Технические характеристики
Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.
Максимальные значения параметров для транзистора 13002:
- напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
- напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
- ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
- ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
- рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
- диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.
Электрические параметры
Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.
Аналоги
Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.
Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.
3DD13007_B8 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd13007 b8d.pdf Size:154K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 B8D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 7 A 产品采用平面工艺， 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 80 W 终端结构和少
1.2. 3dd13007 h8d.pdf Size:155K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 H8D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 9 A 产品采用平面工艺， 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 90 终端结构和
1.3. 3dd13007 b8.pdf Size:155K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 B8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.4. 3dd13007 z7.pdf Size:151K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z7 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 Z7 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 结构和少
1.5. 3dd13007 x1.pdf Size:153K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 X1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 X1 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.6. 3dd13007 y8.pdf Size:153K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Y8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 Y8 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 340 V 该产品 ● 高温特性好 IC 7 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.7. 3dd13007 z8.pdf Size:154K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z8 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 Z8 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 75 W 结构和少
Простой транзисторный усилитель класса А
Здравствуйте, аудиофилы-самоделкины! (аудиофилы в хорошем смысле, конечно)
Речь сегодня пойдёт о самом что ни на есть аудиофильском усилителе — класс А, всё-таки. Не хухры-мухры. Спроектирован он был ещё в прошлом веке, но и по сей день его собирают множество радиолюбитей, вот что значит по-настоящему удачная схема. Называется он «JLH 1969» — аббревиатура инициалов автора схемы и год создания. Конечно, база компонентов в те времена была совсем другой, но это не помешает нам собрать этот легендарный усилитель из того, что найдётся сейчас под рукой. Особенностью схемы является её работа в классе А с высоким током покоя выходного каскада. Это обеспечивает минимум нелинейных искажений в выходном сигнале, некую музыкальность, но зато схема потребляет значительный ток и требует для выходных транзисторов приличного размера радиаторов. Некоторые люди считают, что такая схемотехника является наиболее правильной и позволяет слушать музыку с максимальным качеством воспроизведения. Ниже представлена сама схема.
Схема содержит всего 4 транзистора, из них VT3 и VT4 — выходные, должны обладать максимально близкими параметрами, для этого достаточно просто взять два транзистора из одной партии, отлично подойдут КТ805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. При этом их коэффициент усиления должен быть как минимум 120. VT1 — маломощный входной PNP структуры, подойдут 2N3906, BC212, BC546, КТ361, а так же можно поэкспериментировать с различными германиевыми вариантами, благо их PNP структуры много. VT2 образует драйверный каскад, сюда нужно что-то чуть помощнее, например, КТ801, КТ630, КТ602, 2N697, BD139, 2SC5707, 2SD2165.
Некоторые номиналы схемы, для пущей академичности, следует варьировать исходя из сопротивления нагрузки и напряжения питания. Напряжение может варьироваться от 12 до 40В, соответственно чем оно больше, тем больше будет выходная мощность, и тем сильнее будет греться оконечный каскад. Ниже представлена таблица для подбора номиналов. Несколько слов о настройке. Первым делом включать усилитель нужно без нагрузки и без подключенного источника сигнала. Включаем сперва на небольшом напряжении, контролируем ток покоя, он должен составлять 0,8 — 1,5А. Параллельно с этим замеряем напряжение в точке соединения VT3 и VT4 — оно должно быть равно половине напряжения питания. Если это не так, то подгоняем его максимально близко с помощью подстроечного резистора R2. Также на схеме можно увидеть нарисованную пунктиром цепь Цобеля — последовательно включенный резистор и конденсатор, они служат для подавления самовозбуждения. Резистор сопротивлением 10 Ом, конденсатор 100 нФ.
Монтаж выполняется на печатной плате, обратите внимание, что она полностью залита землей вокруг дорожек, это способствует лучшей помехозащищённости и в какой-то степени защищает от самовозбуждения. Однако при пайке нужно быть максимально аккуратным, запросто можно случайно посадить «соплю» между земляным полигоном и дорожкой. Если усилитель не заработает с первого раза, рекомендую тщательно прозвонить всё на замыкание, ведь глазом волосинку-перемычку очень сложно увидеть
Удачной сборки!
Если усилитель не заработает с первого раза, рекомендую тщательно прозвонить всё на замыкание, ведь глазом волосинку-перемычку очень сложно увидеть. Удачной сборки!
plata.zip (скачиваний: 100)
Источник (Source)
Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.
↑ Функция REM
уже сделана в преобразователе, но она мне не очень нравится. Её я перевел на постоянный плюс, а REM организовал при помощи 2-х релюшек (такие обычно идут с сигнализациями, центральными замками), каждая на свой преобразователь и приклеил их на суперклей к корпусу. Подключил так: там четыре контакта, два на питание и два силовых. На один силовой подключил постоянный плюс, на второй плюс к для питания преобразователя. На одну клему питания приходит постоянный минус, а на вторую клемму питания плюс берется с клеммы REM. Так, при включении магнитолы появляется плюс на релюшке, та включается, и на преобразователь приходит питание. Вот вобщем-то и все, осталось все спаять и скрутить.
Все разъемы и детали были куплены в магазине и на рынке. Итак, первое включение закончилось удачно, все работает, звук радует своей мощностью и четкостью. Я остался доволен.
2sa105 datasheet (90)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Type | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA105 |
Fuji-SVEA |
Japanese 2S Transistor Cross Reference Datasheet | Scan |
|
||
| 2SA105 |
Unknown |
Shortform Transistor Datasheet Guide | Scan |
|
||
| 2SA105 |
Unknown |
Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Scan |
|
||
| 2SA105 |
Unknown |
The Japanese Transistor Manual 1981 | Scan |
|
||
| 2SA105 |
Unknown |
Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Scan |
|
||
| 2SA105 |
Unknown |
Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan |
|
||
| 2SA105 |
Unknown |
Cross Reference Datasheet | Scan |
|
||
| 2SA1050 |
Unknown |
Transistor Substitution Data Book 1993 | Scan |
|
||
| 2SA1050 |
Unknown |
Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Scan |
|
||
| 2SA1050 |
Unknown |
Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Scan |
|
||
| 2SA1050 |
Unknown |
The Japanese Transistor Manual 1981 | Scan |
|
||
| 2SA1050 |
Unknown |
Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan |
|
||
| 2SA1050 |
Unknown |
Japanese Transistor Cross References (2S) | Scan |
|
||
| 2SA1050 |
Unknown |
Cross Reference Datasheet | Scan |
|
||
| 2SA1050A |
Unknown |
Transistor Substitution Data Book 1993 | Scan |
|
||
| 2SA1050A |
Unknown |
Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Scan |
|
||
| 2SA1050A |
Unknown |
Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Scan |
|
||
| 2SA1050A |
Unknown |
Basic Transistor and Cross Reference Specification | Scan |
|
||
| 2SA1050A |
Unknown |
Shortform Transistor PDF Datasheet | Scan |
|
||
| 2SA1050A |
Unknown |
Japanese Transistor Cross References (2S) | Scan |
|
Безопасная эксплуатация IRF3205
У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.
Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.
Вторая по распространенности проблема — короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.
Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.
Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.
Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.
В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.
Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.
Основные особенности транзистора Дарлингтона
Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.
Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.
Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.
схема Шиклаи
К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.
Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.
Основные электрические параметры:
-
Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
-
Напряжение эмиттер – база 5 V;
-
Ток коллектора – 15 А;
-
Ток коллектора максимальный – 30 А;
-
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
-
Температура кристалла (перехода) – 1750С.
На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.
Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.
Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.
Как проверить IRF3205
Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.
Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).
Проверка диода
На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока
Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.
Проверка работы транзистора
Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.
Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.
В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.
После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.
Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.
Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.
Устройство IRF3205
Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.
Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.
Search Stock
Renesas Electronics Corporation
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
2SA1052MCTR-E |
Reel | 4 Weeks | 3,256 |
|
Buy Now |
|||||
Renesas Electronics Corporation
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
2SA1052MDTR-E |
Bulk | 4 Weeks | 3,256 |
|
Buy Now |
|||||
ITT Interconnect Solutions
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
KPT02E18-32S-A105 |
Bulk | 1 |
|
Get Quote |
||||||
ITT Interconnect Solutions
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
KPT02A18-32S-A105 |
Bulk | 1 |
|
Get Quote |
||||||
ITT Interconnect Solutions
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet Americas |
CA3108E22-22S-A105 |
Bulk | 1 |
|
Get Quote |
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ
Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.
На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…
Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.
