2sd313 transistor datasheet, equivalent, pinout, specification

Условные обозначения электрических параметров Советских транзисторов

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения транзистора между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
КШ — коэффициент шума транзистора.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Замена транзистора ГТ313Б — зарубежный аналог 2N700 см. онлайн справочник отечественные транзисторы и их зарубежные аналоги.

Применение D313 транзистора в электронике

Преимущества использования транзистора D313 состоят в его высокой надежности, низком уровне шума и малом размере. Благодаря этим характеристикам D313 применяется в различных электронных устройствах:

Усилители мощности: D313 может использоваться в усилителях звука, радиоприёмниках и других устройствах, где требуется усиление сигнала.
Импульсные источники питания: благодаря высокой мощности рассеяния, транзистор D313 отлично подходит для использования в импульсных источниках питания.
Электронные ключи: D313 можно использовать в схемах электронных ключей для коммутации электрических цепей.
Источники синусоидального сигнала: благодаря высокой надежности и стабильности, транзистор D313 широко применяется в источниках синусоидального сигнала.

Общим преимуществом транзистора D313 является его простая установка и подключение в электронных схемах. Благодаря низкому уровню шума и высокой надежности, он является незаменимым элементом многих электронных устройств.

Важно помнить, что перед использованием транзистора D313 в своих проектах необходимо ознакомиться с его техническими характеристиками и правильно расчитать схему подключения

Характеристики D313 транзистора

Максимальное значение коллекторного тока: 2.0 А
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: 80 В
Максимальное значение мощности: 25 Вт
Максимальное значение температуры перехода: 150°C
Тип корпуса: TO-92
Минимальное значение коэффициента усиления по току: 25
Допустимые значения базового тока: от 10 до 100 мА

Эти характеристики делают D313 транзистором надежным и универсальным компонентом для различных электронных проектов. Он может использоваться в усилителях, источниках питания, управляющих схемах и многих других приложениях, где требуется усиление или коммутация сигнала.

Характеристики D313 транзистора: параметры, особенности

Основные параметры и характеристики D313:

Тип корпуса: TO-220

Максимальная мощность коллектора: 40 Вт

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В

Максимальный ток коллектора: 3 А

Максимальная рабочая температура: 150 °C

Параметры hFE (коэффициент усиления): от 30 до 120

Особенности D313:

1. Структура транзистора: D313 имеет эпитаксиальную базу и двойную эмиттерную структуру, что обеспечивает высокую производительность и надежность.

2. Низкий уровень шума: Транзистор D313 обладает низким уровнем шума, что делает его идеальным выбором для усилителей.

3. Широкий диапазон рабочих температур: D313 способен работать в широком диапазоне температур от -65 до +150 °C, что позволяет использовать его в различных условиях.

4. Применение: D313 транзистор может использоваться в различных схемах усиления и коммутации, включая аудиоусилители, силовые блоки питания, источники бесперебойного питания и другие электронные устройства, где требуется высокая мощность и надежность.

Даташит транзистора D313

Даташит транзистора D313 содержит полезную информацию о его характеристиках и возможностях. В таблице представлены различные параметры транзистора, а также их значения, которые могут быть использованы для правильной работы и настройки устройства.

Ниже приведена таблица с основными характеристиками транзистора D313:

Параметр	Значение
Тип транзистора	npn
Максимальное коллекторное напряжение (Vceo)	30 В
Максимальный пиковый коллекторный ток (Ic)	3 А
Максимальная мощность потерь (Pc)	25 Вт
Минимальное усиление по току коллектора (hfe)	40
Максимальная рабочая температура (Tj)	150 °C

Эти характеристики должны быть учтены при разработке и использовании электронных схем, где используется транзистор D313. Данный даташит поможет инженеру при выборе и конфигурации компонентов для получения оптимальных результатов.

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Основные технические характеристики транзистора ГТ313Б

Структура: p-n-p
Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц;
Uкбо — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
Uэбо — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10…75 при 5В; 5мА;
Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс

Что такое транзистор D313 и как он работает?

Внутри транзистора D313 есть три слоя — эмиттер, база и коллектор, которые состоят из материалов с различными типами проводимости. База разделена между коллектором и эмиттером, и она играет ключевую роль в передаче тока или напряжения между этими слоями.

Работа транзистора D313 основана на явлении инжекции носителей заряда при приложении напряжения к его базовому слою. Когда напряжение достигает определенного уровня, основные носители заряда (электроны или дырки) начинают инжектироваться из одного слоя в другой. Это позволяет контролировать поток тока через транзистор и использовать его в качестве усилителя или ключа в электронных схемах.

Транзистор D313 широко используется в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, источники питания, инверторы и т. д. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая частотность и низкое входное сопротивление, он позволяет эффективно управлять током и напряжением в электронных цепях и повышает производительность устройств.

Все, что нужно знать о D313 транзисторе

Основные характеристики D313 транзистора включают максимальное напряжение коллектора-база 60 В, максимальное напряжение коллектора-эмиттер 60 В, максимальную токовую нагрузку коллектора 200 мА и максимальную токовую нагрузку базы 10 мА. Он имеет также хорошие эксплуатационные характеристики при высоких температурах, что делает его подходящим для применения в различных условиях.

Параметры, которые необходимо учитывать при выборе транзистора D313:

Максимальное напряжение коллектора-база: 60 В — это максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и базой транзистора без нанесения повреждений.
Максимальное напряжение коллектора-эмиттер: 60 В — это максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора без нанесения повреждений.
Максимальная токовая нагрузка коллектора: 200 мА — это максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора.
Максимальная токовая нагрузка базы: 10 мА — это максимальный ток, который может поступать в базу транзистора.

Типичное применение D313 транзистора включает использование его в усилителях сигнала, аудиоусилителях и других электронных устройствах, где требуется усиление и управление сигналом

Важно учитывать параметры и характеристики транзистора при проектировании и сборке устройств для достижения желаемых результатов

2SD313 transistor characteristics curves

static characteristics of the 2SD313 transistor

The figure shows the static characteristics of the 2SD313 transistor, and the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

Multiple curves are been plotted at different base current values, as when the base current value increases collector current increases and forms a higher value curve with the collector to emitter voltage.

DC current gain characteristics of the 2SD313 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the 2SD313 transistor, the graph plots with DC current gain vs collector current.

At a constant collector-to-emitter voltage value, the DC current gain curves are been plots at three different temperature values.

The DC current gain curves is been increased from a particular value and become constant and decrease at the end.

safe operating area characteristics of the 2SD313 transistor

The figure shows the safe operating area characteristics of the 2SD313 transistor, the curve plots with collector current vs collector to emitter voltage and switching speed.

2SD313 vs 2SD880 vs 2SC1826

In the table below we listed the electrical specifications of 2SD313, 2SD880, and 2SC1826, this comparison is helpful for the replacement process.

Characteristics	2SD313	2SD880	2SC1826
Collector to base voltage (V_CB)	60V	60V	80V
Collector to emitter voltage (V_CE)	60V	60V	60V
Emitter to base voltage (V_EB)	5V	7V	6V
Collector to emitter saturation voltage (V_{CE (SAT)})	1V	1V	1V
Collector current (I_C)	3A	3A	4A
Pulsed collector current	8A	6A	—
Power dissipation	30W	30W	30W
Junction temperature (T_J)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150℃
Thermal resistance	4.16℃/W	4.16℃/W	—
Transition frequency (F_T)	5MHZ	3MHZ	10MHz
Gain (h_FE)	40 to 320hFE	60 to 300hFE	40 to 320hFE
Package	TO-220	TO-220C	To-220

2SD313 transistor electrical specification & application description

Here in this section, we describe the electrical specifications of the 2SD313 transistor, this is very useful for a better understanding of the transistor, and this information is also useful for the replacement process.

Voltage specs

The voltage specs of the 2SD313 transistor are a collector-to-emitter voltage is 60V, a collector-to-base voltage is 60V, and an emitter-to-base voltage is 5V, the voltage specifications show that it is an amplification and switching circuit.

The collector-to-emitter saturation voltage value of the 2SD313 transistor is 1V, it is the switching voltage of the device.