What is mjd122?

Search Stock

onsemi MJD122T4G
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics	MJD122T4G		5,000	14 Weeks	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.2238	Buy Now
Verical	MJD122T4G		5,000		2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.2057	Buy Now
Avnet EBV	MJD122T4G			2 Weeks, 2 Days	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Silica	MJD122T4G			2 Weeks, 1 Days	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas	MJD122T4G	Reel		14 Weeks	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.24248	Buy Now
More Distributors
Bristol Electronics (2)	MJD122T4G		4			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
	MJD122T4G		2,207			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet Asia	MJD122T4G			14 Weeks	5,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.22494	Buy Now
onsemi MJD122G
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (2)	MJD122G		3,109	12 Weeks	1	1 $0.7024 10 $0.6271 100 $0.4062 1000 $0.3848 10000 $0.384	Buy Now
	MJD122G			61 Weeks	75	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Verical (2)	MJD122G		3,108		14	1 — 10 — 100 $0.3733 1000 $0.3537 10000 $0.3529	Buy Now
	MJD122G		2,325		75	1 — 10 — 100 $0.6752 1000 $0.617 10000 $0.5414	Buy Now
Avnet EBV	MJD122G			2 Weeks	75	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Silica	MJD122G		11,100	1 Weeks, 6 Days	75	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas	MJD122G	Tube	342	12 Weeks	1	1 $0.458 10 $0.44545 100 $0.40781 1000 $0.38271 10000 $0.38271	Buy Now
More Distributors
ComSIT Europe	MJD122G		1,479			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet Asia	MJD122G			12 Weeks	1,650	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.27671	Buy Now
New Advantage Corporation (2)	MJD122G		3,000		1	1 — 10 — 100 — 1000 $0.5643 10000 $0.5267	Buy Now
	MJD122G		8,873		1	1 — 10 — 100 — 1000 $0.6169 10000 $0.5741	Buy Now
STMicroelectronics MJD122-1
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (2)	MJD122-1		3	99 Weeks	1	1 $0.3154 10 $0.3062 100 $0.2774 1000 $0.2573 10000 $0.2412	Buy Now
	MJD122-1			14 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet EBV	MJD122-1		750	3 Weeks, 5 Days	75	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Silica	MJD122-1			2 Weeks, 3 Days	75	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas	MJD122-1	Tube		14 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.41382	Buy Now
Quest Components	MJD122-1		38			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
More Distributors
Bristol Electronics	MJD122-1		203			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Micro Commercial Components MJD122-TP
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (3)	MJD122-TP			20 Weeks	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
	MJD122-TP				2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
	MJD122-TP			20 Weeks	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
STMicroelectronics MJD122T4
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (2)	MJD122T4			14 Weeks	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
	MJD122T4			14 Weeks	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet EBV	MJD122T4			2 Weeks, 1 Days	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Silica	MJD122T4			2 Weeks, 1 Days	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas	MJD122T4	Reel		14 Weeks	2,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.3249	Buy Now
Quest Components (2)	MJD122T4		5,916			1 $0.8 10 $0.8 100 $0.8 1000 $0.208 10000 $0.2	Buy Now
	MJD122T4		2,000			1 $0.875 10 $0.875 100 $0.875 1000 $0.35 10000 $0.35	Buy Now
More Distributors
Bristol Electronics (2)	MJD122T4		2,500			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
	MJD122T4		7,395		9	1 — 10 $0.6 100 $0.39 1000 $0.168 10000 $0.156	Buy Now

Усилители фирмы Ampleon

Компания Ampleon выпускает транзисторы, предназначенные для реализации усилителей Догерти, и интегральные СВЧ-микросхемы усилителей Догерти. Широкий ассортимент продукции охватывает диапазоны частот от 450 МГц до 3,8 ГГц и средние уровни мощности от 2 до 80 Вт. Эти устройства применимы для большинства приложений сотовой связи: от пикосот до макросот. В них используется технология цифровых предыскажений. Для достижения максимального КПД Ampleon предлагает сочетание последнего поколения технологий LDMOS с концепцией Догерти.

Компания Ampleon предлагает также решения на LDMOS-транзисторах, так называемые интегрированные архитектуры Догерти (iDPA). Первая подобная конструкция представляла собой демонстрационную плату усилителя Догерти для систем цифрового телерадиовещания и была выполнена на транзисторах серии BLF888A. Ее КПД составлял приблизительно 40% в диапазоне частот 470–800 МГц.

Еще один вариант демонстрационной платы (рис. состоит из двух частей: одна печатная плата содержит широкополосные основной и пиковый усилители, а вторая – сумматор (схема сложения выходных мощностей). В каждом из усилителей используется LDMOS-транзистор BLF888A вместе с соответствующими компонентами. Усилитель Догерти, реализованный на данной демонстрационной плате, охватывает весь диапазон УВЧ. Полоса пропускания этого усилителя зависит от конструкции сумматора. Для получения необходимой ширины полосы частот компания предлагает различные варианты демонстрационных версий.

Рисунок 8 – Демонстрационная плата Ampleon для УВЧ-диапазона

Усилитель имеет минимальную выходную мощность в среднем 200 Вт и полосу пропускания приблизительно 50 МГц (в зависимости от центральной частоты).

Предлагается также решение на основе архитектуры Догерти на двух мощных транзисторах шестого поколения компании Ampleon BLF6G15L-250PBRN, в которых применяется усовершенствованная технология LDMOS (рис. 9) .

Рисунок 9 – Фотография усилителя мощности на основе транзисторов BLF6G15L-250PBRN

Разработка оптимизирована для использования в приложениях для базовых станций 3GPP E-UTRA LTE, работающих на частоте 1,5 ГГц. Конструкция обеспечивает высокие КПД и максимальную мощность, подобно двум параллельным усилителям класса AB.

Устройство реализовано в виде классического усилителя Догерти, то есть на основной усилительный прибор подается смещение для работы в классе AB, а вспомогательный усилительный прибор работает в классе C. Входная и выходная секции внутренне согласованы, что обеспечивает высокий коэффициент усиления с хорошей равномерностью и фазовой линейностью в широком диапазоне частот (рис. 10) .

Рисунок 10 – Коэффициент усиления и входные обратные потери в зависимости от частоты решения на базе транзисторов BLF6G15L-250PBRN

Помимо рассмотренных конструкций усилителей, компания Ampleon предлагает еще два варианта усилителей для различных диапазонов частот: для диапазона 2 000 МГц на основе LDMOS-транзистора BLF7G22LS-130, а также для диапазона 1800 МГц на основе LDMOS-транзисторов BLF7G20LS-90P и BLF7G21LS-160P. Сравнительные характеристики разработок приведены в табл. 6 .

Таблица 6. Характеристики усилителей компании Ampleon

Используемые транзисторы	Диапазон частот, МГц	Выходная мощность, дБм	Напряжение питания стока, В	КПД, %
BLF888A	470-860	53	49	40
BLF6G15L-250PBRN	1476-1511	49	32	36
BLF7G20LS-90P, BLF7G21LS-160P	1805-1880	46	28	47
BLF7G22LS-130	2110-2170	47	28	43

Особенности работы устройства

У составных транзисторов постепенное уменьшение напряжения вдоль проводника на переходе база-эмиттер вдвое превышает стандартное. Уровень уменьшения напряжения на открытом транзисторе примерно равен тому падению напряжения, которое имеет диод.

По данному показателю составной транзистор сходен с понижающим трансформатором. Но относительно характеристик трансформатора транзистор Дарлингтона обладает гораздо большим усилением по мощности. Подобные транзисторы могут обслуживать работу переключателей частотой до 25 Гц.

Система промышленного выпуска составных транзисторов налажена таким образом, что модуль полностью укомплектован и оснащён эмиттерным резистором.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

Модель	PC *	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC, pF	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150		300	≥ 1000	TO-220
КТ716А/Б	60	100/80	100/80	5	8/10	150	6	150	от 500 до 750	TO-220, TO-66
КТ8116А/Б	65	100	5	4	—	1000	TO-220
КТ8116А/Б	25	100	3	4	—	1000	DPAK
КТ8141А	60	100	100	8	7	—	750	TO-220
КТ8147А/Б	100	700/500	—	8	10	5	—	5	—
КТ8158В	125	100	100	5	12	5	—	2500	TO-218

Зарубежное производство

Модель	PC *	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	Корпус
TIP122	65	100	100	5	5	150	≥ 1000	TO-220
NTE261	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
NTE263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
RCA122	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
SE9302	70	100	100	5	10	150	1000	TO-220
TIP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
TIP132	70	100	100	5	8	150	1000	TO-220
WW263	65	100	100	5	10	150	1000	TO-220
2N6045G	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220AB
2SD498	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220
3DA122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
3DA142T	80	100	100	5	10	150	1000	TO-220
3DD122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
BDW93C	80	100	100	5	12	150	15000	TO-220
CFD811	65	110	100	5	8	150	1000	TO-220FP
HEPS9151	65	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP102	80	100	100	5	8	150	1000	TO-220
HP122	65	100	100	5	5	150	1000	TO-220
HP142T/TS	80/70	100	100	5	10/8	150	1000	TO-220
MJE6045/T	75	100	100	5	8	150	1000	TO-220 TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Что такое усилитель?

В электрических схемах очень часто встречаются сигналы малой мощности. Например, это может быть звуковой сигнал с динамического микрофона

слабый радиосигнал, который ловит из эфира ваш китайский радиоприемник

Либо отраженный сигнал от ракеты противника, который уже потом ловит, усиливает и отслеживает радиолокационная установка. Для примера: зенитно-ракетный комплекс ТОР:

Как вы видите, в электронике абсолютно везде требуется усиление слабых сигналов. Для того, чтобы их усиливать, как раз нужны усилители сигналов. Усилители широко применяются в радиолокации, телевидении, радиовещании, телеметрии, в вычислительной технике, авторегулировании, в системах автоматики и тд.

Биполярный

Как проверить биполярный транзистор мультиметром? В первую очередь нужно выяснить, к какому из двух подтипов — npn или pnp он относится. Для этого вспомним, что же вообще такое биполярный транзистор.

Это полупроводниковый элемент, в котором реализован так называемый npn или pnp переход. N-p-n — это переход «электрон — дырка — электрон», p-n-p, соответственно, наоборот, «дырка — электрон — дырка».

Конструктивно он состоит из трех частей — эмиттера, коллектора и базы. Фактически биполярник — это два сопряженных обыкновенных диода, у которых база является общей точкой соединения.

На схеме pnp транзистор отличается от своего npn-собрата направлением стрелки в круге — стрелки эмиттерного перехода. У схемы p-n-p она направлена к базе, у n-p-n — наоборот.

Эту разницу нужно знать для проверки биполярного транзистора. Pnp-схема открывается приложением к базе отрицательного напряжения, npn — положительного. Но перед этим необходимо выяснить, какой из контактов проверяемого транзистора является базой, какой эмиттером, а какой коллектором.

Инструкция здесь может быть следующая:

1. красный (плюсовой) щуп подключается к первому попавшемуся выводу, например левому, черным (минусовым) поочередно касаются центрального и правого. Фиксируют значение «1» на центральном, и 816 Ом, например, на правом;
2. красный щуп мультиметра закорачивают с центральным контактом, черный — поочередно с боковыми. Прибор выдает «1» на левом и какое-либо значение, допустим, 807 — на правом;
3. при контакте красного щупа мультиметра с правым выводом, а черного — с левым и центральным получаем в обоих случаях «1». Это означает, что база определена — это и есть правый контакт транзистора. А сам транзистор — pnp-типа.

В принципе, этого достаточно, чтобы сказать, что транзистор исправен. Теперь, чтобы проверить его структуру и конкретное расположение эмиттера и коллектора, закорачиваем черный (минусовой) щуп мультиметра с базой, а красный — по очереди с левым и центральным контактом.

Тот контакт, что дает меньшую величину сопротивления, будет коллекторным (в нашем случае 807 Ом). Тот, что большую — 816 Ом — является эмиттерным.

Проверка транзистора npn типа происходит так же, только к базе прикладывается плюсовой контакт.

Это способ проверки p-n переходов между базой и коллектором и базой и эмиттером. Показания мультиметра могут быть разными, в зависимости от типа транзистора, но всегда будут лежать в пределах 500-1200 Ом.

Для завершения испытания коснитесь щупами эмиттера и коллектора. Исправный элемент при этом будет выдавать бесконечно большое сопротивление вне зависимости от своего типа, как бы вы ни меняли полярность. Если значение на экране отличается от «1» — один из переходов пробит, деталь непригодна к работе.

MOSFET-транзистор — влияние резистора затвора

Большинство полевых МОП-транзисторов используются как переключатели, управляемые напряжением. Эти элементы очень популярны по двум причинам. Во-первых, их ворота не потребляют электричество. Во-вторых, из-за низкого сопротивления открытого канала происходят очень маленькие потери (что всегда является большим преимуществом).

Лучше всего проверить это на практике. На этот раз для выполнения упражнения вам понадобятся:

• 1 × зуммер с генератором,
• 1 × транзистор BS170,
• Резистор 1 × 100 R,
• Резистор 1 × 1 кОм,
• Резистор 1 × 1М,
• Батарея 4 × AA,
• 1 × корзина для 4 батареек АА,
• 1 × макетная плата,
• Комплект соединительных проводов.

Описание выводов транзистора BS170 (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)

Теперь нам необходимо собрать простую схему, в которой мы заменим резистор, подключенный к затвору — пусть в начале он будет 10 кОм. Если хотите, для безопасности, при сборке схемы, можно закоротить ножки транзистора фольгой — не забудьте снять ее непосредственно перед подключением батареи.

Пример использования полевого МОП-транзистора

На практике схема может выглядеть так:

Схема на макетной плате	MOSFET на практике

Если схема собрана правильно, зуммер должен пищать. В такой ситуации стоит измерить ток, протекающий через зуммер, и напряжение между стоком и истоком транзистора. Также стоит измерить напряжение между выводами резистора.

Измерение напряжения сток-исток	Измерение тока стока
Измерение напряжения затвор-исток	Измерение тока затвора

Когда измерения готовы, замените наш резистор на резистор большего размера, то есть на 1 МОм, и повторите измерения, затем то же самое для резистора 100 Ом. Наконец, также стоит проверить, что произойдет, если мы подключим затвор через резистор к земле.

Схема с заземлением

В этом эксперименте, каждый раз, напряжение транзистора UGS превышало пороговое значение напряжения. Это произошло из-за того, что исток был подключен к земле, а затвор — к напряжению, близкому к +6 В, а пороговое напряжение этого транзистора было от 2 до 3 В. В свою очередь, подключение затвора к земле вызвал исчезновение канала и отсутствие тока, потому что UGS = 0.

Идеально работающий мультиметр имел бы бесконечно большое сопротивление. Однако наш мультиметр имеет сопротивление 1 МОм, что приводит к большим искажениям при последовательном измерении с R = 1 МОм.

Результаты, полученные нами в этом упражнении, могут отличаться от ваших

Собранные в таблице данные, наглядно показывают состояние засорения и насыщения транзистора. В насыщенном состоянии (когда UGS намного больше, чем UGSth), сопротивление между стоком и истоком незначительно, следовательно, падение напряжения составляет порядка нескольких мВ, а сток ограничен током, ограниченным только зуммером. В засоренном состоянии сопротивление настолько велико, что ток стока практически не течет, и почти все напряжение протекает между стоком и истоком. Все эти наблюдения не зависят от используемого резистора затвора (ситуация была бы иной в случае с биполярными транзисторами).

Если резистор удален из работающей схемы (что мы не рекомендуем делать из-за возможности повреждения транзистора), зуммер все еще мог бы издавать звуковой сигнал. Почему? Затвор отделен от канала изолятором, поэтому там создается емкость, то есть там есть небольшой внутренний конденсатор. Только через некоторое время из-за несовершенства изолятора он разрядится.

Технические характеристики

Приведем технические характеристики на транзистор TIP122. Основными для данного устройства считаются:

• Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
• Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
• Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
• Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
• Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
• Максимальный ток коллектора — 8 А;
• Диапазон рабочих температур -65…+160 0 С, у кристалла до 150 0 С.

Электрические

При проектировании схем с транзистором TIP122 нужно учитывать, что прибор не должен работать в условиях, превышающих рекомендуемые производителем. Длительное воздействие напряжений, выше этих значений, может отрицательно сказаться на работоспособности устройства. Ниже, в таблице, приведены его электрические параметры для температуры 25 0 С.

Обязательно обращайте внимание на температурные показатели

Производители

DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Власть теряет все свое очарование, если ею не злоупотреблять. Поль Валери Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122. Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121; транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414; дата записи: 2017-08-14 04:00:51 дата записи: 2017-10-09 13:23:17 дата записи: 2019-05-18 11:56:53 Добавить аналог транзистора TIP122. Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP122? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника: Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

  Декоративная штукатурка для внутренней отделки под камень

Примеры использования

Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.

Усилитель низкой частоты

Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.

Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.

В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.

Что такое четырехполюсник

В электронике черным ящиком является четырехполюсник. Что вообще такое четырехполюсник? Четырехполюсник — это черный ящик, внутри которого имеется неизвестная электрическая цепь. Здесь мы видим две клеммы на вход, через которые подается входное воздействие и две клеммы на выход, с которых мы уже будем снимать отклик нашего «электрического черного ящика».

Пассивный четырехполюсник

Например, RC-цепь является пассивным четырехполюсником, так как она имеет четыре вывода: два на вход и два на выход, и как мы видим, она не содержит в себе какой-либо источник питания. Эта RC цепочка является пассивным фильтром низкой частоты (ФНЧ).

В пассивных четырехполюсниках напряжение или ток на выходе могут быть больше, чем на входе, но мощность при этом не увеличивается. Как же напряжение или ток на выходе могут быть больше, чем на входе? Здесь достаточно вспомнить трансформатор, а также последовательный и параллельный колебательные контура. Для них точнее было бы определение преобразователи напряжения, но никак не усилитель, так как усилитель должен иметь в своем составе обязательно источник питания, у которого он будет брать энергию для усиления слабого входного сигнала.

Также в пассивном четырехполюснике мощность на выходе никак не будет больше мощности, чем на входе. Если вы этого добьетесь, то сразу же получите вечный источник энергии и Нобелевскую премию в придачу. Но помните, что закон сохранения энергии, который впервые был еще сформулирован Лейбницем в 17 веке, никто не отменял.

Активный четырехполюсник

А вот этот четырехполюсник мы будем уже называть активным, так как он имеет в своем составе источник питания +U_пит , которое требуется для того, чтобы усиливать сигнал.

То есть мы здесь видим две клеммы на вход, на которые загоняется сигнал U_вх , а также видим две клеммы на выход, где снимается напряжение U_вых . Питается наш четырехполюсник через +U_пит , в результате чего, в данном случае, сигнал на выходе будет больше, чем сигнал на входе.

Загоняя на вход такой схемы синусоиду, на выходе мы получим ту же самую синусоиду, но ее амплитуда будет в разы больше.

Это, конечно же, верно для идеального усилителя, т.е. абсолютно линейного и без ограничения на амплитуду входного и выходного сигнала. В реальных усилителях, требуется чтобы амплитуда не превышала допустимую и усилитель был правильно спроектирован. Кроме того, любой реальный усилитель вносит искажения и характеризуется коэффициентом нелинейных искажений (КНИ) и еще многими другими параметрами, которые мы рассмотрим в следующей статье.

В активном четырехполюснике, одним из которых является усилитель мощности, мощность на выходе будет больше, чем на входе. Естественно, при этом не нарушается закон сохранения энергии, так как мощность, которая выделяется на нагрузке — это преобразованная мощность источника питания. Входной слабый сигнал просто управляет этой мощностью. Более подробно можно прочитать в статье про принцип усиления транзистора.

В электронике мы будем рассматривать усилитель, как активный четырехполюсник, на вход которого подается маломощный сигнал U_вх, а к выходу цепляется нагрузка R_{н .}

Аналоги

Транзистор TIP127 имеет много зарубежных аналогов. Приведем устройства, которые имеют такой же корпус, расположение выводов, электрические и функциональные характеристики: 2N6035, 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2SB673, 2SB791, ECG26, TIP125, TIP126. На данные приборы можно менять без внесения изменений в электрическую схему.

Существуют похожие транзисторы, которыми можно заменить рассматриваемый, но некоторые электрические параметры могут отличаться: 2SB1024, 2SB676, BD332, BD334, BDT60B, BDW24C, BDW64C, KSB601, KTB1423, NSP702, TIP627.

Имеется также отечественный аналог TIP127 — КТ8115А.

Рекомендуемая комплементарная пара – TIP122.

TIP122F Datasheet (PDF)

1.1. tip122fp tip127fp.pdf Size:270K _st

TIP122FP
TIP127FP

COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.
COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
DESCRIPTION
The TIP122FP is a silicon Epitaxial-Base NPN
power transistor in monolithic Darlington
configuration mounted in Jedec TO-220FP fully
3
2
molded isolated package. It is intented for use in
1
pow

1.2. tip122fp tip127fp .pdf Size:29K _st

TIP122FP
TIP127FP
COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE
2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT)
DESCRIPTION
The TIP122FP is a silicon epitaxial-base NPN
power transistor in monolithic Darlington
configuration Jedec TO-220FP fully molded
isolated package, intented for use in power linear
3
2
and switching a

 1.3. tip122f 127f.pdf Size:94K _cdil

Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN/PNP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP122F NPN
TIP127F PNP
TO-220FP
B
C
E
Designed for General-Purpose Amplifier and Low-Speed Switching Applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector -Base Voltage VCBO 100 V
Collector -Emitter Voltage V

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

mjd122 datasheet (39)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description		Type	PDF
MJD122		Fairchild Semiconductor	NPN Silicon Darlington Transistor		Original	PDF
MJD122		Fairchild Semiconductor	NPN transistor, for general purpose amplifier and low speed switching applications, 100V, 8A		Original	PDF
MJD122		Fairchild Semiconductor	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR		Original	PDF
MJD122		Motorola	SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT		Original	PDF
MJD122		On Semiconductor	Complementary Darlington Power Transistors		Original	PDF
MJD122		On Semiconductor	Complementary Darlington Power Transistor		Original	PDF
MJD122		On Semiconductor	Complementary Darlington Power Transistor		Original	PDF
MJD122		STMicroelectronics	Low voltage power Darlington transistor		Original	PDF
MJD122		STMicroelectronics	Low voltage power Darlington transistor		Original	PDF
MJD122		STMicroelectronics	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS		Original	PDF
MJD122		Fairchild Semiconductor	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR		Scan	PDF
MJD122		Motorola	Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book		Scan	PDF
MJD122		Motorola	Silicon Power Transistors 8A 100V 20W		Scan	PDF
MJD122		Unknown	Historical semiconductor price guide (US$ — 1998). From our catalog scanning project.		Scan	PDF
MJD122-1		Fairchild Semiconductor	NPN transistor, for general purpose amplifier and low speed switching applications, 100V, 8A		Original	PDF
MJD122-1		Motorola	SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT		Original	PDF
MJD122-1		On Semiconductor	TRANS DARLINGTON NPN 100V 8A 3DPAK		Original	PDF
MJD122-1		On Semiconductor	MJD122 — TRANSISTOR 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, DPAK-3, BIP General Purpose Power		Original	PDF
MJD122-1		STMicroelectronics	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS		Original	PDF
MJD122-1		STMicroelectronics	Low voltage power Darlington transistor		Original	PDF

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121;

транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414;

дата записи: 2017-08-14 04:00:51

дата записи: 2017-10-09 13:23:17

дата записи: 2019-05-18 11:56:53