Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Вопрос-ответ:
Какие основные параметры нужно проверить на КТ117 мультиметром?
Для проверки КТ117 мультиметром следует измерить следующие параметры: h_FE (коэффициент усиления по току коллектора), V_CE (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии), I_CBO (ток коллекторной базы в открытом состоянии), I_EBO (ток эмиттерной базы в открытом состоянии).
Как проверить параметр h_FE на КТ117 мультиметром?
Для проверки параметра h_FE необходимо включить мультиметр в режим измерения тока коллектора и подключить его к коллектору и эмиттеру транзистора. Затем подаем на базу транзистора постоянное напряжение (например, 0.6 В) с ограничивающим резистором и измеряем ток коллектора. Параметр h_FE рассчитывается как отношение тока коллектора к току базы.
Как проверить параметр V_CE на КТ117 мультиметром?
Для проверки параметра V_CE (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии) необходимо включить мультиметр в режим измерения напряжения постоянного тока и измерить напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.
Как проверить параметр I_CBO на КТ117 мультиметром?
Для проверки параметра I_CBO (ток коллекторной базы в открытом состоянии) необходимо включить мультиметр в режим измерения тока коллектора и подключить его к базе и коллектору транзистора. Затем отключите эмиттер транзистора от источника питания и измерьте ток коллектора (I_CBO).
Как проверить параметр I_EBO на КТ117 мультиметром?
Для проверки параметра I_EBO (ток эмиттерной базы в открытом состоянии) необходимо включить мультиметр в режим измерения тока базы и подключить его к эмиттеру и базе транзистора. Затем отключите коллектор транзистора от источника питания и измерьте ток базы (I_EBO).
Принцип работы регулятора на симисторе
Напомним, что симистором принято называть модификацию тиристора, играющего роль полупроводникового ключа с нелинейной характеристикой. Его основное отличие от базового прибора заключается в двухсторонней проводимости при переходе в «открытый» режим работы, при подаче тока на управляющий электрод. Благодаря этому свойству симисторы не зависят от полярности напряжения, что позволяет их эффективно использовать в цепях с переменным напряжением.
Помимо приобретенной особенности, данные приборы обладают важным свойством базового элемента – возможностью сохранения проводимости при отключении управляющего электрода. При этом «закрытие» полупроводникового ключа происходит в момент отсутствия разности потенциалов между основными выводами прибора. То есть тогда, когда переменное напряжение переходит точку нуля.
Дополнительным бонусом от такого перехода в «закрытое» состояние является уменьшение числа помех на этой фазе работы
Обратим внимание, что не создающий помех регулятор может быть создан под управлением транзисторов
Благодаря перечисленным выше свойствам, можно управлять мощностью нагрузки путем фазового управления. То есть, симистор открывается каждый полупериод и закрывается при переходе через ноль. Время задержки включения «открытого» режима как бы отрезает часть полупериода, в результате форма выходного сигнала будет пилообразной.
Форма сигнала на выходе регулятора мощности: А – 100%, В – 50%, С – 25%
При этом амплитуда сигнала будет оставаться прежней, именно поэтому такие устройства неправильно называть регуляторами напряжения.
Определение целостности полевого радиоэлемента
Такой тип электронного прибора не получится проверить без выпайки из схемы. Способ проверки как для n-канального, так и для p-канального, а также IGBT вида, одинакова. Разница лишь в полярности, прикладываемой к выводам. Например, исправность F3NK80Z n-канального прибора выясняется по следующему алгоритму:
- Мультиметр переключается в режим прозвонки.
- Щуп общего провода прикасается к стоку прибора, а положительный — к истоку.
- Щуп переставляется с истока на затвор. Переход в транзисторе откроется.
- Возвращаем щуп на исток. Значение сопротивления должно быть маленьким, прибор, если у него есть звуковая прозвонка, запищит.
- Для закрытия прибора щуп общего провода соединяется с затвором, при этом положительный щуп с истока не снимается.
- Устанавливается положения щупов согласно первому пункту.
Для мощных полевых приборов может случиться так, что напряжения тестера не хватит для его открытия. Так как прозвонить такой полевой транзистор мультиметром не удастся, понадобиться применить дополнительное питание. В таком случае в разрыв через сопротивление 1–2 кОм подаётся постоянное напряжение равное 12 вольт.
Существуют такие радиоэлементы, например, КТ117а, имеющие две базы. Их относят к однопереходным приборам. В современных устройствах они не получил широкого применения, но порой встречаются. У них нет коллектора.
Такие транзисторы тестером проверяются только на отсутствие короткого замыкания между выводами. Убедиться в его работе можно воспользовавшись схемой генератора.
Меры безопасности
Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов. Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки
Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд
Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.
Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.
Транзисторы КТ117.
КТ117 представляет из себя специальный полупроводниковый прибор, так называемый — однопереходный транзистор. КТ117 предназначен для работы в генераторах, в качестве переключателя малой мощности. Коллектора у однопереходного транзистора нет, а есть эмиттер и две базы — 1 и 2.
Схема эквивалентная однопереходному транзистору КТ117 выглядит вот так:
А схема звукового генератора собранная на КТ117 может выглядеть вот таким образом:
Схема получается гораздо проще, поскольку один КТ117 заменяет здесь два обычных биполярных транзистора.
Параметры однопереходного транзистора.
Максимальный ток эмиттера — у КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г — 30мА.
Напряжение между базами — у всех КТ117 — 30в.
Напряжение между базой 2 и эмиттером — у всех КТ117 — 30в.
Максимальная рассеиваемая мощность — у всех КТ117 — 300мВт.
Межбазовое сопротивление:
У КТ117А,Б — от 4 до 9 кОм. У КТ117В,Г — от 8 до 12 кОм.
Максимальная рабочая частота — у всех КТ117 — 200кГц.
Коэффициент передачи — отношение напряжения включения к напряжению между базами: У КТ117А — от 0,5 до 0,7 У КТ117Б — от0,65 до 0,9 У КТ117В — от 0,5 до 0,7 У КТ117Г — от 0,65 до 0,9
Корпус транзистора пластиковый или металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая.
Принцип работы однопереходного транзистора.
Итак, любой однопереходный транзистор содержит в себе один p-n переход, что и вобщем то и так понятно — из его названия. Если переход один, откуда у него тогда три электрода, и как он вообще работает? На кристалле полупроводника однородной проводимости, на некотором расстоянии друг от друга имеются омические контакты — База1(Б1) и База2(Б2). Между ними находится область p-n перехода — контакт с полупроводником противоположной проводимости, омический контакт которого является — эмиттером.
Обычно, принцип действия однопереходного транзистора рассматривают с помощью несложной эквивалентной схемы.
R1 и R2 здесь — сопротивления между выводами Б1 и Б2, а V1 — эмиттерный p-n переход. Согласно данной схемы через R1 и R2 будет течь ток,причем падение напряжения на R1 будет смещать диод в обратном направлении. Таким образом, диод будет закрыт, пока на эмиттер не будет подано прямое напряжение превышающее величину падения напряжения на R1. Как только такое напряжение подано, диод открывается и начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом сопротивление R1 еще более уменьшается — снижается напряжение падения. Происходит лавинообразный процесс открывания транзистора.
Схема тиристорного регулятора на однопереходном транзисторе.
На рисунке ниже — схема тиристорного регулятора, с лампой накаливания в виде нагрузки.
R1 — 100 КОм — переменный, мощностью 0,5 Вт, любого типа. Резисторы R2 — 3 КОм, R3 — 1 КОм, R4 — 100 Ом, R5 — 30 КОм — МЛТ. VD1 — стабилитрон Д814В VD2 — КД105Б VD3 — КД202Р VC1 — КУ202Н Конденсатор С1 — 0,1МФ 400В., любого типа. Транзистор VT1 — КТ117А Плавкий предохранитель 0.5 — 1.5 Ампер(в зависимости от мощности лампы.)
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
