Транзистор 2n2219, технические данные, datasheet

Области применения транзистора 2n2219a

Вот некоторые области, в которых транзистор 2n2219a применяется:

Усилители мощности: благодаря хорошим характеристикам усиления и низкому уровню шума, транзистор 2n2219a может использоваться в устройствах, требующих усиления сигнала, например, в аудио-усилителях и радиоприемниках.
Импульсные источники питания: благодаря своей способности переключаться быстро, транзистор 2n2219a может использоваться в инверторах и импульсных источниках питания.
Логические схемы: транзистор 2n2219a может быть использован в логических схемах, таких как инверторы, усилители и ключи для управления другими электронными компонентами.
Радиотехника: транзистор 2n2219a широко используется в радиотехнике, включая передачу и прием радиосигналов, а также работу с модуляцией и демодуляцией сигналов.
Источники сигналов: благодаря своей высокой надежности и устойчивости к внешним воздействиям, транзистор 2n2219a может быть использован для создания стабильных источников сигналов.

Трезистор 2n2219a также может использоваться в других областях, где требуется усиление и управление сигналами, например, в автомобильной электронике, медицинской технике, промышленной автоматизации и т. д.

Транзистор 2n2219a: особенности элемента и области применения

Основные особенности транзистора 2n2219a включают:

Особенности	Описание
Высокая частота переключения	Транзистор 2n2219a способен работать на высоких частотах, что делает его подходящим для использования в радиотехнике и телекоммуникационных системах.
Высокая мощность и токовая нагрузка	Транзистор способен выдерживать высокие значения тока и мощности, что позволяет использовать его в схемах с большими нагрузками.
Низкое сопротивление переходов	Транзистор 2n2219a обладает низким сопротивлением переходов, что обеспечивает эффективную передачу сигнала и снижение потерь.
Широкий диапазон рабочих температур	Транзистор способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в различных условиях и средах.

Также транзистор 2n2219a имеет низкую коллектор-эмиттерную насыщенную напряжение и низкое входное сопротивление, что делает его удобным для использования в схемах усилителей и переключателей.

Он широко применяется в следующих областях:

1. Радиотехника: трансмиттеры, приемники, радиолюбительские устройства и т.д.

2. Телекоммуникации: усилители сигналов, коммутационные схемы, передатчики и т.д.

3. Электроника: схемы усиления, генераторы и прочие электронные устройства.

4. Индустриальные устройства: системы контроля и управления, автоматизация и промышленные электронные схемы.

В заключение, транзистор 2n2219a – это надежный и универсальный элемент, который обладает широким спектром применений и находит применение в различных областях, связанных с электроникой и радиотехникой. Зная его особенности и возможности, можно эффективно использовать его при разработке и создании собственных устройств и систем.

Основные технические характеристики 2n5551

При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
материал корпуса – пластиковый корпус;
материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);

электрические:

проводимость — обратной проводимости n-p-n;
максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) I_{K макс.} (I_{c max}) 600 мА (mA);
максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U _{КЭ макс} (V_CE_max) не более 160 В (V);
максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U _{КБ макс.}(V_CB_max) не более 180 В (V);
максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) U_{ЭБ макс.}(V_ЕВ_max) не более 6 В (V);
граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) f_гр(f_t) от 100 до 300 МГц (MHz);
максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) I_КБО(I_CBO) не более 0.05 мкА (µA), при U _{КБ макс.}(V_CB_О) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0);
максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) I_ЭБО(I_E_BO) не более 0.05 мкА (µA), при U _E_{Б макс.}(V_EB_О) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора I_К (I_С)=0);
для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) P_K_макс. (P_C) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) P_K_макс. (P_C) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;

Классификация по hFE

коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс. = 10 мА (mA).