What is 2sa708?

ОПЛЕУХА МИКРОСХЕМАМ

   Оплеуха микрухам – не самый простой, но высококачественный усилитель мощности НЧ. Усилитель способен развивать максимальную выходную мощность в 130 ватт и работает в довольно широком диапазоне входного напряжения. Выходной каскад усилителя построен на паре 2sa1943 2sc5200 и работает в режиме АВ. Эта версия, автором была разработана в этом году, ниже ее основные параметры. 

 Диапазон питающих напряжений = +/- 20В … +/- 60В

 Номинальное напряжение питания (100Вт, 4 Ом) = +/- 36В

 Номинальное напряжение питания (100Вт, 8 Ом) = +/- 48В

   С мощностью все понятно, а что со стороны искажений? 

 THD+N (при Pвых<=60Вт, 20кГц) <= 0,0009%

 THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 0,003%

 THD+N (при максимальной выходной мощности, 20кГц) = 0,008%

   Детали, используемые в этом модуле – подстроечные резисторы, маломощные и среднемощные транзисторы:

E13007-2 Datasheet – 8A, Vcbo=700V, NPN Transistor

Part Number : E13007-2

Function : NPN Silicon Transistor

Manufacturers : Fairchild, ON Semiconductor, San Pu Semiconductor

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

1. Collector-Base Voltage : Vcbo = 700 V 2. Collector-Emitter Voltage : Vceo = 400 V 3. Emitter- Base Voltage : Vebo = 9 V 4. Collector Current (DC) : Ic = 8 A 5. Collector Current (Pulse) : Icp = 16 A 6. Base Current : Ib = 4 A 7. Collector Dissipation (TC=25°C) : Pc = 80 W

High Voltage Switch Mode Application • High Speed Switching • Suitable for Switching Regulator and Motor Control

1. FLUORESCENT LAMP 2. ELECTRONIC BALLAST 3. ELECTRONIC TRANSFORMER 4. SWITCH MODE POWER SUPPLY

Маркировка биполярный SMD транзисторов

Параметры и Цоколевка

Нумерация контактов на транзисторе:

1. База;
2. Эмиттер;
3. Коллектор.

На корпус нанесены обозначения по которым можно узнать следующую информацию:

• A — место изготовления;
• Y — Год;
• WWW — неделя изготовления;
• G — свинца не содержит.

Перейдем к описанию основных характеристик MJE13007 (все замеры делались при Токр. среды = 25 °С.) :

• Корпус: TO-220;
• Ток коллектора, не более: 8 А;
• Напряжение коллектор-база, не более: 700 В;
• Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V;
• Структура — n-p-n;
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В;
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 8 до 60;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц;
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт.

Российские аналоги MJE13007:

Полную информацию можно узнать в Datasheet выпускаемой производителем для данного транзистора.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Производители

Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Аналоги транзистор C945