Особенности:
- Транзистор D1273 обладает высокой мощностью и надежностью, что делает его идеальным для использования в различных электронных устройствах.
- Он имеет низкое значение внутреннего сопротивления, что способствует эффективной передаче сигнала.
- Транзистор D1273 обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет усилить слабый сигнал и обеспечить лучшую четкость звука или изображения.
- Он обладает высокой рабочей температурой, что позволяет использовать его в условиях повышенной нагрузки и длительной работы без перегрева.
- Транзистор D1273 имеет низкое значение шума, что обеспечивает чистую передачу сигнала и улучшенную звуковую или видеоизображение.
- Он также обладает низким уровнем искажений, что делает его идеальным для использования в аудио- и видеоустройствах, где качество сигнала критично.
Примеры применения транзистора D1273
Транзистор D1273 широко используется в электронике благодаря своим характеристикам и возможностям. Ниже приведены несколько примеров применения этого транзистора:
- Усилитель мощности: D1273 может использоваться в усилителях мощности для усиления сигнала и управления нагрузкой, таких как динамики и громкоговорители.
- Электронная коммутация: благодаря быстрой переключаемости, D1273 может использоваться в различных схемах коммутации, таких как схемы временного отключения или изменения направления тока.
- Источник питания: транзистор D1273 может использоваться в схемах источников питания для стабилизации напряжения и обеспечения надежного питания других электронных компонентов.
- Инверторы и преобразователи: D1273 может использоваться в схемах инверторов и преобразователей для преобразования постоянного тока в переменный ток или наоборот.
- Электронные схемы генерации сигналов: благодаря высокой скорости переключения, D1273 может использоваться в электронных схемах генерации сигналов, таких как генераторы импульсов и частотных счетчиков.
Это лишь некоторые примеры применения транзистора D1273. Его универсальные характеристики и высокая производительность делают его привлекательным для использования во множестве различных электронных устройств и схем.
2SA1273 Datasheet (PDF)
..1. Size:495K no 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf
..2. Size:34K kec 2sa1273.pdf
8.1. Size:144K jmnic 2sa1279.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1279 DESCRIPTION With TO-220F package Low collector saturation voltage APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec
8.2. Size:240K jmnic 2sa1276.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1276 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC3230 Good linearity of hFE APPLICATIONS General purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL P
8.3. Size:39K kec 2sa1270.pdf
8.4. Size:39K kec 2sa1271.pdf
8.5. Size:174K inchange semiconductor 2sa1279.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1279DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60
8.6. Size:219K inchange semiconductor 2sa1276.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1276DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3230Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Col
Схема подключения
Для правильной работы транзистора A1273 необходимо подключить его согласно следующей схеме:
Шаг 1:
Подключите коллектор транзистора к положительному источнику питания с помощью резистора сопротивлением от 1 до 10 кОм. Этот резистор будет ограничивать ток коллектора.
Шаг 2:
Подключите базу транзистора к источнику управляющего сигнала с помощью резистора сопротивлением от 1 кОм до 10 кОм. Этот резистор будет ограничивать ток базы транзистора и защищать его от повреждения.
Шаг 3:
Подключите эмиттер транзистора к отрицательному источнику питания или к земле.
Обратите внимание, что при подключении транзистора A1273 в схему необходимо учитывать его максимальные рабочие значения, указанные в технической документации. При необходимости также можно добавить дополнительные элементы в схему, такие как конденсаторы, диоды и другие компоненты для достижения требуемого функционала и стабильной работы транзистора
При необходимости также можно добавить дополнительные элементы в схему, такие как конденсаторы, диоды и другие компоненты для достижения требуемого функционала и стабильной работы транзистора.
Характеристики, аналоги и электрические параметры
Как указано в технических характеристиках, A928A – это биполярный кремниевый транзистор. Чаще всего его используют в выходных каскадах усилителей низкой частоты. Они имеют структуру p-n-p.
Цоколевка
Транзистор изготавливают в корпусе ТО-92L, который является стандартным ТО-92, только немного удлинённым. Часто при маркировке первые две буквы пропускаются вместо «KSA928A» наносится «A928A». Если взять KSA928A в руку так, чтобы видеть надпись на упаковке, а ножки смотрели вниз, то выводы будут располагаться в следующем порядке: слева – эмиттер, в середине – коллектор, а справа – база.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик, как и большинство производителей, начнём с рассмотрения предельно допустимых параметров. Они определяют максимально возможные значения, при которых может работать A928A. Если они выйдут за эти пределы, то транзистор сгорит.
Для A928A эти характеристики равны:
- напряжение К-Б: VCBO = -30 В;
- напряжение К-Э: VCEO = -30 В;
- напряжение Э-Б: VEBO = -5 В;
- ток коллектора IC = -2 А;
- мощность РС = 1 Вт;
- к-т уменьшения мощности при повышении температуры выше +25°С 8,0 мВт/°С;
- термическое сопротивление RΘJA = 125 °С/Вт;
- т-ра кристалла: Tj = 150°С;
- диапазон т-р хранения: Tstg = -55 … 150°С.
Теперь рассмотрим электрические значения, от них завися возможности KSA928A, а значит и сфера, в которой его можно использовать. Тестирование проводилось при стандартной температуре +25°С. Другие важные параметры которые могут оказать влияние на результаты измерения приведены в строке «Условия тестирования», приведённой ниже таблицы.
Электрические характеристики транзистора KSA928A (при Т = +25 оC):
| Параметры | Условия тестирования | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Напряжение между коллектором и базой, требуемое для пробоя | IC = -100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -30 | В | |
| Напряжение между коллектор и эмиттер, требуемое для пробоя | IC = -10 мA, IВ = 0 | V(BR)CEО | -30 | В | |
| Напряжение между эмиттер и база, требуемое для пробоя | IE = -1 мA, IC = 0 | V(BR)EBO | -5 | В | |
| Ток, проходящий через коллектор | VCВО= -30 В, IЕ = 0 | ICВO | -0,1 | мкА | |
| Ток проходящий через эмиттер | VEBО = -5 В, IC = 0 | IEBO | -0,1 | мкА | |
| Статический к-т усиления | VCE= -2 В, IC= -500 мA | hFE | 100 | 320 | |
| Напряжение коллектор-эмиттер, требуемое для насыщения | IC= -1,5 A, IB= -30 мA | V CE(sat) | -2 | В | |
| Напряжение база эмиттер | IC= -500мA, VCE= -2 В | V ВE | -1 | В | |
| Граничная частота к-та передачи тока | VCE=5В, IC= 10мA, f = 30 МГц | fT | 120 | МГц | |
| Выходная ёмкость | VCB= -10 В, IE = 0, f = 1 мГц | 48 | пФ |
Производители делят A928A на две группы, в зависимости от значения к-та усиления устройства, при включении его в стандартную схему с общим эмиттером.
- O – минимум 100, максимум 200;
- Y – минимум 160, максимум 320.
Аналоги
Среди аналогов KSA928A можно назвать следующие зарубежные транзисторы:
- 2SA1273;
- 2SB892;
- KTA1273.
Комплементарной парой для него является KSC2328A. Российских и СНГ устройств, идентичным по техническим характеристикам нет.
Производители
Изготовлением A928A занимаются множество иностранных компании. В отечественных магазинах данный транзистор чаще всего встречается выпущенное фирмой ON Semiconductor. Скачать Datasheet от каждого производителя можно тут.
Разъяснения символов в схеме
В схеме подключения транзистора A1273 присутствуют различные символы, которые обозначают определенные электрические компоненты и соединения. Ниже приведены разъяснения основных символов:
Q — Символ «Q» обозначает сам транзистор A1273. В данной схеме использован один транзистор A1273.
R — Символ «R» обозначает резистор. Резисторы используются для ограничения тока и изменения электрического сопротивления в схеме.
C — Символ «C» обозначает конденсатор. Конденсаторы используются для накопления и хранения электрической энергии в электрических схемах.
L — Символ «L» обозначает катушку индуктивности. Катушки индуктивности используются для создания магнитного поля, а также для фильтрации и изменения частоты сигналов в схеме.
D — Символ «D» обозначает диод. Диоды позволяют электрическому току проходить только в определенном направлении, блокируя его в обратном направлении.
B — Символ «B» обозначает соединение базы транзистора. Соединение базы определяет управляющий сигнал для работы транзистора.
E — Символ «E» обозначает соединение эмиттера транзистора. Эмиттер является одним из трех основных выводов транзистора и управляет током, проходящим через него.
C — Символ «C» обозначает соединение коллектора транзистора. Коллектор также является одним из основных выводов транзистора и используется для сбора тока от эмиттера.
Используя указанные символы в схеме и следуя ее схематическому изображению, можно правильно подключить транзистор A1273 и создать нужную электрическую схему.