2sa1215 pdf даташит

Транзистор a1273: характеристики и datasheet

↑ Функция REM

уже сделана в преобразователе, но она мне не очень нравится. Её я перевел на постоянный плюс, а REM организовал при помощи 2-х релюшек (такие обычно идут с сигнализациями, центральными замками), каждая на свой преобразователь и приклеил их на суперклей к корпусу. Подключил так: там четыре контакта, два на питание и два силовых. На один силовой подключил постоянный плюс, на второй плюс к для питания преобразователя. На одну клему питания приходит постоянный минус, а на вторую клемму питания плюс берется с клеммы REM. Так, при включении магнитолы появляется плюс на релюшке, та включается, и на преобразователь приходит питание. Вот вобщем-то и все, осталось все спаять и скрутить.

Все разъемы и детали были куплены в магазине и на рынке. Итак, первое включение закончилось удачно, все работает, звук радует своей мощностью и четкостью. Я остался доволен.

Биполярный транзистор 2SA1012 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

2SA1012
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  toshiba 2sa1012.pdf

 ..2. Size:343K  utc 2sa1012.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1012 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION FEATURES *Low Collector Saturation Voltage V =-0.4V(max.) At I =-3A CE(SAT) C*High Speed Switching Time: t =1.0s (Typ.) S*Complementary To 2SC2562 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SA1012L-x-TA3-

 ..3. Size:116K  mospec 2sa1012.pdf

AAA

 ..4. Size:1282K  jiangsu 2sa1012.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Current Switching Applications. Low Collector Saturation Voltage High Speed Swithing Time 1. BASE 2. COLLECTOR3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base

 ..5. Size:119K  jmnic 2sa1012.pdf

Power Transistors www.jmnic.com 2SA1012 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package Complementary to 2SC2562 Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage -60 V VCEO Collector to emitter voltage -50 V VEBO Emitter to base voltage -5 V IB Base current A IC Collector current -5 A PC Collector power dissip

 ..6. Size:318K  lge 2sa1012.pdf

2SA1012(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOTR3. EMITTER 3 21FeaturesHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = — 0.4V(MAX) at IC= — 3A High Speed Swithing Time : tstg = 1.0us (Typ.) Complementary to 2SC2562 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

 ..7. Size:226K  lzg 2sa1012 3ca1012.pdf

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 ..8. Size:242K  inchange semiconductor 2sa1012.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2562100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:742K  jiangsu 2sa1012b.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012B TRANSISTOR (PNP) FEATURES TO-252-2L -2A,-50V Middle Power Transistor Suitable for Middle Power Driver Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS 1. BASE Middle Power Driver 2. COLLECTOR LED Driver Power Supply3. EMITTER MARKING A1012B= Dev

 0.2. Size:583K  semtech st2sa1012.pdf

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec

 0.3. Size:196K  inchange semiconductor 2sa1012-d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012-DDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching Speed TO-252 Package-D=Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы… 2SA1008
, 2SA1009
, 2SA1009A
, 2SA101
, 2SA1010
, 2SA1011
, 2SA1011D
, 2SA1011E
, 2SC2655
, 2SA1012O
, 2SA1012Y
, 2SA1013
, 2SA1013O
, 2SA1013R
, 2SA1014
, 2SA1015
, 2SA1015L
.

↑ Корпус

делал из листа аллюминия толщиной 1мм, и размерами 22х50см. Этот лист до моего использования выглядел как табличка номера маршрутки. Досталась она так: брат ехал с друзьями в маршрутном такси, маршрутчик серьезно и необоснованно нагрубил, вот и сперли её. С этой табличкой я намучался, отчищаяя её от наклеек, ушло около 2-х дней. Затем принялся гнуть, гнул с помошью металического уголка 4х4см и резинового молотка. Сначала гнул руками прижимая аллюминий уголком к полу. Затем на нем-же выстукивал углы корпуса.


Получился корпус с такими размерами: днище- 30х22см, высота — 4.1см, верхние части получились 10х22см. Потом по углам корпуса прикрутил аллюминевые брусочки 10х10мм, к которым будет крепится передняя и задняя стенки. Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Весь корпус покрасил матовой краской с балончика.


. Все транзисторы и микросхемы изолированы от корпуса слюдяными прокладками.

Стенки делал из оргстекла толщиной 4мм, так как других вариантов не придумалось. В этих стенках с помошью паяльника и надфеля вырезал отверстия под все разъемы и выключатели. Покрасил с внутренней стороны матовой краской с балончика и установил все разъемы, выключатели, переменные резисторы и светодиоды. На передней стенке установлены: выключатели, раземы RCA,спаренные резисторы по 50кОм категории B, светодиоды, красный (индикация питания всего усилителя) подключен к входу питания преобразователя через резистор на 1кОм 0.25вт, два зеленых (индикация работы преобразователей) подключены к выходам преобразователей на плюсовое плечо через резисторы по 3кОм 0.25вт.

На задней стенке размещены разъемы для подключения динамиков (не самый удачный вариант разъемов для авто-усилителя), разъем для подключения питания (этот девайс должен был использоватся как тройничек, но я его применил в таком исполнении), а также сзади два разъема под предохранители.

Эти стенки крепятся к корпусу двумя большими болтами, которые вкручиваются в брусочки по углам, а также 4мя маленькими болтиками вкручеными непосредственно в оргстекло (резьбу в нем нарезал метчиком на 1.2мм).

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

  • сетевые адаптеры мобильных устройств;
  • электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
  • электронные трансформаторы;
  • другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

  • этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
  • собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
  • заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Характеристика КТ315

Несмотря на то, что КТ315 считается настоящим ветераном-транзистором, его характеристика даже на сегодняшний день является не самой худшей, а в свое время — настоящим прорывом. Развитие в сфере транзисторов повлияла на уход КТ315 с рынка.

Рассмотрим характеристику КТ315 в корпусе КТ-26 (ТО-92). В datasheet говорится, что:

  1. рабочая температура КТ315 от -45 °С до +100 °С;
  2. максимальное напряжение коллектор-база равняется от 20 В до 40 В;
  3. предельное напряжение коллектор-эмиттер равняется от 20 В до 60 В;
  4. наивысшее напряжение эмиттер-база равняется 6 В;
  5. максимальный постоянный ток коллектора равен 100 мА, но у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 50 мА;
  6. рассеиваемая мощность коллектора равна 150 мВТ, а у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 100 мВТ.

Электрическая характеристика

Как и говорилось, “оранжевая чума” достаточно неплоха в работе, но ее показатели слишком отстают ее конкурентов (чего только стоит работа при максимальной температуре в +100 °С, что очень мало).

Электрические характеристики будут проанализированы с условием, что температура окружающей среды будет равна +25 °С.

  • Обратный ток коллектора от 0,5 нА до 0,6 нА;
  • Обратный ток эмиттера от 3 мкА до 50 мкА;
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0,4 В до 0,9 В;
  • Напряжение насыщения база-эмиттер от 0,9 В до 1,35 В;
  • Емкость коллекторного перехода — 7 пФ, у КТ315Ж1 — 10 пФ, у КТ315И1 — 10 пФ;
  • Граничная частота коэффициента передачи тока — 250 МГц;
  • Постоянная времени цепи обратной связи от 300 пс до 1000 пс.

Классификация

Всего насчитывается 10 видов КТ315 (от А1 до Р1). Они различаются по своим показателям, например, напряжение насыщения коллектор-эмиттер у А1 составляет 25 В, а у В1 — 40 В. Всю остальную информацию можно посмотреть в этой таблице.

Маркировка

КТ315 отличает не только его внешний вид, но и отметка. Она сосредоточена в цифро-буквенном значении (нужно выделить, что буква всегда расположена в левом углу), а у тех, кто отличался повышенной надежностью и использовался для компьютеров, телевизоров и т.д., рядом с маркировкой стояла точка. Как говорилось ранее, два кремниевых транзистора очень легко спутать

Чтобы этого избежать, важно обратить свое внимание на описываемый пункт. Какая маркировка у КТ315 понятна, а у КТ361 она отличается тем, что буква размещена посередине самого корпуса

ОПЛЕУХА МИКРОСХЕМАМ

Оплеуха микрухам — не самый простой, но высококачественный усилитель мощности НЧ. Усилитель способен развивать максимальную выходную мощность в 130 ватт и работает в довольно широком диапазоне входного напряжения. Выходной каскад усилителя построен на паре 2sa1943 2sc5200 и работает в режиме АВ. Эта версия, автором была разработана в этом году, ниже ее основные параметры.

  • Диапазон питающих напряжений = +/- 20В … +/- 60В
  • Номинальное напряжение питания (100Вт, 4 Ом) = +/- 36В
  • Номинальное напряжение питания (100Вт, 8 Ом) = +/- 48В

С мощностью все понятно, а что со стороны искажений?

  • THD+N (при Pвых<=60Вт, 20кГц) <= 0,0009%
  • THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 0,003%
  • THD+N (при максимальной выходной мощности, 20кГц) = 0,008%

Детали, используемые в этом модуле — подстроечные резисторы, маломощные и среднемощные транзисторы:

Основные технические характеристики

Главными особенностями транзистора 13001 являются:

  • высокое рабочее напряжение (база-коллектор – 700 вольт, коллектор-эмиттер – 400 вольт, по некоторым источникам – до 480 вольт);
  • малое время переключения (время нарастания тока — tr=0,7 микросекунд, время спадания тока tf=0,6 μs, оба параметра измерены при токе коллектора 0,1 мА);
  • высокая рабочая температура (до +150 °C);
  • высокая рассеиваемая мощность (до 1 Вт);
  • низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер.

Последний параметр декларируется при двух режимах:

Также в качестве преимущества производители заявляют о низком содержании в транзисторе вредных веществ (соответствие требованиям RoHS).

Другие параметры, значимые для эксплуатации:

  • максимальный непрерывный ток базы – 100 мА;
  • наибольший импульсный ток базы – 200 мА;
  • предельный допустимый ток коллектора – 180 мА;
  • предельный импульсный ток коллектора – 360 мА;
  • наибольшее напряжение база-эмиттер – 9 вольт;
  • время задержки включения (storage time) – от 0,9 до 1,8 μs (при токе коллектора 0,1 мА);
  • напряжение насыщения база-эмиттер (при токе базы 100 мА, токе коллектора 200 мА) – не более 1,2 вольта;
  • наибольшая рабочая частота – 5 МГц.

Статический коэффициент передачи по току для разных режимов заявляется в пределах:

Все характеристики декларируются при температуре окружающего воздуха +25 °C. Хранить транзистор можно при температурах окружающей среды от минус 60 до +150 °C.

Аналоги КТ315

У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.

Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.

Маркировка биполярный SMD транзисторов

Обозначение на корпусе Тип транзистора Условный аналог
15 MMBT3960 2N3960
1A BC846A BC546A
1B BC846B BC546B
1C MMBTA20 MPSA20
1D BC846
1E BC847A BC547A
1F BC847B BC547B
1G BC847C BC547C
1H BC847
1J BC848A BC548A
1K BC848B BC548B
1L BC848C BC548C
1M BC848
1P FMMT2222A 2N2222A
1T MMBT3960A 2N3960A
1X MMBT930
1Y MMBT3903 2N3903
2A FMMT3906 2N3906
2B BC849B BC549B
2C BC849C BC549C / BC109C / MMBTA70
2E FMMTA93
2F BC850B BC550B
2G BC850C BC550C
2J MMBT3640 2N3640
2K MMBT8598
2M MMBT404
2N MMBT404A
2T MMBT4403 2N4403
2W MMBT8599
2X MMBT4401 2N4401
3A BC856A BC556A
3B BC856B BC556B
3D BC856
3E BC857A BC557A
3F BC857B BC557B
3G BC857C BC557C
3J BC858A BC558A
3K BC858B BC558B
3L BC858C BC558C
3S MMBT5551
4A BC859A BC559A
4B BC859B BC559B
4C BC859C BC559C
4E BC860A BC560A
4F BC860B BC560B
4G BC860C BC560C
4J FMMT38A
449 FMMT449
489 FMMT489
491 FMMT491
493 FMMT493
5A BC807-16 BC327-16
5B BC807-25 BC327-25
5C BC807-40 BC327-40
5E BC808-16 BC328-16
5F BC808-25 BC328-25
5G BC808-40 BC328-40
549 FMMT549
589 FMMT589
591 FMMT591
593 FMMT593
6A BC817-16 BC337-16
6B BC817-25 BC337-25
6C BC817-40 BC337-40
6E BC818-16 BC338-16
6F BC818-25 BC338-25
6G BC818-40 BC338-40
9 BC849BLT1
AA BCW60A BC636 / BCW60A
AB BCW60B
AC BCW60C BC548B
AD BCW60D
AE BCX52
AG BCX70G
AH BCX70H
AJ BCX70J
AK BCX70K
AL MMBTA55
AM BSS64 2N3638
AS1 BST50 BSR50
B2 BSV52 2N2369A
BA BCW61A BC635
BB BCW61B
BC BCW61C
BD BCW61D
BE BCX55
BG BCX71G
BH BCX71H BC639
BJ BCX71J
BK BCX71K
BN MMBT3638A 2N3638A
BR2 BSR31 2N4031
C1 BCW29
C2 BCW30 BC178B / BC558B
C5 MMBA811C5
C6 MMBA811C6
C7 BCF29
C8 BCF30
CE BSS79B
CEC BC869 BC369
CF BSS79C
CH BSS82B / BSS80B
CJ BSS80C
CM BSS82C
D1 BCW31 BC108A / BC548A
D2 BCW32 BC108A / BC548A
D3 BCW33 BC108C / BC548C
D6 MMBC1622D6
D7 BCF32
D8 BCF33 BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA BCW67A
DB BCW67B
DC BCW67C
DE BFN18
DF BCW68F
DG BCW68G
DH BCW68H
E1 BFS17 BFY90 / BFW92
EA BCW65A
EB BCW65B
EC BCW65C
ED BCW65C
EF BCW66F
EG BCW66G
EH BCW66H
F1 MMBC1009F1
F3 MMBC1009F3
FA BFQ17 BFW16A
FD BCV26 MPSA64
FE BCV46 MPSA77
FF BCV27 MPSA14
FG BCV47 MPSA27
GF BFR92P
H1 BCW69
H2 BCW70 BC557B
H3 BCW89
H7 BCF70
K1 BCW71 BC547A
K2 BCW72 BC547B
K3 BCW81
K4 BCW71R
K7 BCV71
K8 BCV72
K9 BCF81
L1 BSS65
L2 BSS70
L3 MMBC1323L3
L4 MMBC1623L4
L5 MMBC1623L5
L6 MMBC1623L6
L7 MMBC1623L7
M3 MMBA812M3
M4 MMBA812M4
M5 MMBA812M5
M6 BSR58 / MMBA812M6 2N4858
M7 MMBA812M7
O2 BST82
P1 BFR92 BFR90
P2 BFR92A BFR90
P5 FMMT2369A 2N2369A
Q3 MMBC1321Q3
Q4 MMBC1321Q4
Q5 MMBC1321Q5
R1 BFR93 BFR91
R2 BFR93A BFR91
S1A SMBT3904
S1D SMBTA42
S2 MMBA813S2
S2A SMBT3906
S2D SMBTA92
S2F SMBT2907A
S3 MMBA813S3
S4 MMBA813S4
T1 BCX17 BC327
T2 BCX18
T7 BSR15 2N2907A
T8 BSR16 2N2907A
U1 BCX19 BC337
U2 BCX20
U7 BSR13 2N2222A
U8 BSR14 2N2222A
U9 BSR17
U92 BSR17A 2N3904
Z2V FMMTA64
ZD MMBT4125 2N4125

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Фелер 404

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

нетто

брутто

Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе

или другой адрес:
Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

больше
Венигер

TME-Newsletter abonnieren

Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: