Основные технические характеристики 2n5551
При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
- материал корпуса – пластиковый корпус;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);
электрические:
- проводимость — обратной проводимости n-p-n;
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс. (Ic max) 600 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс (VCEmax) не более 160 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U КБ макс. (VCBmax) не более 180 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс. (VЕВ max) не более 6 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 300 МГц (MHz);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.05 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.05 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
- для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;
Классификация по hFE
коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс. = 10 мА (mA).
Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.
BC212 Datasheet (PDF)
..1. bc212 bc213 bc214.pdf Size:107K _motorola
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC212/DAmplifier TransistorsBC212,BPNP SiliconBC213COLLECTORBC21432BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC
0.1. bc212lb.pdf Size:27K _fairchild_semi
BC212LBPNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base V
0.2. bc212l.pdf Size:29K _fairchild_semi
BC212LB CETO-92 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.Sourced from Process 68. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units50 VVCEO Collector-Emitter Voltage60 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO Emitter-Base VoltageCollector Curr
0.3. bc212b.pdf Size:27K _fairchild_semi
BC212BPNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. Sourced from process 68.TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base Vo
0.4. bc212b-d.pdf Size:59K _onsemi
BC212BAmplifier TransistorsPNP SiliconFeatures These are Pb-Free Devices* http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2BASECollector-Emitter Voltage VCEO -50 VdcCollector-Base Voltage VCBO -60 Vdc3EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current — Continuous IC -100 mAdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate a
0.5. bc212csm.pdf Size:11K _semelab
BC212CSMDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) Ceramic Surface Mount 3Package for High Reliability Applications 211.91 0.10(0.075 0.004)A0.31rad.Bipolar PNP Device. (0.012)3.05 0.13(0.12 0.005)1.40(0.055)1.02 0.10max.VCEO = 50V A =(0.04 0.004)
0.6. bc212dcsm.pdf Size:10K _semelab
BC212DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 50V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.05
0.7. bc212l la lb bc214l.pdf Size:76K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-92 Plastic PackageBC212L, BC212LA, BC212LBBC214L, BC214LB, BC214LCPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSAmplifier TransistorsDIM MIN MAXA 4,32 5,33B 4,45 5,20C 3,18 4,19D 0,41 0,55E 0,35 0,50F 5 DEGG 1,14 1,40H 1,14 1,53K 12,70 L 1.982 2.082ALL DIMENSIONS IN M.M.
Другие транзисторы… BC211A
, BC211A-10
, BC211A-16
, BC211A-6
, BC211B
, BC211C
, BC211D
, BC211E
, , BC212A
, BC212AP
, BC212B
, BC212BP
, BC212K
, BC212KA
, BC212KB
, BC212L
.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | hfe | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 20-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| 2N5551C | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | TO-92 | |
| 2N5551CN | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551CSM | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | LCC1 ٭ | |
| 2N5551DCSM | 0,35 | — | 160 | — | 0,6 | — | 80 | 100 | — | — | — | LCC2 ٭ | Тот же MO-041BB |
| 2N5551G | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551G | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 80-400 | 100-300 | 6 | 8 | — | SOT-89 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551HR | 0,36 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | TO-18 | |
| 2N5551HR | 0,58 | 180 | 160 | 6 | 0,5 | 200 | 20-250 | — | 6 | — | 1-50 | LCC3, UB ٭ | |
| 2N5551K | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-300 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/B/C |
| 2N5551N | 0,4 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 150 | 3 | — | — | TO-92N | |
| 2N5551S | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: ZF |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 150-250 | 100-300 | — | — | — | SOT-23(1) | Маркировка: ZFC |
| BTN5551K3 | 0,9 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | ≥ 50 | ≥ 100 | 6 | — | — | TO-92L | |
| H2N5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 50-400 | 100-300 | 6 | — | — | TO-92 | Группы по hFE: A/N/C |
| H5551 | 0,625 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-280 | 100-300 | — | — | — | TO-92 | |
| 2N5551SQ | 0,5 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | — | — | SOT-89 | Маркировка: BG1 |
| MMBT5551 | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 30-250 | 100-300 | 6 | 8 | 50-200 | SOT-23 | Маркировка: 3S |
٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.
Примечание: параметр hFE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. hfe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).
Размеры и типы корпусов SMD-компонентов
Поверхностный монтаж — технология изготовления электронных изделий на печатных платах, которую также называют ТМП (технология монтажа на поверхность), SMT (англ. surface mount technology) и SMD-технология (от англ. surface mounted device — прибор, монтируемый на поверхность).
Электронные компоненты для поверхностного монтажа («чип-компоненты» или SMD-компоненты) выпускаются различных размеров и в разных типах корпусов. Таблица типоразмеров и SMD-корпусов поможет быстро получить необходимые данные.
Размеры и типы корпусов SMD-компонентов
Двухконтактные компоненты: прямоугольные, пассивные (резисторы и конденсаторы)
Обозначение типоразмера состоит из четырех цифр. Две первые соответствуют округленно длине L в принятой системе измерения (либо метрической, либо дюймовой), а две последние — ширине W.
| Типоразмер (дюймовая система) | Типоразмер (метрическая система) | Размер (мм) |
| 008004 | 0201 | 0.25×0.125 |
| 009005 | 03015 | 0.3×0.15 |
| 01005 | 0402 | 0.4×0.2 |
| 0201 | 0603 | 0.6×0.3 |
| 0402 | 1005 | 1.0×0.5 |
| 0603 | 1608 | 1.6×0.8 |
| 0805 | 2012 | 2.0×1.25 |
| 1008 | 2520 | 2.5×2.0 |
| 1206 | 3216 | 3.2×1.6 |
| 1210 | 3225 | 3.2×2.5 |
| 1806 | 4516 | 4.5×1.6 |
| 1812 | 4532 | 4.5×3.2 |
| 1825 | 4564 | 4.5×6.4 |
| 2010 | 5025 | 5.0×2.5 |
| 2512 | 6332 | 6.3×3.2 |
| 2725 | 6863 | 6.9×6.3 |
| 2920 | 7451 | 7.4×5.1 |
Двухконтактные компоненты: цилиндрические, пассивные (резисторы и диоды) в корпусе MELF
| корпус | размеры (мм) и другие параметры |
| Melf (MMB) 0207 | L = 5,8 мм, Ø = 2,2 мм, 1,0 Вт, 500 В |
| MiniMelf (MMA) 0204 | L = 3,6 мм, Ø = 1,4 мм, 0,25 Вт, 200 В |
| MicroMelf (MMU) 0102 | L = 2,2 мм, Ø = 1,1 мм, 0,2 Вт, 100 В |
Двухконтактные компоненты: танталовые конденсаторы
| тип | размеры (мм) |
| A (EIA 3216-18) | 3,2 × 1,6 × 1,6 |
| B (EIA 3528-21) | 3,5 × 2,8 × 1,9 |
| C (EIA 6032-28) | 6,0 × 3,2 × 2,2 |
| D (EIA 7343-31) | 7,3 × 4,3 × 2,4 |
| E (EIA 7343-43) | 7,3 × 4,3 × 4,1 |
Двухконтактные компоненты: диоды (англ. small outline diode, сокр. SOD)
| обозначение | размеры (мм) |
| SOD-323 | 1,7 × 1,25 × 0,95 |
| SOD-123 | 2,68 × 1,17 × 1,60 |
Трёхконтактные компоненты: транзисторы с тремя короткими выводами (SOT)
| обозначение | размеры (мм) |
| SOT-23 | 3 × 1,75 × 1,3 |
| SOT-223 | 6,7 × 3,7 × 1,8 |
| DPAK (TO-252) | корпус (трёх- или пятиконтактные варианты), разработанный компанией Motorola для полупроводниковых устройств с большим выделением тепла |
| D2PAK (TO-263) | корпус (трёх-, пяти-, шести-, семи- или восьмивыводные варианты), аналогичный DPAK, но больший по размеру (как правило габариты корпуса соответствуют габаритам TO220) |
| D3PAK (TO-268) | корпус, аналогичный D2PAK, но ещё больший по размеру |
Многоконтактные компоненты: выводы в две линии по бокам
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| ИС — с выводами малой длины (англ. small-outline integrated circuit, сокращённо SOIC) | 1,27 |
| TSOP — (англ. thin small-outline package) тонкий SOIC (тоньше SOIC по высоте) | 0,5 |
| SSOP — усаженый SOIC | 0,65 |
| TSSOP — тонкий усаженый SOIC | 0,65 |
| QSOP — SOIC четвертного размера | 0,635 |
| VSOP — QSOP ещё меньшего размера | 0,4; 0,5 или 0,65 |
Многоконтактные компоненты: выводы в четыре линии по бокам
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| PLCC, CLCC — ИС в пластиковом или керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | 1,27 |
| QFP — (англ. quad flat package) — квадратные плоские корпусы ИС | разные размеры |
| LQFP — низкопрофильный QFP | 1,4 мм в высотуразные размеры |
| PQFP — пластиковый QFP (44 или более вывода) | разные размеры |
| CQFP — керамический QFP (сходный с PQFP) | разные размеры |
| TQFP — тоньше QFP | тоньше QFP |
| PQFN — силовой QFP | нет выводов, площадка для радиатора |
Многоконтактные компоненты: массив выводов
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| BGA — (англ. ball grid array) — массив шариков с квадратным или прямоугольным расположением выводов | 1,27 |
| LFBGA — низкопрофильный FBGA, квадратный или прямоугольный, шарики припоя | 0,8 |
| CGA — корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | разные размеры |
| CCGA — керамический CGA | разные размеры |
| μBGA — (микро-BGA) — массив шариков | расстояние между шариками менее 1 мм |
| FCBGA — (англ. flip-chip ball grid array) массив шариков на подложкек подложке припаян кристалл с теплораспределителем | разные размеры |
| PBGA — массив шариков, кристалл внутри пластмассового корпуса | разные размеры |
| LLP — безвыводный корпус | — |
Похожие материалы:
Область применения транзисторов 13001
Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.
- сетевые адаптеры мобильных устройств;
- электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
- электронные трансформаторы;
- другие импульсные устройства.
Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.
Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.
На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.
Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем
При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:
- этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
- собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
- заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.
Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки
Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.
Транзистор — устройство, виды, применение
Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора
Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007
Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность
Технические характеристики
Наиболее полная и подробная информация о 2N7002, с характеристиками и графиками зависимостей, представлена в технической документации (datasheet). Согласно справочных данных, основные параметры таких устройств у всех производителей практически одинаковые. Но прогресс не стоит на месте. Вместе с новыми требованиями предъявляемыми заказчиками, ужесточением экологических стандартов, многие компании совершенствуют процессы производства с одновременным улучшением свойств своих электронных продуктов.
Например, обновлённые 2N7002 от Infineon, производят с учётом требований европейских экономических норм (RoHS), с использованием безсвинцовых (Pb-Free) и безгалогеновым (Halogen-free) технологий. Последние имеют более прочные огнеупорные пластиковые корпуса PG-SOT-23 по классификации 94V-0, внешние выводы под пайку по стандарту MIL-STD-202. Последние обладают усиленной влагозащитой согласно J-STD-020, сертификатами соответствия методике испытаний JESD22, оценены по чувствительности к электрическим разрядам (ESS class) и др.
В datasheet некоторых компаний напрямую указывается о соблюдении при производстве требований JEDEC (США). Таким образом они подчёркивают качество свой продукции и её соответствие заявленным параметрам. Почти все известные брэнды являются членами указанной ассоциации полупроводниковых технологий. Очевидно, что основные максимальные и электрические параметры у новых устройств значительно лучше, чем у первых версий 90-х годов. Именно они будут рассмотрены далее.
Максимальные значения
Максимальные характеристики 2N7002 (при ТА=25oC):
- напряжение: сток-исток (V DS) до 60 В; затвор-исток (V GS) до 40 В;
- предельный ток стока (I D) до 0.3 A; импульсный (I D pulse) до 1.2 A;
- сопротивление проводящего канала сток-исток (R DS(on)): до 3 Ом (при VGS=10 В); до 4 Ом (при VGS=4.5 В);
- рассеиваемая мощность (P tot) — 0.5 Вт;
- рабочая температура (Tj) -55…150 oC.
Электрические значения
Следует отметить, что представленные выше значения справедливы только для идеальных условий эксплуатации. Их превышение зачастую приводит к разрушению структуры транзистора, его нестабильной работе с последующим выходом из строя. С ростом температуры окружающей среды (свыше +25oC) свойства изделия ухудшаются. Поэтому при планировании использования 2N7002 необходимо предусматривать 30% запас по всем параметрам. В datasheet вместе с максимальными (абсолютными) характеристиками приводятся электрические, при которых устройство работает стабильно и долго.
Маркировка
У smd-транзистора 2N7002 буквенно-цифровая маркировка. Чаще всего на его корпусе присутствуют следующие обозначения: 7002, 12W, 7200, 702. Очень редко, особенно на старых материнских платах, такие устройства встречается с символами: K7K, 72K, 7S2.
Принцип функционирования стабилизационных диодов
Несмотря на то, что смд похож на диод, он по сути является иным элементом электросхемы. Конечно, он может выполнять функцию выпрямителя, но обычно используется для стабилизации напряжения. Данный элемент способен поддерживать в цепи постоянного тока постоянное напряжение. Этот его принцип работы применяется в питании различного радиотехнического оборудования.
Стабилитрон и диод
Внешне смд очень похож на стандартный полупроводник. Схожесть сохраняется и в конструкционных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква Г. Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип функционирования smd будет достаточно понятным.
Проходя через этот элемент, небольшое напряжение цепи провоцирует сильный ток. При увеличении обратного напряжения ток так же растет, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Доходя до отметки, она может быть любой. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой». После случившегося «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большого значения. Именно в этот момент и начинается работа данного элемента до времени превышения его допустимого предела.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.