2sa1300 datasheet pdf ( pinout ) - transistor (strobo flash medium power amplifier applications)

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Напряжение коллектор-база, В	U_CBO	I_C = 100 мкА	600
Напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO	I_C = 10 мА	400
Напряжение эмиттер-база, В	U_EBO	I_E = 10 мкА	6
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 550 В	10
Ток коллектора выключения, мА	I_CEO	U_CB = 400 В	10
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 6,0 В	10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)1 ٭	I_C = 50 мА, I_B = 10 мА	0,4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)2 ٭	I_C = 100 мА, I_B = 20 мА	0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)٭	I_C = 50 мА, I_B = 10 мА	1
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 10,0 В, I_C = 10 мА	≥ 8
	h_FE(2) ٭	U_CE = 10,0 В, I_C = 50 мА	10…36

٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF

2SA1300 Datasheet PDF — Toshiba Semiconductor

Part Number	2SA1300
Description	TRANSISTOR (STROBO FLASH MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
Manufacturers	Toshiba Semiconductor
Logo
There is a preview and 2SA1300 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 3 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1300
Strobe Flash Applications
Medium Power Amplifier Applications
2SA1300
Unit: mm

· High DC current gain and excellent hFE linearity

: hFE (1) = 140~600 (VCE = −1 V, IC = −0.5 A)

: hFE (2) = 60 (min), 120 (typ.) (VCE = −1 V, IC = −4 A)

· Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max)

(IC = −2 A, IB = −50 mA)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics
Symbol
Rating
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
DC
Collector current
Pulsed
(Note 1)
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range

VCBO

VCES

VCEO

VEBO

ICP

Tstg

-20

-10

-6

-2

-5

-0.2

750
150

-55~150

Note 1: Pulse width = 10 ms (max), duty cycle = 30% (max)

Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43
TOSHIBA
2-5F1B
Weight: 0.21 g (typ.)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics
Symbol
Test Condition
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance

ICBO

VCB = -20 V, IE =

IEBO

VEB = -6 V, IC =

V (BR) CEO IC = -10 mA, IB =

V (BR) EBO IE = -1 mA, IC =

hFE (1)

VCE = -1 V, IC = -0.5 A

(Note 2)

hFE (2)

VCE (sat)

VBE

Cob

VCE = -1 V, IC = -4 A

IC = -2 A, IB = -50 mA

VCE = -1 V, IC = -2 A

VCE = -1 V, IC = -0.5 A

VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz

Note 2: hFE (1) classification Y: 140~280, GR: 200~400, BL: 300~600

Min Typ. Max Unit

¾ ¾ -0.1 mA

-10 ¾

¾
V

-6 ¾ ¾

140 ¾ 600

60 120 ¾

¾ -0.2 -0.5

¾ -0.83 -1.5

¾ 140 ¾ MHz

¾ 50 ¾ pF

1 2003-03-24

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SA1300 electronic component.

Information	Total 3 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус ТО-92 или SOT-23;
материал корпуса – пластик;
материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

проводимость – n-p-n (обратная);
I_{K макс.} (I_{c max}) не более 200 мА (mA);
U_{КЭ макс.} (V_CE_max) не более 400 В (V);
U_{КБ макс.}(V_CB_max) не более 500 В (V);
U_{ЭБ макс.}(V_{ЕВ max}) не более 9 В (V);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) не более 0.5 В (V), при I_K(I_c)=50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) не более 1.2 В (V), при I_K(I_c)=50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
f_гр(f_t) от 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =}20 В (V), I_K= 20 мА (mA);
U_{КБ макс.}(V_CB_max ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0;
I_КЭО(I_C_E_O) не более 200 мкА (µA), при U _{КЭ макс.}(V_C_E_max ) =400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
I_ЭБО(I_EBO) не более 100 мкА (µA), при U _{EБ макc.}(V_EB_max ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
P_K_макс. (P_C) 0,75 Вт (W);
T_раб.(T_j) не более + 150 °C;
T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
H_feпри U_КЭ = 20 В (V) и I_K = 20 мА (mA) от 10 до 40 , при U_КЭ = 10 В (V) и I_K = 0,25 мА (mA) — 8;

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

проводимость – n-p-n;
I_K(I_{c max}) 200 мА (mA);
U_КЭО (V_CE_O) ≤ 500 В (V);
U_КБО(V_CB_O) ≤ 800 В (V);
U_ЭБО(V_ЕВ_O) ≤ 9 В (V);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) ≤ 0.5 В (V), при I_K(I_c) = 50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) ≤1.2 В (V), при I_K(I_c) = 50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
f_гр(f_t) 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =}20 В (V), I_K= 20 мА (mA);
I_КБО(I_CBO) ≤1 мкА (µA) при U _КБ(V_CBО) = 600 В (V);
I_КЭО(I_C_E_O) ≤10 мкА (µA), при U _КЭ(V_C_E_О) = 400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
I_ЭБО(I_EBO) ≤1 мкА (µA), при U _EБ(V_EBО) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
P_K (P_C) = 0,5 Вт (W);
T_раб.(T_j) ≤ + 150 °C.;
T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
H_fe при U_КЭ = 20 В (V) и I_K = 20 мА (mA) 8 H_fe, при U_КЭ= 5 В (V) и I_K = 1 мА (mA) от 10 до 30 H_fe.