
synchronous buck converter
Motor Control
applications.
DC-DC converters
General Purpose Power Amplif
PHP45N03LT Datasheet (PDF)
1.1. php45n03lta phb45n03lta phd45n03lta.pdf Size:113K _upd-mosfet
PHP/PHB/PHD45N03LTA
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 02 — 02 November 2001 Product data
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance
1.2. php45n03lt.pdf Size:295K _philips
PHP45N03LT; PHB45N03LT;
PHD45N03LT
N-channel TrenchMOS transistor
Rev. 06 — 05 October 2000 Product specification
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LT in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LT in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance
1.3. php45n03lt-06.pdf Size:295K _philips
PHP45N03LT; PHB45N03LT;
PHD45N03LT
N-channel TrenchMOS transistor
Rev. 06 — 05 October 2000 Product specification
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LT in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LT in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance
1.4. php45n03lt 2.pdf Size:45K _philips
Philips Semiconductors Product specification
TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT
Logic level FET
FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA
• ’Trench’ technology d VDSS = 30 V
• Very low on-state resistance
• Fast switching ID = 45 A
• Stable off-state characteristics
• High thermal cycling performance RDS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V)
g
• Low thermal
1.5. php45n03lta phb45n03lta phd45n03lta.pdf Size:113K _philips
PHP/PHB/PHD45N03LTA
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 02 — 02 November 2001 Product data
1. Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB)
PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK)
PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK).
2. Features
Low on-state resistance
1.6. php45n03lt phb45n03lt phd45n03lt.pdf Size:89K _philips
Philips Semiconductors Product specification
TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT
Logic level FET
FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA
• ’Trench’ technology d VDSS = 30 V
• Very low on-state resistance
• Fast switching ID = 45 A
• Stable off-state characteristics
• High thermal cycling performance RDS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V)
g
• Low thermal
Преимущества полевых транзисторов
Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.
Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.
Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.
С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.
Electronic Installation
The query regarding how to install 2N3005 would include either mechanical or electronic installations procedures, we’ll discuss both of them here.
Installing or fitting 2N3055 over a heatsink: As we all know a heatsink which is meant for absorbing heat from the device, so it needs to be a very good conductor of heat and yet cheap. Aluminum is the best material used for the purpose and a conventionally accepted material as heatsinks for electronic devices. The installation of the 2N3055 would involve the following steps:
Procure from the market or fabricate the heatsink plate as per the specifications.
Drill holes as per the dimensions of the transistor leads and fixing holes, as shown in the diagram.
Apply and spread some heatsink paste over the lead side flat surface of 2N3055.
Place the component over the drilled surface so that the leads pass through the drillings appropriately, the fitting holes coincide with the drilled holes and the surfaces “stick” snugly with the heatsink paste getting tightly sandwiched between the device and the metal.
Now it’s just a matter of securing the device by nuts and screws across the concurrent holes and tightening them as firmly as possible.
Make sure the protruding leads clear pass through the center of the drillings, and is kept well aloof from the heatsink metal.
If two devices need to be fixed over a common heatsink, then make sure the heatsink mica kit is used while doing the above operations. However if their collectors (body) are in parallel then they can be directly fixed over a common heatsink metal without using mica protective insulations.
Немного подробнее о модуле и принципе его работы
Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.
Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.
Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.
Маркировка биполярный SMD транзисторов
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B / BSS80B | — |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1323L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | — |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Основная классификация транзисторов, параметры
Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам.
Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на:
- транзисторы малой мощности,
- транзисторы средней мощности,
- транзисторы большой мощности.
По частоте транзисторы делят на:
- низкочастотные,
- среднечастотные,
- высокочастотные,
- сверхвысокочастотные.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы разделяют на:
- германиевые,
- кремниевые.
Основными параметрами биполярных транзисторов являются:
- статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;
- статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или а = в/(1 + в);
- обратный ток коллектора Іко;
- граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.
Основными параметрами полевых транзисторов являются:
- напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
- максимальный ток стока Іс. макс;
- напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
- входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).
Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).
STP6NK60ZFP Datasheet (PDF)
1.1. stp6nk60zfp.pdf Size:445K _upd
STB6NK60Z — STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP — STP6NK60Z
N-channel 600 V — 1 Ω — 6 A — TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK
Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
Features
Type VDSS RDS(on) ID PW
STB6NK60Z 600 V 1.2. stb6nk60z stb6nk60z-1 stp6nk60zfp stp6nk60z.pdf Size:448K _st
STB6NK60Z — STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP — STP6NK60Z
N-channel 600 V — 1 ? — 6 A — TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK
Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
Features
Type VDSS RDS(on) ID PW
STB6NK60Z 600 V
1.3. stp6nk60z.pdf Size:578K _st
STP6NK60Z — STP6NK60ZFP
STB6NK60Z — STB6NK60Z-1
N-CHANNEL 600V — 1? — 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK
Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET
TYPE VDSS RDS(on) ID Pw
STP6NK60Z 600 V 1.4. stp6nk60z.pdf Size:208K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor STP6NK60Z
DESCRIPTION
·Drain Current I = 6A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 600V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for high speed switching applications in switching
power supplies and
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Зарубежные и отечественные аналоги транзистора КТ3102
Наиболее часто для замены КТ3102 используют элементы, приведенные в таблице 1.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| КТ3102 | 50 | 0,2 | 0,25 | 100 | 100 |
| Отечественный | |||||
| КТ611Б | 180 | 0,1 | 3 | 30 | 60 |
| КТ315Б | 20 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| КТ315Г | 35 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| КТ315Е | 35 | 0,1 | 0,15 | 50 | 250 |
| Импорт | |||||
| BC174 | 64 | 0,1 | 0,3 | 125 | 100 |
| 2SA2785 | |||||
| BC546 | 80 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC547 | 50 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC548 | 30 | 0,1 | 0,5 | 110 | 300 |
| BC549 | 30 | 0,1 | 0,5 | 110 | 200 |
| BC182 | 50 | 0,2 | 0,3 | 120 | 150 |
Таблица 1
Таблица 2 включает перечень элементов, схожих по электрическим параметрам, транзистору КТ3102 конкретной категории.
| Группа | Аналоги | |
|---|---|---|
| Импорт | Отечественные | |
| КТ3102АМ | 2N4123, 2SC1815O, 2SC945O, 2SC945R, BC107AP, BC107АP, BC182A, BC183A, BC237A, BC238A, BC317, BC547A, BC548A, BC550A, BCY59-VII, BCY65-VII, MPS3709, SS9014A | КТ6111А |
| КТ3102БМ | 2N2483 , 2N5210, 2SC1000GTM, 2SC1815, 2SC1815BL, 2SC1815GR, 2SC1815L, 2SC1815Y, 2SC828A, 2SC945G, 2SC945L, 2SC945Y, BC107BP, BC182B, BC182C, BC183B, BC183C, BC184A, BC237B, BC237C, BC318, BC337, BC382B, BC452, BC546B, BC547B, BC547C, BC550B, BC550C, BCY56, BCY59-IX, BCY59-VIII, BCY65-IX, BCY65-VII, BCY79, MPSA09, PN1484, SF132E, SS9014B, SS9014C, SS9014D | КТ3102БМ, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3117Б, КТ6111Б, КТ6111В, КТ6111Г, КТ660А |
| КТ3102ВМ | 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, 2SC828, BC108AP, BC108BP, BC238, BC238A, BC238B, BC238C, BC451, BC548A, BC548B, BC548C, BC549A, BC549B, BC549C, MPS3708, MPS3710, SF131E | |
| КТ3102ГМ | 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC108CP, BC183C, BC238C, BC382C, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, SF131F, SF132F | |
| КТ3102ДМ | 2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, 2SC945, BC109BP, BC184A, BC239B, BC239C, BC383B, BC384B, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-X, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, PN1484 | |
| КТ3102ЕМ | 2N5088, 2N5089, 2N5210, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BC549C, BCY57, BFX65, MPS6516, MPS6517 | |
| КТ3102ЖМ | BC239B, MPS6518 | |
| КТ3102ИМ | BC109BP | |
| КТ3102КМ | BC109CP |
Таблица 2
Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KT972A
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.
| Параметры транзистора КТ972 | ||||
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение |
| Аналог | КТ972А | BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3 | ||
| КТ972Б | BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2 | |||
| Структура | — | n-p-n | ||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ972А | — | 8* |
| КТ972Б | — | 8* | ||
| КТ972В | — | 8* | ||
| КТ972Г | — | 8* | ||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ972А | — | ≥200 |
| КТ972Б | — | ≥200 | ||
| КТ972В | — | ≥200 | ||
| КТ972Г | — | ≥200 | ||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ972А | 1к | 60* |
| КТ972Б | 1к | 45* | ||
| КТ972В | 1к | 60* | ||
| КТ972Г | 1к | 60* | ||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ972А | — | 5,00 |
| КТ972Б | — | 5,00 | ||
| КТ972В | — | 5,00 | ||
| КТ972Г | — | 5,00 | ||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ972А | — | 4* |
| КТ972Б | — | 4* | ||
| КТ972В | — | 2,00 | ||
| КТ972Г | — | 2,00 | ||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ972А | 60 В | ≤1* |
| КТ972Б | 45 В | ≤1* | ||
| КТ972В | 60 В | ≤1* | ||
| КТ972Г | 60 В | ≤1* | ||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ972А | 3 В; 1 А | ≥750* |
| КТ972Б | 3 В; 1 А | ≥750* | ||
| КТ972В | 3 В; 1 А | 750…5000 | ||
| КТ972Г | 3 В; 1 А | 750…5000 | ||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ972А | — | ≤3 |
| КТ972Б | — | ≤3 | ||
| КТ972В | — | ≤3 | ||
| КТ972Г | — | ≤1.9 | ||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ972А | — | — |
| КТ972Б | — | — | ||
| КТ972В | — | — | ||
| КТ972Г | — | — | ||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ972А | — | — |
| КТ972Б | — | — | ||
| КТ972В | — | — | ||
| КТ972Г | — | — | ||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ972А | — | ≤200* |
| КТ972Б | — | ≤200* | ||
| КТ972В | — | ≤200* | ||
| КТ972Г | — | ≤200* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Биполярный транзистор 2N697 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N697
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
2N697
Datasheet (PDF)
..1. Size:305K rca 2n697.pdf
..2. Size:195K cdil 2n697.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 697TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 40 VVCBOCollector Base Voltage 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5VPDPower Dissipation @ Ta=25C 600
..3. Size:61K microsemi 2n696 2n697.pdf
TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N697 JAN 2N696S 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.6 W APT @ T = 250C (2) 2.0 W C0Operating & Storage Juncti
0.1. Size:36K harris semi 2n6975 2n6976 2n6977 2n6978.pdf
2N6975, 2N6976,S E M I C O N D U C T O R2N6977, 2N69785A, 400V and 500V N-Channel IGBTsApril 1995April 1995Features PackageJEDEC TO-204AA 5A, 400V and 500VBOTTOM VIEW VCE(ON) 2VCOLLECTOREMITTER(FLANGE) TFI 1s, 0.5s Low On-State VoltageGATE Fast Switching Speeds High Input ImpedanceTerminal DiagramApplicationsN-CHANNEL ENHANCEMENT M
Другие транзисторы… 2N6835
, 2N6836
, 2N6837
, 2N694
, 2N695
, 2N696
, 2N696A
, 2N696S
, 2SD2499
, 2N697A
, 2N697S
, 2N698
, 2N6987
, 2N6988
, 2N699
, 2N699A
, 2N699B
.