2n6520 pdf ( даташит ) - high voltage transistors

FQP32N20C Datasheet (PDF)

1.1. fqp32n20c fqpf32n20c.pdf Size:1208K _fairchild_semi

QFET
FQP32N20C/FQPF32N20C
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 28A, 200V, RDS(on) = 0.082Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 82.5 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 185 pF)
This advanced technology has been especially tailo

4.1. fqp32n12v2 fqpf32n12v2.pdf Size:856K _fairchild_semi

QFET
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
120V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 32 A, 120V, RDS(on) = 0.05Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 70 pF)
This advanced technology has been especially tailor

IXFN32N60 Datasheet (PDF)

1.1. ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf Size:192K _ixys

IXFK 32N60 IXFN 32N60
IXFK 36N60 IXFN 36N60
Preliminary Data
VDSS ID25 RDS(on) trr
IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18Ω 250ns
HiPerFETTM Power MOSFET
IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25Ω 250ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
TO-264 AA (IXFK)
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
IXFK IXFN
VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 600 V
G
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1

5.1. ixfn39n90.pdf Size:128K _ixys

VDSS = 900 V
IXFN 39N90
HiPerFETTM
ID25 = 39 A
Power MOSFETs
Ω
RDS(on) = 0.22 Ω
Ω
Ω
Ω
Single MOSFET Die
D
≤
trr ≤
≤ 250 ns
≤
≤
N-Channel Enhancement Mode
G
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t
rr
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
VDSS TJ = 25°C to 150°C 900 V
E153432
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 900

5.2. ixfn34n80.pdf Size:128K _ixys

HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFN 34N80 VDSS = 800 V
Single DieMOSFET
ID25 = 34 A
RDS(on) = 0.24 W
N-Channel Enhancement Mode D
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
trr £ 250 ns
Preliminary data sheet
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C 800 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 800 V
G
VGS Continuous ±20 V
VGSM Transi

5.3. ixfn340n07.pdf Size:104K _ixys

HiPerFETTM
IXFN 340N07 VDSS = 70 V
Power MOSFETs
ID25 = 340 A
Ω
Ω
Single Die MOSFET RDS(on) = 4 mΩ
Ω
Ω
D
≤
trr ≤
≤ 200 ns
≤
≤
N-Channel Enhancement Mode
G
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C70 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 70 V
G
VGS Co

5.4. ixfn36n100.pdf Size:128K _ixys

HiPerFETTM
IXFN 36N100 V = 1000V
DSS
Power MOSFETs
ID25 = 36A
Ω
Ω
Single Die MOSFET RDS(on) = 0.24Ω
Ω
Ω
D
N-Channel Enhancement Mode
G
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t
rr
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C 1000 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 1000 V
G
VGS Continuous ±20 V
VGSM

5.5. ixfn34n100.pdf Size:570K _ixys

IXFN 34N100 VDSS = 1000V
HiPerFETTM
ID25 = 34A
Power MOSFETs
Ω
RDS(on) = 0.28Ω
Ω
Ω
Ω
Single Die MOSFET
D
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G
S
S
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
VDSS TJ = 25°C to 150°C 1000 V
S
VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 1000 V
G
VGS Continuous ±20 V
VGSM Tran

MDF11N60TH Datasheet (PDF)

1.1. mdf11n60th.pdf Size:956K _magnachip

MDF11N60
N-Channel MOSFET 600V, 11A, 0.55Ω
General Description Features
The MDF11N60 uses advanced MagnaChip’s MOSFET  V = 600V
DS
Technology, which provides low on-state resistance, high  V = 660V @ T
DS jmax
switching performance and excellent quality.  I = 11A @ V = 10V
D GS
 R ≤ 0.55Ω @ V = 10V
DS(ON) GS
MDF11N60 is suitable device for SMPS, high Spee

3.1. mdf11n65b.pdf Size:781K _update

MDF11N65B
N-Channel MOSFET 650V, 12A, 0.65Ω
General Description Features
These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 650V
MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on- ID = 12A @ VGS = 10V
state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) ≤ 0.65Ω @ VGS = 10V
quality.
Applications
These devices are suitable device for SMPS, high Speed

3.2. mdf11n65b.pdf Size:781K _magnachip

3.3. mdf11n65bth.pdf Size:781K _magnachip

Достоинства и недостатки

Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.

Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.

Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.

Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.

Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.

Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.

Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.

Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.

Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.

Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.

Как проверить устройство с помощью мультиметра

Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.

Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.

Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.

Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.

Как проверить транзистор без мультиметра

Проверка транзистора без использования мультиметра возможна не всегда. Применение при измерениях лампочек и источников питания может с высокой вероятностью вывести из строя проверяемый элемент.

Проверка транзистора биполярного типа может быть сделана простейшей контролькой из батарейки 4,5 В, «минус» которой соединен с лампочкой от карманного фонаря. Попарно подключаете «плюс» и второй контакт лампы к выводам. Если при подключении в любой полярности к паре «К-Э» лампа не загорается — переход исправен. Подключить через ограничительный резистор «плюс» на «Б». Лампу поочередно соединяем с выводами «Э» или «К» и проверяем эти переходы. Чтобы протестировать транзистор другой структуры, изменяем полярность подключения.

Эффективно использовать для проверки транзисторов приборы, сделанные своими руками и схемы которых достаточно доступны.

NPN и PNP транзисторы

Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем исправный транзистор

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки из даташита:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер

Возвращаемся к нашему рисунку

Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.

Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Проверяем неисправный транзистор

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.

Полевики с обособленным затвором

Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:

МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.

Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.

Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.

Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.

Со встроенным

Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.

Транзисторы с внутренним каналом

Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.

Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.

Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.

Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.

С индуктивным каналом

В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.

Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.

Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями

От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.

TIP3055 Datasheet (PDF)

1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola

Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO

TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr

TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain — 15 AMPERE hFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe

1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns

TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas

1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Описание

NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Температура, °С
		КТ361Е	КТ361Ж	КТ361И	КТ361К	КТ361Л	КТ361М	КТ361Н	КТ361П
не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Обратный ток коллектора (U_КБ=10 В), мкА	I_КБО		1		1		1		1		0,1		0,05		0,1		0,05	25; -60
	25		25		25		25		2,5		5		2,5		5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (I_Э=1 мА, U_КБ=10 В)	h_21Э	50	350	50	350	250	–	50	350	50	350	70	160	20	90	100	350	25
50	500	50	700	250	–	50	700	50	500	70	300	20	150	100	500	100
15	350	25	350	100	–	25	350	15	350	30	160	10	90	15	350	-60
Обратный ток коллектор-эмиттер (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=25 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=20 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=40 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=35 В), мА	I_КЭR		1		1		1		1		0,01		0,01		0,05		0,01	25
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U_КБ = 10 В, I_Э= 5 мА, f = 100 МГц)	\|h_21Э\|	2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		1,5		3		25
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (I_Э= 5 мА, U_КБ=10 В, f=5 МГц), пс	τ_к		800		800		800		400		400		400		150		500	25

Рисунок 3 – Типовые выходные характеристики транзисторовКТ361А, КТ361В, КТ361Д, КТ361А1, КТ361Д1, КТ361Н

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов КТ361Б, КТ361Г,КТ361Г1, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361Л, КТ361М, КТ361П

Рисунок 5 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ361

Рисунок 6 – Зависимость обратного тока коллектора транзисторов КТ361от температуры окружающей среды с границами 95% разброса

Рисунок 7 – Зависимость напряжения между коллектором и эмиттером транзисторовКТ361, в режиме насыщения от температуры окружающей среды с 95% разбросом

Рисунок 8 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361А, КТ361В, КТ361Д,КТ361Д1, КТ361А1, КТ361Н и КТ361М

Рисунок 9 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361Б, КТ361Е, КТ361Ж,КТ361И, КТ361К, КТ361Л и КТ361Г

Рисунок 10 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами 95% разброса

Рисунок 11 – Зависимость минимальной наработки от режимаэксплуатации при токе коллектора 12 мА

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

λ ≤ 2∙10-8∙(J_p∙500000)/(12∙t_н)

где J_p – рабочий ток коллектора, мА;t_н – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Рисунок 12 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами разброса 95%

Рисунок 13 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте отнапряжения на коллекторе транзистора КТ361 с 95% разбросом

Рисунок 14 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором иэмиттером транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Рисунок 15 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором ибазой транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Испытание постоянным током

Для испытания постоянным током необходимо собрать стенд. В качестве блока питания можно воспользоваться компьютерным БП у которого по линии 12V, ток равен 20A. Для охлаждение транзистора будем использовать радиатор для процессора с сокетом 478 и обязательным наличием вентилятора и термопасты. Ток базы и ток коллектора будем измерять двумя мультиметрами. Обеспечивать необходимый ток базы транзистора 2N3055 будем дополнительным транзистором с током коллектора до 1А, отлично подойдет для этих целей транзистор BD140, установленный на небольшой радиатор.

Испытывать транзистор 2N3055 будем при температуре окружающей среды +25°C, где согласно Total Dissipation мощность транзистора будет составлять 115W. Мы не будем грузить транзистора до 115W, зададим мощность 90W.

Перед тем как испытывать наши транзисторы, произведем расчеты схемы стенда.

1) Рассчитаем ток коллектора:

Рассчитаем ток коллектора, зная мощность и напряжение коллектор — эмиттер:

P = U*I; I = P/U;

Найдем ток коллектора при мощности 90W:

Iк = 90W / 12V = 7,5А;

Мы нашли ток коллектора, согласно даташиту максимальный ток коллектора 2N3055 составляет 15А, наши расчетные 7,5А не превышают 15А.

2) Теперь создадим схему стенда:

Транзисторы подключим по схеме с общим эмиттером.

Нам необходимо задать максимальный ток коллектора транзистора BD140, рассчитав номинал резистора Rб.

3) Рассчитаем номинал резистора Rб:

Зададим ток коллектора транзистора BD140 равнымIк = 0,9А;

Коэффициент усиления транзистора BD140 равенhFE= 182 (взять из даташита либо определить с помощью мультиметра);

Рассчитаем необходимый ток базы транзистора BD140:

Iк = hFE * Iб; Iб = Iк / hFE;

Iб = 0,9А / 182 = 0,004945А или 4,95 мА;

Ток базы равен 4,95 мА;

Находим номинал резистора Rб:

Rб = (Uпит — Uпад)/Iб;

Rб = (12V — 0,66V(падение напряжения база — эмиттер))/ 0,004945А = 2293 Ом или 2,2 кОм.

Потенциометр Var R возьмем номиналом 10 кОм.

После произведения расчетов соберем стенд, обязательно не забудьте нанести термопасту на основание транзистора. После нанесения термопасты и установки транзисторов на радиаторы, настройте потенциометр в максимально положение, т.е. что-бы его номинал был равен 10 кОм.

Теперь когда у нас все готово к измерениям, мультиметры включены в режиме измерения тока, подаем питание на схему и смотрим показания мультиметров. Алгоритм измерения следующий: медленно крутим потенциометр плавно повышая ток базы транзистора 2N3055 и параллельно смотрим на ток коллектора транзистора 2N3055, производим расчет мощности по формуле P = U*I где I ток коллектора.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.