↑ Функция REM
уже сделана в преобразователе, но она мне не очень нравится. Её я перевел на постоянный плюс, а REM организовал при помощи 2-х релюшек (такие обычно идут с сигнализациями, центральными замками), каждая на свой преобразователь и приклеил их на суперклей к корпусу. Подключил так: там четыре контакта, два на питание и два силовых. На один силовой подключил постоянный плюс, на второй плюс к для питания преобразователя. На одну клему питания приходит постоянный минус, а на вторую клемму питания плюс берется с клеммы REM. Так, при включении магнитолы появляется плюс на релюшке, та включается, и на преобразователь приходит питание. Вот вобщем-то и все, осталось все спаять и скрутить.
Все разъемы и детали были куплены в магазине и на рынке. Итак, первое включение закончилось удачно, все работает, звук радует своей мощностью и четкостью. Я остался доволен.
ИНВЕРТОР 1
Этот инвертор предназначен только для питания сабвуферного усилителя по схеме ланзара. Выходное напряжение +/-65 Вольт. Инвертор не имеет стабилизацию выходного напряжения, но не смотря на это серьезные скачки напряжения не наблюдал. Построен инвертор по классической двухтактной схеме с применением ШИМ контроллера на микросхеме TL494. Трансформатор был намотан на двух кольцах марки 3000НМ (Евгений, спасибо, что выручил и с другого конца света выслал кольца), размеры колец 45*28*8. Если есть возможность, то используйте феррит марки 2000НМ, с ним меньше потерь в трансформаторе. Кольца не склеивал, просто обмотал прозрачным скотчем. Грани кольца не закруглял, просто перед намоткой сердечник обмотал полоской стекловолокна в два слоя. Стекловолокно не боится перегрева и обеспечивает довольно неплохую изоляцию обмоток, хотя в таких инверторах промышленного образца никогда не изолируют обмотки друг от друга, поскольку напряжение не столь высокое.
Намотка делалась двумя полностью идентичными шинами, каждая из шин состоит из 12 жил провода с диаметром 0,7 мм. Перед намоткой берем контрольный провод, им будем выяснять, какой длины нужна шина. Контрольный провод может быть любым, любого сечения (для удобства диаметр подобрать 0,3-1 мм), Итак, берем контрольный провод и мотаем 5 витков по на кольце, витки равномерно растягивая по всему кольцу. Теперь отматываем обмотку измеряя длину, допустим длина провода составила 20 см, следовательно для намотки основной обмотки провод нужно брать с запасом 5-7 см, т.е. 25-27 см, разумеется, длина не точная и привел только для примера. Теперь переходим дальше. Поскольку первичная (силовая) обмотка у нас состоит из двух полностью аналогичных плеч, то нам нужны 24 жилы провода 0,7 мм одинаковой длины. Дальше нужно собрать шины из 12 жил, концы жил скручиваем и переходим к процессу намотки.
В разных источниках приводятся отличающиеся друг от друга технологии намотки, этот метод отличается тем, что позволяет получить максимально равноценные обмотки. Намотку делаем сразу двумя шинами, желательно использовать жгут для удобства, но я мотал без него. Максимально аккуратно мотаем 5 витков по всему кольцу, в итоге у нас получается 4 отвода. Для стойкости витков обмотку изолируем, пробная изоляция может быть любой — скотч, изолента, нитки и т.п, лишь бы обмотка держалась, если уверены в правильности намотки, то можно ставить конечную изоляцию (в моем случае опять стекловолокно). Теперь нужно сфазировать обмотки, подключая начало первой полуобмотки (плеча) к концу второй или наоборот начало второй, к концу первой. Мест стыковки обмоток есть отвод от середины, на него подается силовой плюс 12 Вольт по схеме. Вторичная обмотка мотается и фазируется по тому же принципу, что и первичная. Обмотка состоит из 2х24 витков, мотается двумя шинами. Каждая шина состоит из 5 жил провода 0,7 мм.
Диодный выпрямитель собран из 4-х диодов серии КД213А. Это импульсные диоды с обратным напряжением до 200 Вольт, отлично себя чувствуют на частотах 50-80 кГц (хотя могут работать на частотах до 100 кГц), а максимально допустимый ток 10 Ампер — то, что нужно. В дополнительном охлаждении диоды не нуждаются, хотя в ходе работы может наблюдаться тепловыделение.
Дросселя в выходной цепи использовал готовые, от компьютерных блоков питания. Намотаны дросселя на ферритовом стержне (длина 1,5-2 см, диаметр 6 мм). Обмотка содержит 5-6 витков, намотана проводом 2-2,5 мм, для удобства можно мотать несколькими жилами более тонкого провода. Сглаживающие электролиты брал с напряжением 100 Вольт 1000 мкФ, работают с большим запасом. В итоге на плате инвертора 4 таких конденсатора в плече, еще два аналогичных стоят на плате усилителя Ланзар, т.е общая емкость фильтров в плече 5000 мкФ. Перед и после дросселей стоят пленочные конденсаторы с напряжением 100 Вольт, их емкость не особа критична и может быть в районе 0,1-1 мкФ.
2N3906 характеристики. 2N3906 datasheet. PNP.
2N3906 PNP
ЗАСТОСУВАННЯ:
ДОБРЕ ПІДХОДИТЬ ДЛЯ ТВ ТА ПОБУТОВОЇ ТЕХНІКИ
МАЛОГО НАВАНТАЖЕННЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЧОГО ТРАНЗИСТОРА
2N3906 datasheet pdf
TO-92
Заміна та аналог транзистора 2N3906:
2N4403, 2SA696, 2SA697, 2SA708, BC527, BC528, KN2907, KN2907A, KN3906, KSA708, KSP2907A, KSP55, KSP56, KSP8598, KSP8599, KTN2907, KTN2907A, MPS2907, MPS2907A, MPS2907AG, MPS2907G, MPS3906, MPS4354, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPS8598, MPS8598G, MPS8599, MPS8599G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, P2N2907A, P2N2907AG, PN200, PN2905, PN2905A, PN2907, PN2907A, PN4354, PN4355, ZTX550 or ZTX951.
Характеристики 2N3906
| Параметр | Символ | Значення | Одиниця |
| Напруга колектор – емітер | VCEO | 60 | Vdc |
| Напруга колектор − база | VCBO | 40 | Vdc |
| Напруга емітер − база | VEBO | 6 | Vdc |
| Максимально допустимий постійний струм колектора | IC | 200 | mAdc |
| Загальна розсіювана потужність при TA = 25°C | PD | 625 | mWmW/°C |
| Загальна розсіювана потужність при TA = 60°C | PD | 250 | WmW/°C |
| Температура зберігання | T stg | -65 to 150 | °C |
| Макс. Робоча температура | T j | 150 | °C |
ТЕПЛОВІ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N3906
| Характеристика | Символ | Max. | Одиниця |
| Термічний опір, з’єднання з навколишнім середовищем | RJA | 200 | °C/W |
| Термічний опір, з’єднання з корпусом | RJC | 83.3 | °C/W |
ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N3906
(TA = 25°C, якщо не зазначено інше)
| Характеристика | Символ | Min. | Max. | Одиниця |
| ВИМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ | ||||
| Напруга пробою колектор–емітер (IC = 1. 0 mAdc, IB = 0) | V(BR)CEO | 40 | – | Vdc |
| Напруга пробою колектор-база (IC = 10 μAdc, IE = 0) | V(BR)CBO | 40 | – | Vdc |
| Напруга пробою база-емітер (IE = 10 μAdc, IC = 0) | V(BR)EBO | 5.0 | – | |
| Базовий граничний струм (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc) | IBL | – | 50 | nAdc |
| Струм відсічення колектора (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc) | ICEX | – | 50 | nAdc |
| ВВІМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ | ||||
| Коефіцієнт постійного струму(IC = 0.1 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 1.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) | hFE | 60801006030 | −−300−− | − |
| Напруга насичення колектор–емітер(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc | VCE(sat) | −− | 0.250.4 | Vdc |
| Напруга насичення бази-емітера (IC = 10 mAdc, IB = 1. 0 mAdc)(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc) | VBE(sat) | 0.65− | 0.850.95 | Vdc |
ХАРАКТЕРИСТИКИ СЛАБОГО СИГНАЛУ
| Характеристика | Символ | Min | Max | Одиниця |
| Коефіцієнт підсилення струму − добуток пропускної здатності (IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz) | fT | 250 | − | MHz |
| Вихідна ємність (VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) | C obo | − | 4.5 | pF |
| Вхідна ємність (VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz) | C ibo | − | 10 | pF |
| Вхідний опір (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1. 0 kHz) | hie | 2.0 | 12 | kΩ |
| Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) | hre | 0.1 | 10 | X10− 4 |
| Підсилення струму слабкого сигналу (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz | hfe | 100 | 400 | − |
| Вихідний допуск (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) | hoe | 3.0 | 60 | μmhos |
| Коефіцієнт шуму (IC = 100μ Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k, f = 1.0 kHz) | NF | − | 4.0 | dB |
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕМИКАННЯ
| Характеристика | Символ | Min | Max | Одиниця | |
| Час затримки | (VCC = 3.0 Vdc, VBE = 0.5 Vdc,IC = 10 mAdc, IB1 = 1. 0 mAdc) | td | − | 35 | ns |
| Час наростання | (VCC = 3.0 Vdc, VBE = 0.5 Vdc,IC = 10 mAdc, IB1 = 1.0 mAdc) | tr | − | 35 | ns |
| Час зберігання | (VCC = 3.0 Vdc, IC = 10 mAdc, IB1 = IB2 = 1.0 mAdc) | ts | − | 225 | ns |
| Час спаду | (VCC = 3.0 Vdc, IC = 10 mAdc, IB1 = IB2 = 1.0 mAdc) | tf | − | 75 | ns |
Биполярный транзистор 2SA1271 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1271
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора:
2SA1271
Datasheet (PDF)
..1. Size:495K no 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf
..2. Size:39K kec 2sa1271.pdf
8.1. Size:144K jmnic 2sa1279.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1279 DESCRIPTION With TO-220F package Low collector saturation voltage APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec
8.2. Size:240K jmnic 2sa1276.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1276 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC3230 Good linearity of hFE APPLICATIONS General purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL P
8.3. Size:39K kec 2sa1270.pdf
8.4. Size:34K kec 2sa1273.pdf
8.5. Size:174K inchange semiconductor 2sa1279.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1279DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60
8.6. Size:219K inchange semiconductor 2sa1276.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1276DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3230Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Col
Другие транзисторы… 2SA1265NO
, 2SA1265NR
, 2SA1266
, 2SA1267
, 2SA1268
, 2SA1269
, 2SA127
, 2SA1270
, SS8050
, 2SA1272
, 2SA1273
, 2SA1274
, 2SA1275
, 2SA1276
, 2SA1277
, 2SA1278
, 2SA1279
.
ПЕРВОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ
Первый запуск инвертора стоит сделать от лабораторного БП с защитой от КЗ, при этом в момент запуска защита может ошибочно сработать, если блок маломощный, в моем случае использовался переделанный БП с током 3,5 А. Холостой ток инвертора 170-280 мА, зависит от правильного расчета трансформатора, рабочей частоты генератора и типа полевых ключей, немалую роль играет резистор снаббера, в моем случае с ним пришлось чуток поиграться, чтобы снизить потребление схемы.
Во время холостого хода, на ключах не должно наблюдаться тепловыделения, если оно есть, то имеется проблема с монтажом или нерабочий компонент. Перед запуском промойте плату от флюсов, для этого можно использовать ацетон или растворитель. А теперь приступаем собственно к самому блоку УМЗЧ…
После успешного запуска блока питания, переходим к самой интересной части конструкции — блок усилителей мощности звука. В том числе фильтр низких частот для сабвуфера и модуль стабилизации.
Входные каскады — сумматор и фильтр
В качестве сумматора сигналов левого и правого каналов, а также для выделения НЧ-составляющей из общего сигнала была применена приведённая ниже схема:
Схема — одна из множества подобных схем, которые опубликованы на различных радиосайтах и выполняют одну функию — суммирование сигналов и выделение НЧ-сигнала с возможностью регулировки частоты среза. В эту схему были внесены, однако, некоторые изменения:
- на входах L и R добавлены конденсаторы ёмкостью по 1 mF (плёночные) перед резисторами R1, R2 для развязки от возможной постоянной составляющей от источника сигнала;
- ёмкость конденсатора С1 увеличена до 3300 рF;
- сопротивление резистора регулировки ОС R3 увеличено до 100 кОм;
- сопротивление резистора регулировки частоты среза R5 и R7 (сдвоенный) увеличено до 100 кОм.
Питание на ОУ можно взять непосредственно с ножек 4 и 7 микросхемы 140УД708 усилителя мощности или же собрать простейший стабилизатор на ограничительных резисторах и стабилитронах, как и для ОУ усилителя мощности (на фото он присутствует в виде небольшой отдельной платки). Также, при желании или необходимости можно добавить фильтр-сабсоник, который представляет собой обычно простейший фильтр 2-го порядка и «срезает» частоты ниже 10-15 Гц, но это … при желании. В этом отношении высказывается много различных мнений, в частности о том, фильтр какого порядка лучше — первого, второго или третьего и другие тонкости и схемы также существуют в большом множестве — пассивные, на ОУ и транзисторах. В данной статье я не сумею раскрыть эту тему в полной мере и этот вопрос, опять же — при желании, каждый может изучить самостоятельно на досуге)) При уровне «качества» автомобильной музыки наличие или отсутствие узла-сабсоника вряд-ли критично.
↑ Корпус
делал из листа аллюминия толщиной 1мм, и размерами 22х50см. Этот лист до моего использования выглядел как табличка номера маршрутки. Досталась она так: брат ехал с друзьями в маршрутном такси, маршрутчик серьезно и необоснованно нагрубил, вот и сперли её. С этой табличкой я намучался, отчищаяя её от наклеек, ушло около 2-х дней. Затем принялся гнуть, гнул с помошью металического уголка 4х4см и резинового молотка. Сначала гнул руками прижимая аллюминий уголком к полу. Затем на нем-же выстукивал углы корпуса.
Получился корпус с такими размерами: днище- 30х22см, высота — 4.1см, верхние части получились 10х22см. Потом по углам корпуса прикрутил аллюминевые брусочки 10х10мм, к которым будет крепится передняя и задняя стенки. Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.
Весь корпус покрасил матовой краской с балончика.
. Все транзисторы и микросхемы изолированы от корпуса слюдяными прокладками.
Стенки делал из оргстекла толщиной 4мм, так как других вариантов не придумалось. В этих стенках с помошью паяльника и надфеля вырезал отверстия под все разъемы и выключатели. Покрасил с внутренней стороны матовой краской с балончика и установил все разъемы, выключатели, переменные резисторы и светодиоды. На передней стенке установлены: выключатели, раземы RCA,спаренные резисторы по 50кОм категории B, светодиоды, красный (индикация питания всего усилителя) подключен к входу питания преобразователя через резистор на 1кОм 0.25вт, два зеленых (индикация работы преобразователей) подключены к выходам преобразователей на плюсовое плечо через резисторы по 3кОм 0.25вт.
На задней стенке размещены разъемы для подключения динамиков (не самый удачный вариант разъемов для авто-усилителя), разъем для подключения питания (этот девайс должен был использоватся как тройничек, но я его применил в таком исполнении), а также сзади два разъема под предохранители.
Эти стенки крепятся к корпусу двумя большими болтами, которые вкручиваются в брусочки по углам, а также 4мя маленькими болтиками вкручеными непосредственно в оргстекло (резьбу в нем нарезал метчиком на 1.2мм).
ТУТ ВИДЕО
Совсем не дурно, почти hi-end! На самом деле если ориентироваться только по КНИ, то этот усилитель полноценный HI-END, но для хай-энда этого не достаточно, поэтому его отнесли к старому и доброму разряду hi-fi. Несмотря на то, что усилитель развивает всего 100 ватт, он на порядок сложнее аналогичных схем, но сама сборка не составит труда при наличии всех компонентов. Отклонять номиналы схемы не советую — мой опыт это подтверждает.
Маломощные транзисторы в ходе работы могут перегреваться, но волноваться не стоит — это их нормальный режим работы. Выходной каскад, как уже сказал, работает в классе АВ, следовательно, выделятся огромное количество тепла, которое нужно отводить. В моем случае они укреплены на общий теплоотвод, которого более, чем достаточно, но на всякий случай, имеется также и активное охлаждение.
После сборки нас ждет первый запуск схемы. Для этого советую еще раз прочитать запуск и настройку Ланзара — тут все делается точно таким же образом. Первый запуск делаем с закороченной на землю входом, если все ОК, то размыкаем вход и подаем звуковой сигнал. К тому времени все силовые компоненты должны быть укреплены на теплоотвод, а то восхищаясь музыкой можете не заметить, как дымят ключи выходного каскада — каждый из них стоит очень и очень.
Мы наконец заставили достойно звучать наш усилитель домашней аудиосистемы, проверили его работоспособность, оценили качество звука основного канала. Самое время добавить в него модуль защиты от случайных замыканий, чтоб вся работа не пошла лесом, из-за неизбежных случайностей в процессе его эксплуатации. Также соберём остальные маломощные каналы УНЧ, для подключения тыловых колоночек.
Datasheet Download — BLUE ROCKET ELECTRONICS
| Номер произв | A1273 | |
| Описание | PNP Transistor | |
| Производители | BLUE ROCKET ELECTRONICS | |
| логотип | ||
|
1Page
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1273 TRANSISTOR (PNP) FEATURES MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO Collector-Base Voltage VEBO Emitter-Base Voltage IC Collector Current -Continuous PC Collector Power Dissipation TJ Junction Temperature Tstg Storage Temperature Value ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Min Typ V(BR)CBO IC=-1mA, IE=0 -30 V(BR)CEO IC= -10mA, IB=0 -30 V(BR)EBO IE= -1mA, IC=0 -5 ICBO VCB=-30V, IE=0 IEBO VEB=-5V, IC=0 hFE VCE= -2V, IC=-500mA 100 VCE(sat) IC=-1.5A, IB=-30mA VBE VCE= -2V, IC= -500mA fT VCE= -2V, IC= -500mA Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHZ 120 μA μA V CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank
Typical Characteristics
-1200 Ta=25℃ -5mA IB=-0.5mA -1 -2 -3 -4 -5 COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V) V IC -6 HFE —— IC Ta=100℃ Ta=25℃ COMMON EMITTER VCE= -2V -10 -100 COLLECTOR CURRENT IC (mA) -1000 -2000 IC -100 Ta=100 ℃ Ta=25℃ -10 Ta=25℃ Ta=100 ℃ -300 COLLECTOR CURRENT IC (mA) IC —— VBE β=50 -1000 -2000 VCE= -2V -300 BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV) C /C IC=0/IE=0 Ta=25 ℃ Cib COLLECTOR-BASE VOLTAGE VCB/VEB (V) -30 COLLECTOR CURREMT IC fT —— IC (mA) β=50 -1000 -2000 COMMON EMITTER Ta=25℃ -10 -100 COLLECTOR CURRENT IC (mA) Pc —— Ta AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃) 150 |
||
| Всего страниц | 2 Pages | |
| Скачать PDF |
