B1116 pdf даташит

Характеристики транзистора d1555

2SB1116 Datasheet PDF — NEC

Part Number 2SB1116
Description PNP SILICON TRANSISTORS
Manufacturers NEC 
Logo  

There is a preview and 2SB1116 download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 6 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SB1116, 1116A
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
FEATURES

• Low VCE(sat)

VCE(sat) = −0.20 V TYP. (IC = −1.0 A, IB = −50 mA)

• High PT in small dimension with general-purpose

PT = 0.75 W, VCEO = −50/−60 V, IC(DC) = −1.0 A

• Complementary transistor with 2SD1616 and 1616A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (pulse)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC(DC)

IC(pulse)*

PT

Tj

Tstg

Ratings
2SB1116 2SB1116A

−60 −80

−50 −60

−6.0

−1.0

−2.0

0.75
150

−55 to +150

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Unit
V
V
V
A
A
W

°C

°C

Parameter
Symbol
Conditions
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current gain
DC current gain
DC
base voltage
Collector saturation voltage
Base saturation voltage
Output capacitance
Gain bandwidth product
Turn-on time
Storage temperature
Fall time

ICBO

IEBO

hFE1 **

hFE2 **

VBE **

VCE(sat) **

VBE(sat) **

Cob

fT

ton

tstg

tf

VCB = −60 V, IE = 0

VEB = −6.0 V, IC = 0

VCE = −2.0 V, IC = −100 mA

VCE = −2.0 V, IC = −1.0 A

VCE = −2.0 V, IC = −50 mA

IC = −1.0 A, IB = −50 mA

IC = −1.0 A, IB = −50 mA

VCB = −10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz

VCE = −2.0 V, IC = −100 mA

VCC = −10 V, IC = −100 mA

IB1 = −IB2 = −10 mA,

VBE(off) = 2 to 3 V

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
2SB1116, 1116A
MIN.
135
81

−600

70
TYP.
MAX.

−100

−100

600/400

−650

−0.20

−0.9

25
120
0.07
0.70
0.07

−700

−0.3

−1.2

Unit
nA
nA
mV
V
V
pF
MHz

µs

µs

µs

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D16195EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan

219928


2SB1116, 1116A
Data Sheet D16195EJ1V0DS
5


Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SB1116 electronic component.

Information Total 6 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование U КБ , В U КЭ , В I K , мА Р К , Вт h21 э I КБ , мА f, МГц U КЭ , В.
КТ815А 40 30 1500(3000) 1(10) 40-275 ≤50 ≥ 3 <0,6
КТ815Б 50 45 1500(3000) 1(10) 40-275 ≤50 ≥ 3 <0,6
КТ815В 70 65 1500(3000) 1(10) 40-275 ≤50 ≥ 3 <0,6
КТ815Г 100 85 1500(3000) 1(10) 30-275 ≤50 ≥ 3 <0,6

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

  • U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
  • U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
  • I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
  • Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
  • h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
  • I КБ — обратный ток вывода коллектора.
  • f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
  • U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

  • Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
  • Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: