Транзистор a1273: характеристики и datasheet

Технические характеристики A1270

Вот некоторые из основных технических характеристик данного транзистора:

1. Тип: NPN биполярный транзистор

2. Максимальное значение коллекторного тока (IC max): 5 А

3. Максимальное значение коллекторного напряжения (VСEO): 50 В

4. Максимальное значение эмиттерного напряжения (VEBO): 5 В

5. Максимальная мощность потери (PС):\ 20 Вт

6. Коэффициент усиления (hFE): от 40 до 560

Помимо этого, A1270 обладает низким уровнем шума, быстрым временем переключения и низкими потерями мощности.

Транзистор A1270 может быть использован в различных устройствах, включая усилители мощности, блоки питания, инверторы и другие приложения, которые требуют высокой производительности и надежности.

Биполярный транзистор 2SA1270 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1270

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора:

2SA1270
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  kec 2sa1270.pdf

 8.1. Size:495K  no 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf

 8.2. Size:144K  jmnic 2sa1279.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1279 DESCRIPTION With TO-220F package Low collector saturation voltage APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec

 8.3. Size:240K  jmnic 2sa1276.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1276 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC3230 Good linearity of hFE APPLICATIONS General purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL P

 8.4. Size:39K  kec 2sa1271.pdf

 8.5. Size:34K  kec 2sa1273.pdf

 8.6. Size:174K  inchange semiconductor 2sa1279.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1279DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60

 8.7. Size:219K  inchange semiconductor 2sa1276.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1276DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3230Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Col

Другие транзисторы… 2SA1265N
, 2SA1265NO
, 2SA1265NR
, 2SA1266
, 2SA1267
, 2SA1268
, 2SA1269
, 2SA127
, 2SC2482
, 2SA1271
, 2SA1272
, 2SA1273
, 2SA1274
, 2SA1275
, 2SA1276
, 2SA1277
, 2SA1278
.

Характеристики транзистора A1270 на русском языке:

Тип: PNP

Максимальное напряжение коллектора (Vceo): 60 В

Максимальный ток коллектора (Ic): 10 А

Максимальная мощность потери (Pc): 125 Вт

Коэффициент передачи тока по току (hFE): от 30 до 240

Максимальное напряжение эмиттера (Vеo): 6 В

Максимальное значение температуры (Tj): +150°C

Схема выводов:

1. База (Base)

2. Эмиттер (Emitter)

3. Коллектор (Collector)

Применение:

Транзистор A1270 широко используется в электронике, включая усилители мощности, блоки питания и другие электронные устройства, где требуется усиление и переключение сигналов.

Важно помнить, что перед применением транзистора A1270 рекомендуется ознакомиться с его документацией и техническими характеристиками для правильного использования и оптимальной производительности

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

Datasheet Download — BLUE ROCKET ELECTRONICS

Номер произв	A1273
Описание	PNP Transistor
Производители	BLUE ROCKET ELECTRONICS
логотип
1Page No Preview Available ! TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1273 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to KTC3205. MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter VCBO VCEO Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage IC Collector Current -Continuous PC Collector Power Dissipation TJ Junction Temperature Tstg Storage Temperature Value -30 -30 -5 -2 1 150 -55-150 Unit V V V A W ℃ ℃ 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Transition frequency Collector output capacitance Symbol Test conditions Min Typ V(BR)CBO IC=-1mA, IE=0 -30 V(BR)CEO IC= -10mA, IB=0 -30 V(BR)EBO IE= -1mA, IC=0 -5 ICBO VCB=-30V, IE=0 IEBO VEB=-5V, IC=0 hFE VCE= -2V, IC=-500mA 100 VCE(sat) IC=-1.5A, IB=-30mA VBE VCE= -2V, IC= -500mA fT VCE= -2V, IC= -500mA Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHZ 120 48 Max -0.1 -0.1 320 -2.0 -1.0 Unit V V V μA μA V V MHz pF CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range O 100-200 Y 160-320 Page 1 of 2 3/26/2014 No Preview Available ! Typical Characteristics -1200 -1000 -800 -600 -400 -200 -0 -0 -1000 Static Characteristic COMMON EMITTER Ta=25℃ -5mA -4.5mA -4mA -3.5mA -3mA -2.5mA -2mA -1.5mA -1mA IB=-0.5mA -1 -2 -3 -4 -5 COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V) V CEsat —— IC -6 1000 100 10 -1 -1000 -900 2SA1273 HFE —— IC Ta=100℃ Ta=25℃ COMMON EMITTER VCE= -2V -10 -100 COLLECTOR CURRENT IC (mA) -1000 -2000 V BEsat —— IC -100 Ta=100 ℃ Ta=25℃ -10 -600 Ta=25℃ Ta=100 ℃ -300 -1 -1 -2000 -1000 -10 -100 COLLECTOR CURRENT IC (mA) IC —— VBE β=50 -1000 -2000 -100 -10 -1 -0.1 1000 100 10 COMMON EMITTER VCE= -2V -300 -400 -500 -600 -700 -800 -900 -1000 BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV) C /C ob ib —— V /V CB EB f=1MHz IC=0/IE=0 Ta=25 ℃ Cib Cob 1 -0.1 -1 -10 COLLECTOR-BASE VOLTAGE VCB/VEB (V) -30 -1 200 100 -10 -100 COLLECTOR CURREMT IC fT —— IC (mA) β=50 -1000 -2000 10 1200 1000 800 600 400 200 COMMON EMITTER VCE=-2V Ta=25℃ -10 -100 COLLECTOR CURRENT IC (mA) Pc —— Ta 25 50 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃) 150 Page 2 of 2 3/26/2014
Всего страниц	2 Pages
Скачать PDF

Преимущества транзистора A1270

• Высокая мощность: Транзистор A1270 имеет высокий предел мощности, что позволяет использовать его в приложениях с высокими требованиями к мощности.
• Низкое внутреннее сопротивление: Низкое внутреннее сопротивление транзистора A1270 обеспечивает меньшее потребление энергии и более эффективную работу устройств, где он применяется.
• Широкий диапазон рабочих температур: Транзистор A1270 может работать в широком диапазоне рабочих температур, что делает его подходящим для использования в условиях сильных колебаний температуры.
• Высокая надежность: Благодаря использованию высококачественных материалов и технологий производства, транзистор A1270 обладает высокой надежностью и длительным сроком службы.
• Простота в установке и подключении: Транзистор A1270 имеет стандартные габариты и пин-конфигурацию, что облегчает его установку и подключение в различных схемах и устройствах.

Преимущества транзистора A1270 делают его идеальным выбором для многих приложений, включая источники питания, усилители мощности, контроллеры и драйверы различных устройств. Благодаря своим характеристикам и высокой производительности, транзистор A1270 является одним из наиболее востребованных компонентов на рынке электроники.

↑ Функция REM

уже сделана в преобразователе, но она мне не очень нравится. Её я перевел на постоянный плюс, а REM организовал при помощи 2-х релюшек (такие обычно идут с сигнализациями, центральными замками), каждая на свой преобразователь и приклеил их на суперклей к корпусу. Подключил так: там четыре контакта, два на питание и два силовых. На один силовой подключил постоянный плюс, на второй плюс к для питания преобразователя. На одну клему питания приходит постоянный минус, а на вторую клемму питания плюс берется с клеммы REM. Так, при включении магнитолы появляется плюс на релюшке, та включается, и на преобразователь приходит питание. Вот вобщем-то и все, осталось все спаять и скрутить.

Все разъемы и детали были куплены в магазине и на рынке. Итак, первое включение закончилось удачно, все работает, звук радует своей мощностью и четкостью. Я остался доволен.

2SA1270 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  kec 2sa1270.pdf

 8.1. Size:495K  no 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf

 8.2. Size:144K  jmnic 2sa1279.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1279 DESCRIPTION With TO-220F package Low collector saturation voltage APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec

 8.3. Size:240K  jmnic 2sa1276.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1276 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC3230 Good linearity of hFE APPLICATIONS General purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL P

 8.4. Size:39K  kec 2sa1271.pdf

 8.5. Size:34K  kec 2sa1273.pdf

 8.6. Size:174K  inchange semiconductor 2sa1279.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1279DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60

 8.7. Size:219K  inchange semiconductor 2sa1276.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1276DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3230Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Col

Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание

Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF

12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF

12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER

Yuan Dean Scientific
PDF