Characteristics curves of 2SC2655 transistor
2SC2655 transistor characteristics
The figure shows the 2SC2655 transistor characteristics, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.
At different base current values, the current variations happen at the transistor with respect to the collector to emitter voltages.
current gain characteristics of the 2SC2655 transistor
The figure shows the current gain characteristics of the 2SC2655 transistor, the graph is plotted with dc current gain vs collector current.
At a fixed collector to emitter voltages, the gain variation is plotted at different temperature values.
Datasheet Download — Unisonic Technologies
| Номер произв | 2N5401 | ||
| Описание | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR | ||
| Производители | Unisonic Technologies | ||
| логотип | |||
|
1Page
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD VCEO = -150V * High current gain (3) x: refer to Classification of hFE (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
2N5401 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C , unless otherwise specified) PARAMETER VCBO -160 VCEO -150 VEBO -5 IC -600 mA Collector Dissipation PC 500 TJ +150 Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE1 hFE2 hFE3 VCE(SAT) Base-Emitter Saturation Voltage VBE(SAT) Current Gain Bandwidth Product fT Output Capacitance Note: Pulse test: PW<300µs, Duty Cycle<2% TEST CONDITIONS Ic = -100µA, IE = 0 Ic = -1mA, IB = 0 IE = -10µA, Ic = 0 VCB = -120V, IE = 0 VEB = -3V, Ic = 0 VCE = -5V, Ic = -1mA VCE = -5V, Ic = -10mA VCE = -5V, Ic = -50mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA VCE = -10V, Ic = -10mA f = 100MHz VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz Ic = -0.25mA, VCE = -5V Rs = 1kΩ, f = 10Hz ~ 15.7kHz CLASSIFICATION OF hFE RANK -0.2 V -0.5 -1 V 100 400 MHz
2N5401
TYPICAL CHARACTERISTICS 12 IE=0 8 -10 — 101 -102 Collector-Base Voltage (V) -103 -102 VCE =-5 V -101 -10 0 -0.2 -0.4 -0 .6 -0 .8 -1.0 103 V CE=- 10V 102 101 10 -10-1 -10-101 -10 2 -10 3 Collector Current, Ic(mA) 103 V CE=-5V 102 10 1 10 -10 -1 -10 -101 -102 -103 Collector Current , Ic (mA) -10 1 I C= 10* IB -10 VBE(SAT) -10 -1 VCE (SAT) -10 -2 — 10-1 -10 -101 -102 -103 Collector Current , Ic (mA) |
|||
| Всего страниц | 4 Pages | ||
| Скачать PDF |
Биполярный транзистор 2N5295 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5295
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
2N5295
Datasheet (PDF)
..1. Size:106K jmnic 2n5293 2n5295 2n5297.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5293 2N5295 2N5297 DESCRIPTION With TO-220 package High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VA
..2. Size:61K inchange semiconductor 2n5293 2n5295 2n5297.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5293 2N5295 2N5297 DESCRIPTION With TO-220 package High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIO
9.1. Size:71K central 2n5294 2n5296 2n5298.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
9.2. Size:343K cdil 2n5294 96 98.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package 2N5294, 2N5296, 2N52982N5294, 5296, 5298 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSMedium Power Switching and Amplifier ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.B EFA 14.42 16.51B 9.63 10.67C 3.56 4.83D0.90E
9.3. Size:127K jmnic 2n5294 2n5296 2n5298.pdf
Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistors 2N5294 2N5296 2N5298 DESCRIPTION With TO-220 package High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VAL
9.4. Size:121K inchange semiconductor 2n5294 2n5296 2n5298.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5294 2N5296 2N5298 DESCRIPTION With TO-220 package High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIO
9.5. Size:58K inchange semiconductor 2n5298.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5298 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage— : VCEO(SUS) = 60V(Min) Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = 1.0V(Max)@ IC= 1.5A, IB= 0.15A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for medium power switching amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING
9.6. Size:187K inchange semiconductor 2n5297.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N5297DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 1.5A, I = 0.15ACE(sat) C BWide Area of Safe Operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power
Другие транзисторы… 2N5288
, 2N5289
, 2N529
, 2N5290
, 2N5291
, 2N5292
, 2N5293
, 2N5294
, 2N2222
, 2N5296
, 2N5297
, 2N5298
, 2N53
, 2N530
, 2N5301
, 2N5302
, 2N5303
.
2655 vs 2SC3328
In this table, we try to list the electrical specifications of three transistor devices such as C2073, 2SD401, and TIP41F, this listing is really helpful for a better understanding of the devices.
| Characteristics | 2SC2655 | 2SC3328 |
|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 50V | 80V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 50V | 80V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 5V | 5V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | 0.5V | 0.15 to 0.5V |
| Collector current (IC) | 2A | 2A |
| Power dissipation | 900mW | 900mW |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 100MHZ | 100MHZ |
| Gain (hFE) | 40 to 240hFE | 40 to 240hFE |
| Turn ON time | 0.1us | 0.2us |
| Package | TO-92MOD, TO-92NL | TO-92MOD |
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;
транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.
Российское производство.
| Модель | PC | fT | UCBO | UEBO | IC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3904 | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | От 30 до 300 | ТО-92 |
| КТ375 А/Б | 0,2 | ≥ 250 | 60/30 | 5 | 0,1 | 100/280 | То-92 |
| КТ3117 А/Б | 0,5 | ≥ 200 | 60/75 | 4 | 0,4 | 300 | То-92 и КТ1-7 |
| КТ6137 А | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | 300 | ТО-92 |
| КТ3102 А/Б | 0,25 | ≥ 150 | 50 | 5 | 0,1 | 200/500 | |
| КТ660 А/Б | 0,5 | ≥ 200 | 50/30 | 5 | 0,8 | 450 |
Зарубежное производство.
Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.
| Модель | PC | fT | UCBO | UEBO | IC | Tj | hFE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3904 | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | 150 | 300 |
| 2SC2474 | 0,6 | ٭ | 60 | 6 | 0,2 | 150 | 150 |
| 2SC2475 | 0,6 | 60 | 6 | 0,6 | 200 | ||
| 2SC2477 | 0,6 | 60 | 6 | 0,6 | 150 | ||
| 2SC6136 | 0,5 | 600 | 8 | 0,7 | 100 | ||
| 2SD1388 | 0,7 | 200 | 60 | 6 | 1 | 250 | |
| 2SD1490 | 0,75 | 80 | 70 | 6 | 1 | 4000 | |
| 2SD1642 | 0,7 | 100 | 6 | 2 | 40 | ||
| 2SD1698 | 0,75 | 100 | 8 | 0,8 | 10000 | ||
| 2SD1701 | 0,75 | 1700 | 8 | 0,8 | 10000 | ||
| 2SD1853 | 0,7 | 80 | 6 | 1,5 | 2000 | ||
| 3DG3904 | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | 100 | |
| BTN3904A3 | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | 100 | |
| C266 | 0,825 | 60 | 10 | 2 | 175 | 45 | |
| ECG123AP | 0,5 | 300 | 75 | 6 | 0,8 | 200 | |
| ECG2341 | 0,8 | 300 | 80 | 1 | 150 | 2000 | |
| H2N3904 | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | 100 | |
| HEPS0015 | 0,31 | 300 | 60 | 0,6 | 135 | 200 | |
| HEPS0025 | 0,35 | 300 | 60 | 0,6 | 150 | 100 | |
| HSE424 | 0,31 | 400 | 60 | 80 | |||
| KN3903 | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | 50 | |
| KN3904 | 0,625 | 300 | 60 | 6 | 0,2 | 100 | |
| KN4401 | 0,35 | 250 | 60 | 6 | 0,6 | 100 | |
| KSC1072 | 0,8 | 60 | 8 | 0,7 | 40 | ||
| KSP8097 | 0,625 | 60 | 6 | 0,2 | 250 | ||
| KTC3245 | 0,625 | 400 | 6 | 0,3 | 50 | ||
| NTE46 | 0,625 | 100 | 12 | 0,5 | 10000 | ||
| P2N2222A | 0,625 | 300 | 75 | 6 | 0,6 | 100 |
٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.
Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.
Полезные страницы
- Набор GyverKIT – большой стартовый набор Arduino моей разработки, продаётся в России
- Каталог ссылок на дешёвые Ардуины, датчики, модули и прочие железки с AliExpress у проверенных продавцов
- Подборка библиотек для Arduino, самых интересных и полезных, официальных и не очень
- Полная документация по языку Ардуино, все встроенные функции и макросы, все доступные типы данных
- Сборник полезных алгоритмов для написания скетчей: структура кода, таймеры, фильтры, парсинг данных
- Видео уроки по программированию Arduino с канала “Заметки Ардуинщика” – одни из самых подробных в рунете
- Поддержать автора за работу над уроками
- Обратная связь – сообщить об ошибке в уроке или предложить дополнение по тексту ()
2n5401 transistor brief description
2n5401 is a PNP BJT transistor capable to handle high voltages, most of the applications based on 2n5401 are general purpose switching and amplifier circuits.
The collector to base voltage is -160V, collector to emitter voltage is -150V, and emitter to base voltage is -5v, this is the reason why 2n5401 is called the high voltage transistor.
The maximum collector current of 2n5401 is -600mA, the current value shows that 2n5401 is a moderate level transistor, which is capable of general-purpose applications.
The current gain range of 2n5401 is 60 to 240hFE, the magnifying level of this transistor is good.
The power dissipation of 2n5401 is 625mW, the dissipation value shows it is a low power transistor, so we can use it at any general-purpose application.
The noise figure range of 2n5401 is 8dB, the maximum noise value shows that 2n5401 has better noise at amplifier circuit applications.
The transition frequency value at 2n5401 is 400MHz, the frequency value shows the capability of this transistor at switching and amplifier circuits.
The junction temperature value at 2n5401 is -55 to +150°C, so the transistor had a good range of heat capacity.
Equivalent for 2n5401 transistor
The transistors such as 2SA1319, 2SA1625, KTA1275, 2SC2909, and 2SA709 are the perfect equivalent for the 2n5401 PNP transistor type.
Each of the transistors on this list had identical pinout details but different electrical specifications, so at the replacement process you need to check voltage and current value before exchanging.
NPN complementary transistor for 2n5401
2n5551 is the NPN complementary component for the 2n5401 transistor, the 2n5551 transistor had similar electrical and physical characteristics to 2n5401.
