Транзистор 2n2222

Цоколевка

Распиновку транзистор 2N3906 имеет следующую. Чаще всего выпускаются в пластмассовом ТО-92 и весит не более 0,18 г. Этот корпус имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть прямо на скошенную часть с той стороны, где нанесена маркировка, то самый левый вывод -это эмиттер, средний – база, правый – коллектор.

Компании Fairchild Semiconductor, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, General Semiconductor, Silicon Standard, Daya Electric Group, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS также выпускают данное изделие в SOT-23. У Fairchild Semiconductor встречаются в SOT-223. Эти пластиковые корпуса, с тремя короткими выводами, предназначены для поверхностного монтажа (SMD).

H2N3904 Datasheet (PDF)

0.1. h2n3904.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6218HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3904NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

8.1. h2n3906.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6240HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3906PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

Детали

Катушки L1 передатчика и приемника имеют сходную конструкцию. Они намотаны на цилиндрических каркасах диаметром 6 мм и длиной 12 мм с подстроечным сердечником из карбонильного железа.

Катушки содержат по 15 витков провода ПЭВ 0,31, виток к витку. Катушка передатчика имеет отвод от середины, и на неё намотана катушка связи L2 (рис.1), которая содержит 5 витков того же провода.

Катушка L2 (рис.2) намотана на ферритовом кольце внешним диаметром 7 мм из феррита проницаемостью 400-2000. Она содержит 100 витков провода ПЭВ 0,12.

Неполярные конденсаторы — КМ, КД, КТ, К10-7 или импортные аналоги. Электролитические конденсаторы — импортные аналоги К50-35. Транзистор 2N3904 можно заменить на КТ3102, КТ368. Транзисторы 2N3906 можно заменить на КТ3107. Налаживание следует начать с передатчика.

2n3442 datasheet (62)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description		Type	PDF
2N3442		Comset Semiconductors	High Power Industrial Transistors		Original	PDF
2N3442		Comset Semiconductors	HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS		Original	PDF
2N3442		Microsemi	NPN Transistor		Original	PDF
2N3442		Motorola	10 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 140 VOLTS 117 WATTS		Original	PDF
2N3442		On Semiconductor	High-Power Industrial Transistors		Original	PDF
2N3442		Advanced Semiconductor	Silicon Transistor Selection Guide		Scan	PDF
2N3442		API Electronics	NPN Transistors		Scan	PDF
2N3442		API Electronics	Short form transistor data		Scan	PDF
2N3442		Boca Semiconductor	HIGH-POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS		Scan	PDF
2N3442		Central Semiconductor	General Purpose Bipolar Transistor, NPN, 140V, TO-3, 2-Pin		Scan	PDF
2N3442		Crimson Semiconductor	HOMETAXIAL / MULTIEPITAXIAL Transistors		Scan	PDF
2N3442		Diode Transistor	TO-3 / Various Transistor Selection Guide		Scan	PDF
2N3442		Diode Transistor	35 to 500V Transistor Selection Guide		Scan	PDF
2N3442		Ferranti Semiconductors	Shortform Data Book 1971		Scan	PDF
2N3442		Ferranti Semiconductors	Power Transistors 1977		Scan	PDF
2N3442		Ferranti Semiconductors	Quick Reference Guide 1985		Scan	PDF
2N3442		General Electric	High voltage silicon N-P-N transistor. 160V, 117W.		Scan	PDF
2N3442		Iskra	Power Silicon Transistors / Switching Transistors		Scan	PDF
2N3442		Lucas Semiconductors	Semiconductor Products		Scan	PDF
2N3442		Mospec	POWER TRANSISTORS		Scan	PDF

Принципиальная схема

Принципиальная схема передатчика показана на рисунке 1. Передатчик излучает мощность около 0,1 Вт при напряжении питания 9В. Напряжение питания может быть снижено до 6В, при этом мощность снизится примерно в два раза.

Особенность схемы передатчика в том, что его транзисторы, один из которых работает в задающем генераторе (VT1), а другой (VT2) в усилителе мощности включены по схеме составного транзистора.

Рис. 1. Принципиальная схема радиопередатчика для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906.

Частота генерации устанавливается кварцевым резонатором Q1. Он должен быть на частоту в диапазоне «27 МГц» или на частоту меньше в два или три раза. При этом передатчик будет работать на второй или третей гармонике кварцевого резонатора. Схема амплитудной модуляции здесь очень простая, она получена экспериментальным путем.

На базу транзистора VT1 поступает напряжение через резистор R1. От него зависит амплитуда сигнала на выходе. Этот резистор сделан подстроечным, и на его ползунок через конденсатор С6 подается напряжение ЗЧ от DTMF-кодера или другого источника НЧ сигнала. Подстраивая R1 можно выбрать оптимальный режим модуляции. В крайне нижнем положении амплитудная модуляция отсутствует.

При движении вверх по схеме она увеличивается, но в какой-то момент амплитуда ВЧ сигнала на выходе передатчика начинает падать, и генерация срывается из-за того, что НЧ сигнал модуляции начинает ВЧ сигнал на базе VT1, шунтируя его.

Усилитель мощности выполненный на транзисторе VT2 получает ВЧ-напряжение и напряжение смещения, необходимое для работы с эмиттера транзистора VT1.

Колебательный контур L1-C5 включенный в его коллекторной цепи должен быть настроен на частоту передачи. То есть, при использовании резонатора на частоту канала — на частоту резонатора.

А при использовании резонатора для работы на второй или третьей гармонике — соответственно, на частоту в два или три раза больше частоты используемого резонатора.

Катушка L2 служит для обеспечения согласования контура с антенной, в качестве которой можно использовать проволочный штырь или «подвеску» из монтажного провода.

Рис. 2. Принципиальная схема радиоприемника для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906 и 2N3904.

Приемный тракт (рис. 2) выполнен на трех транзисторах.

На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнен регенеративный детектор, а транзистор VТ3 работает в качестве предварительного усилителя продетектированного сигнала. Сигнал от антенны поступает на коллекторный контур L1-C2, настроенный на такую же частоту, что и контур передатчика. Конденсатор С1 является разделительным.

На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнена схема генератора, частота генерации которого устанавливается контуром L1-C2. Но питание на этот генератор поступает через резистор R1 от подстроечного резистора R2, которым можно регулировать напряжение питание данного генератора. Этим резистором устанавливается регенеративный режим работы каскада.

При этом, каскад работает как регенеративный детектор, обладая существенной чувствительностью и селективностью. Выходом детектора является точка соединения эмиттеров VТ1 и VТ2 с резистором R1. Отсюда демодулированный сигнал через LC-фильтр С4-L2-C5 поступает на усилительный каскад на транзисторе VТ3.

Налаживание

Для контроля излучения антенны удобно пользоваться индикатором излучения, состоящим из достаточно высокочастотного осциллографа (например, С1-65А) и объемной катушкой, подключенной на его входе (объемная катушка может быть бескаркасной, диаметром около 50-70 мм, намотанная 5-6 витков толстого намоточного провода). Для контроля излучения осциллограф с катушкой нужно расположить на расстоянии 1-1,5 метра от антенны передатчика.

Подключив ту антенну, с которой будет работать передатчик в дальнейшем, подайте на передатчик питание. Подстраивая контур L1-C5 и наблюдая за изображением на экране осциллографа, добейтесь изображения максимальной неискаженной амплитуды синусоиды.

При настройке следите за тем, чтобы частота сигнала была именно в диапазоне 27 МГц, а не на гармонике (например, 13,5 МГц или 54 МГц). Это можно легко определить по осциллографу (рассчитав по периоду согласно координатной сетке не его экране).

Ток потребления передатчиком должен быть около 30 миллиампер. Затем, подайте на вход модулирующий сигнал. Переключите осциллограф на контроль НЧ сигнала.

Если ползунок R1 находится внизу (по схеме) на экране будет широкая полоса ВЧ сигнала. Постепенно поворачивайте R1. Полоса начнет приобретать форму модулирующего сигнала. Подстройкой R1 выставите глубину модуляции 30-50%. Это будет оптимально. Но можно поэкспериментировать с положением R1.

При его дальнейшем движении вверх (по схеме) сначала глубина AM будет увеличиваться, а затем начинает снижаться максимальная амплитуда ВЧ сигнала, и далее, генерация срывается.

В качестве контрольного сигнала для налаживания приемника удобно использовать сигнал готового передатчика. Подключите к приемнику ту антенну, с которой он будет работать в дальнейшем. Подстроечный резистор R2 установите в среднее положение. Подключите осциллограф к точке соединения эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 (рис.2).

При выключенном передатчике здесь должно быть какое-то постоянное напряжение. Если есть генерация -подстройкой R2 сбейте генерацию. Включите передатчик и подайте на его вход модулирующий сигнал.

На эмиттерах VT1 и VT2 должно появиться ВЧ-напряжение, с огибающей, соответствующей модулирующему сигналу (смотреть, переключив осциллограф на наблюдение НЧ сигнала). Подстройкой контура L1-C2 (рис.2) добейтесь её максимальной амплитуды. Затем, подключите осциллограф к коллектору VТ3.

Подстройкой подстроечного резистора R2 добейтесь появления на коллекторе VТ3 НЧ-сигнала, соответствующего модулирующему. Затем, удаляя передатчик от приемника, более точно подстраивайте R2 и входной контур чтобы обеспечивалась наибольшая дальность связи.

Режим работы транзистора VТ3 устанавливается подбором сопротивления резистора R4. Нужно установить такой режим, при котором, при напряжении питания 9В на коллекторе VТ3 есть постоянное напряжение 1 В, при отсутствии сигнала передатчика. При необходимости это напряжение установите подбором сопротивления R4. На этом, можно считать налаживание законченным.

Снегирев И. РК-02-18.

Аналоги импортного и отечественного производства

Тип транзистора	PC	VCEO	VEBO	IC	TJ	fT	CC	hFE	Тип корпуса
2N 3906A	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
Импортные аналоги
MMBT 390	0,35	40	5	0,2	150	250	4,5	100	SOT-23
PZT 3906	1	40	5	0,2	150	250	4,5	100	SOT-223
H2N 3906	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
KN 3906	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	100	ТО-92
2N 3905	0,625	40	5	0,2	150	200	4,5	100	ТО-92
2SB 1014	0,7	60	8	1	185			160	ТО-92
2SB 977A	0,75	50	8	1	195			3000	ТО-92
BC 327-025	0,625	45	5	0,5	150	260	10	160	ТО-92
KN 4403	0,625	40	5	0,6	150	200	8,5	100	ТО-92
KSP 75/76/77	0,625	40/50/60	10	0,5	150			10000	ТО-92
TIPP 115/116/117	0,8	60/80/100	5	2	150			1000	ТО-92
TIS 91 (M)	0,625	40	5	0,4	150			100	ТО-92
ECG 2342	0,8	80	5	1	150	200		2000	ТО-92
BSR 62	0,8	80	5	1	150	200		1000	ТО-92
Аналоги производства РФ и Республики Беларусь
КТ 6109D/G	0,625	40	5	0,5	150			144/112	ТО-92
КТ361Г/В2/Д2/К2	0,15	35 – 60	4	0,05	150	250	7	350	ТО-92
КТ502В/Г/Д /Е	0,35	40		0,15	150	5		120	ТО-92
КТ6136А	0,625	40	5	0,2	150	250	4,5	300	ТО-92
КТ313Б/В	0,3	60	5	0,35	150	200	12	300	ТО-92

Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.

2N3904S Datasheet (PDF)

0.1. 2n3904s.pdf Size:410K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LDIM MILLIMETERSFEATURES_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15Low Leakage CurrentC 1.30 MAX2: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20@VCE=30V, VEB=3V.1G 1.90H 0.95Excellent DC Current Gain Linearity.J 0.13+0.1

0.2. 2n3904sc.pdf Size:699K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESLow Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)@VCE=30V, VEB=3V.Excellent DC Current Gain Linearity.Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.Complementary to 2N3906SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMB

 0.3. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N3904STECHNICAL DATAGeneral Purpose Transistor We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping32N3904S 1AM 3000/Tape & Reel21MAXIMUM RATINGSSOT23Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCollectorBase Voltage VCBO 60 Vdc3COLLECTOREmitterBase Vo

Производители

Выпускают транзистор 2N3906 такие фирмы: ON Semiconductor, KEC(Korea Electronics), Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Micro Commercial Components, SeCoS Halbleitertechnologie, First Silicon, Central Semiconductor, AUK, STMicroelectronics, Inchange Semiconductor, Transys Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Tiger Electronic, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Pan Jit International, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Rohm, Daya Electric Group, Guangdong Kexin Industrial, General Semiconductor, Weitron Technology, New Jersey Semi-Conductor Products, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Electronics, Dc Components, KODENSHI KOREA, Semtech Corporation, Silicon Standard, Nanjing International, Diodes Incorporated.

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type	Code	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2N3904		Si	NPN	0.31	60	40	6	0.2	135	300	4	40
2N3904A		Si	NPN	1.5	60	40	6	0.2	150	300	4	100
2N3904C		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
2N3904G		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300		100
2N3904N		Si	NPN	0.4	60	40	6	0.2	150	300	3	100	TO92N
2N6719		Si	NPN	2	300	300	6	2	150			40
2N6736		Si	NPN	35	80	45	6	5	150			40
2SC2474		Si	NPN	0.6	60		6	0.2	150			150
2SC2475		Si	NPN	0.6	60		6	0.6	150			200
2SC2477		Si	NPN	0.6	60		6	0.6	150			150
2SC4145		Si	NPN	1.2	80			2	150			200
2SC6136	C6136	Si	NPN	0.5	600	285	8	0.7	150			100
2SD1015		Si	NPN	0.9	140	50	50	2	150			150
2SD1209		Si	NPN	0.9	60			1	150			4000
2SD1388		Si	NPN	0.7	60			1	150			250
2SD1490		Si	NPN	0.75	70			1	150			60
2SD1642		Si	NPN	0.7	100			2	150			40
2SD1698		Si	NPN	0.75	100			0.8	150			10000
2SD1701		Si	NPN	0.75	1700			0.8	150			10000
2SD1853		Si	NPN	0.7	80	60	6	1.5	150			2000
2SD1929		Si	NPN	1.2	60			2	150			5000
2SD1930		Si	NPN	1.2	100			2	150			5000
2SD1931		Si	NPN	1.2	60			2	150			10000
2SD1978		Si	NPN	0.9	120			1.5	150			10000
2SD1981		Si	NPN	1	100	80	6	2	150			24000
2SD2068		Si	NPN	1	60			1	150			18000
2SD2206A		Si	NPN	0.9		120		2				2000	TO92MOD
2SD2213		Si	NPN	0.9	150	80	8	1.5	150			1000	TO92MOD
2STL2580		Si	NPN	1.5	800	400	9	1	150			60	TO92MOD
3DG3904		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
3TE440		Si	NPN	10	80			1.5	150	350		40
3TE450		Si	NPN	5	80			0.5	150	350		40
BCX38		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			500
BCX38A		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			500
BCX38B		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			4000
BCX38C		Si	NPN	1	80	60	10	0.8	150			6000
BFX152		Si	NPN	0.83	100			0.3	175	500		75
BTN3904A3		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
C266		Si	NPN	0.825		60	10	2	175			45
CE1N2R		Si	NPN	1	60	60	15	2	150			1000
CE2F3P		Si	NPN	1	60	60	15	2	150			1000
ECG123AP		Si	NPN	0.5	75	40		0.8	175	300		200
ECG2341		Si	NPN	0.8		80		1	150			2000
H2N3904		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
HEPS0015		Si	NPN	0.31	60	40		0.6	135	300		200
HEPS0025		Si	NPN	0.35	60	40		0.6	150	300		100
HIT667		Si	NPN	0.9	120	100	6	1	150			140	TO92MOD
HSE424		Si	NPN	0.31	60	40			150	400		80
KN3903		Si	NPN	0.625		40		0.2				50
KN3904		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150	300	4	100
KN4400		Si	NPN	0.625		40		0.6				50
KN4401		Si	NPN	0.625		40		0.6				100
KSC1072		Si	NPN	0.8	60	45	8	0.7	150			40
KSP8097		Si	NPN	0.625	60	40	6	0.2	150		4	250
KTC1006		Si	NPN	1		80		0.8	175			100
KTC1027		Si	NPN	1		120		0.8	175			80
KTC3227		Si	NPN	1		80		0.4	175			70
KTC3228		Si	NPN	1		160		1	175			60
KTC3245		Si	NPN	0.625	400	350	6	0.3	150			50
NTE2341		Si	NPN	1	100	80	7	1				2000
NTE46		Si	NPN	0.625	100	100	12	0.5				10000
NTE48		Si	NPN	1	60	50	12	1				25000
P2N2222A		Si	NPN	0.625		40		0.6		300		100
SK3854		Si	NPN	1.2	75	40	6	0.8		300		200
STX0560	X0560	Si	NPN	1.5	800	600	7	1	150			70
TSC873CT		Si	NPN	1	600	400	9	0.3	150			80
ZTX614		Si	NPN	1	120	100	10	0.8	200			20000

Всего результатов: 67

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Графические данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току h_FE от величины тока коллектора I_C при различных температурах (V_CE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (t_d) и времени нарастания (t_r). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (t_stg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (t_f). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. C_S – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

Способы проверки irfz44n

Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.

Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.

Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.

Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.

У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.

По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.

Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.

irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.