2n3773 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Кроме диодов

На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:

устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
SMD элементы.

Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.

Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.

Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.

Биполярный транзистор 2N2219A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2219A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2N2219A
Datasheet (PDF)

..1. Size:55K philips 2n2219 2n2219a 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N2219; 2N2219ANPN switching transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 May 07File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistors 2N2219; 2N2219AFEATURES PINNING High current (max. 800 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40

..2. Size:168K st 2n2222a 2n2219a.pdf

2N2219A2N2222AHIGH SPEED SWITCHESPRELIMINARY DATADESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon PlanarEpitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)metal case. They are designed for high speedswitching application at collector current up to500mA, and feature useful current gain over awide range of collector current, low leakage

..3. Size:166K st 2n2219a 2n2222a.pdf

..4. Size:327K mcc 2n2219a to-39.pdf

MCCTMMicro Commercial ComponentsMicro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth 2N2219ACA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939SWITCHINGFeaturesFeaturesTRANSISTOR Collector — Base Voltage 75 V Collector — Current 800 mA Medium Current, Bipolar TransistorSMALL SIGNAL Marking: Type number BIPOLAR Lead Free Finish/RoHS Complian

..5. Size:161K microsemi 2n2218 2n2218a 2n2218al 2n2219 2n2219a 2n2219al.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN-SWITCHING SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/251 DEVICES LEVELS 2N2218 2N2219 JAN2N2218A 2N2219A JANTX2N2218AL 2N2219AL

8.1. Size:71K st 2n2218-2n2219-2n2221-2n2222.pdf

2N2218-2N22192N2221-2N2222HIGH-SPEED SWITCHESDESCRIPTIONThe 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili-con planar epitaxial NPN transistors in JedecTO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in JedecTO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases. Theyare designed for high-speed switching applicationsat collector currents up to 500 mA, and feature use-ful current gain over a wide range of

8.2. Size:56K central 2n2218-a 2n2219-a.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

8.3. Size:58K microsemi 2n2218 2n2219.pdf

TECHNICAL DATA NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/251 Devices Qualified Level JAN 2N2218 2N2219 JANTX 2N2218A 2N2219A JANTXV 2N2218AL 2N2219AL JANS MAXIMUM RATINGS 2N2218 2N2218A; L Ratings Symbol Unit 2N2219 2N2219A; L Collector-Emitter Voltage 30 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 75 Vdc VCBO TO- 39* (TO-205AD) Emitter-B

Другие транзисторы… 2N2217-51
, 2N2217A
, 2N2218
, 2N2218A
, 2N2218AQF
, 2N2218AS
, 2N2218S
, 2N2219
, 2SB817
, 2N2219AL
, 2N2219AQF
, 2N2219AS
, 2N2219S
, 2N222
, 2N2220
, 2N2220A
, 2N2221
.

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

сетевые адаптеры мобильных устройств;
электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
электронные трансформаторы;
другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Основная классификация транзисторов, параметры

Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам.

Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на:

транзисторы малой мощности,
транзисторы средней мощности,
транзисторы большой мощности.

По частоте транзисторы делят на:

низкочастотные,
среднечастотные,
высокочастотные,
сверхвысокочастотные.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы разделяют на:

германиевые,
кремниевые.

Основными параметрами биполярных транзисторов являются:

статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;
статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или а = в/(1 + в);
обратный ток коллектора Іко;
граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
максимальный ток стока Іс. макс;
напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
К209 – ромб (серая точка).
К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
КТ342 – четверть круга (синяя точка).
КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
К366 – буква Т (цвета нет).
КТ6127 – перевернутая буква П.
КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
КТ638 – без символа (оранжевая точка).
КТ680 – буква Г.
КТ681 – вертикальная палочка.
КТ698 – буква П.