Параметры транзистора tip122. интернет-справочник основных параметров транзисторов

Цоколевка и подключение транзистора TIP122

Транзистор TIP122 имеет трехконтактную цоколевку, которая представлена следующим образом:

• Коллектор (К) — это контакт коллектора транзистора, обычно обозначается с помощью символа «C».
• База (B) — это контакт базы транзистора, обычно обозначается с помощью символа «B».
• Эмиттер (E) — это контакт эмиттера транзистора, обычно обозначается с помощью символа «E».

Чтобы правильно подключить транзистор TIP122, следуйте следующей схеме подключения:

1. Подключите коллектор транзистора к положительному питанию (например, к источнику +5 В).
2. Подключите эмиттер транзистора к нагрузке (например, к светодиоду или резистору).
3. Подключите базу транзистора к управляющему сигналу (например, к микроконтроллеру или другой источнику сигнала).
4. Поставьте резистор между базой и эмиттером транзистора (называемый базовым резистором), чтобы ограничить ток базы и защитить транзистор от перегрузки.

Правильное подключение транзистора TIP122 позволит управлять нагрузкой, подключенной к эмиттеру, с помощью управляющего сигнала, подключенного к базе.

Транзистор tip122: описание

В основном, транзистор tip122 используется для усиления и коммутации сигналов в различных электронных устройствах. Его высокая мощность и способность к работе с большими токами делают его идеальным для использования в источниках питания, усилителях звука, источниках света и других электронных устройствах, требующих большой мощности.

Основные характеристики транзистора tip122:

• Мощность коллектора: до 65 Вт.
• Ток коллектора: до 5 А.
• Ток базы: до 10 мА.
• Напряжение коллектор-эмиттер: до 100 В.
• Коэффициент усиления тока: от 1000 до 5000.

Транзистор tip122 является надежным и универсальным компонентом, который можно использовать в широком спектре электронных проектов, требующих усиления и коммутации высоких токов.

Транзисторы для замены Tip122

Существует несколько транзисторов, которые могут успешно заменить Tip122. Один из таких аналогов — транзистор TIP120, который обладает похожим функциональным набором параметров и может использоваться во многих схемах, где необходима замена Tip122. Также можно рассмотреть другие аналоги, такие как: TIP125, TIP120, TIP121, TIP122, TIP127, TIP128. Эти транзисторы обеспечивают сопоставимые характеристики и могут быть использованы вместо Tip122 без существенных изменений в схеме.

При выборе транзистора для замены Tip122 необходимо обращать внимание на его основные параметры, такие как ток коллектора, максимальное напряжение коллектор-эмиттер и коэффициент усиления. Также рекомендуется проверить документацию для конкретного транзистора и убедиться, что его электрические параметры соответствуют требованиям вашей схемы

Недостатки аналогов Tip122

В поиске замены транзистора Tip122 важно учитывать их недостатки, которые могут повлиять на производительность и надежность устройства:

Недостаток
Описание
Ограничение мощности
Некоторые аналоги Tip122 могут иметь более низкое максимальное значение потребляемой мощности. Это может ограничить возможности применения аналога в некоторых высокомощных схемах.
Низкая частота переключения
Некоторые заменители Tip122 могут иметь более низкую частоту переключения. Это может привести к ограничениям в производительности и стабильности работы частотно-зависимых электронных схем.
Различные параметры
Каждый аналог Tip122 может иметь свои уникальные электрические параметры, такие как ток коллектора, напряжение коллектор-эмиттер и другие

При выборе аналога важно учитывать эти различия и сравнивать их с требованиями конкретной схемы.
Нет точной замены
Некоторые Tip122 могут быть уникальными по своим характеристикам, что делает поиск точного аналога сложным. В некоторых случаях может потребоваться выбор аналога с компромиссными характеристиками или переработка целевой схемы.

Учитывая недостатки аналогов Tip122, необходимо тщательно выбирать замену, чтобы обеспечить оптимальную работу и эффективность электронной схемы.

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора U_CE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 4. Зависимости входной C_ib и выходной C_ob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам U_CB и U_EB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности P_C транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода T_C.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

• по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
• по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
• по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

Применение транзистора TIP122

Транзистор TIP122 широко используется в различных электронных схемах и устройствах. Его основные области применения включают:

1. Усилительные схемы. Транзистор TIP122 может быть использован в усилительных схемах для усиления слабых сигналов. Он обладает высоким значением коэффициента усиления и низким уровнем шума, что делает его идеальным для работы в аудио- и видеоусилителях.
2. Источник тока. Транзистор TIP122 может использоваться в схемах построения стабилизированных источников тока. Он обеспечивает точное и стабильное значение выходного тока и может быть использован в различных схемах питания и блоках питания.
3. Ключевой элемент в силовых устройствах. Благодаря его высоким токо- и напряжениям, транзистор TIP122 широко применяется в силовых схемах. Он может использоваться для управления большими токами и напряжениями, что позволяет использовать его в силовых ключах, схемах управления нагрузками и преобразователях энергии.
4. Блокировка тока. Транзистор TIP122 также можно использовать в схемах блокировки тока. Он обладает высоким значением максимального коллекторного тока, что позволяет использовать его для блокировки тока в определенной секции схемы.
5. Источник тока в электронных схемах. Транзистор TIP122 может быть использован в электронных схемах в качестве источника тока. Он обладает высоким значением тока эмиттера-коллектора и низким сопротивлением, что позволяет использовать его в различных электронных схемах, требующих стабильного выходного тока.

Это лишь некоторые основные области применения транзистора TIP122. Благодаря его надежности, высоким показателям и универсальности, он может быть использован во многих других электронных устройствах и схемах, в зависимости от конкретных требований и потребностей.

Транзистор КТ829 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

Параметры транзистора КТ829

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2
КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121,  BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2
КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2
КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73,  BDW63 *2, BD695 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ829А	—	60*	Вт
КТ829Б	—	60*
КТ829В	—	60*

КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50

КТ829АП
—
50

КТ829АМ
—
60

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр, f*_h31б, f**_h31э, f***_max
КТ829А
—
≥4
МГц

КТ829Б

—
≥4

КТ829В
—
≥4

КТ829Г
—
≥4

КТ829АТ
—
≥4

КТ829АП
—
≥4

КТ829АМ
—
≥4

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,} U*_{КЭR проб.,} U**_{КЭО проб.}

КТ829А
1к
100*
В

КТ829Б
1к
80*

КТ829В
1к
60*

КТ829Г
1к
45*

КТ829АТ
—
100

КТ829АП
—
160

КТ829АМ
—
240

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

U_{ЭБО проб.,} 
КТ829А
—5
В

КТ829Б
—5

КТ829В
—5

КТ829Г
—5

КТ829АТ
—5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ829А
—
8(12*)
А

КТ829Б
—
8(12*)

КТ829В
—
8(12*)

КТ829Г
—
8(12*)

КТ829АТ
—
5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
8

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*

КТ829В
60 В
≤1.5*

КТ829Г
60 В
≤1.5*

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ

—
—

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*

КТ829В
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*

КТ829АТ
—

≥1000

КТ829АП
—
≥700

КТ829АМ
—
400…3000

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
КТ829А
—
≤120
пФ

КТ829Б
—
≤120

КТ829В
—
≤120

КТ829Г
—
≤120

КТ829АТ
—

—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ

КТ829Б
—
≤0.57

КТ829В
—
≤0.57

КТ829Г
—
≤0.57

КТ829АТ

—
≤0.3

КТ829АП
—
≤0.25

КТ829АМ
—
≤0.66

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ829Б
—
—

КТ829В
—
—

КТ829Г
—
—

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***_пк(нс)
КТ829А
——
пс

КТ829Б
——

КТ829В
——

КТ829Г
——

КТ829АТ
——

КТ829АП
——

КТ829АМ
——

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Входные характеристики	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб	Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса	Область максимальных режимов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Выбор модели замены

Выбор подходящей модели замены для транзистора Tip122 зависит от требований и характеристик конкретной схемы или приложения. Существуют несколько моделей, которые могут быть использованы в качестве аналога к транзистору Tip122.

2N3055

Одной из наиболее распространенных моделей, используемых в качестве аналога к транзистору Tip122, является 2N3055. Этот транзистор имеет похожие электрические характеристики и может быть использован во множестве различных приложений.

TIP41

Еще одним аналогом к транзистору Tip122 является TIP41. Эта модель также имеет схожие характеристики с Tip122 и может быть использована во многих схемах, где требуется высокая мощность.

TIP127

Если необходимо заменить транзистор Tip122 с возможностью использования больших токов, то модель TIP127 может быть хорошим вариантом. Она имеет высокую нагрузочную способность и может использоваться в приложениях с требованиями к большой мощности.

При выборе модели замены необходимо обратить внимание на параметры и характеристики подключенных элементов и соответствующим образом подобрать аналог. Рекомендуется также обратиться к документации и справочным материалам для получения более подробной информации о каждой модели

Важно помнить, что при замене транзистора необходимо учитывать его параметры и характеристики, чтобы не нарушить работу схемы или внести изменения в итоговое электрическое поведение. Также стоит проверить совместимость заменяемого транзистора с другими элементами схемы

В итоге, правильный выбор модели замены позволит обеспечить надежную работу схемы и достичь желаемых результатов.

Тип122 транзистор: зачем он нужен и как его проверить?

Зачем нужен Тип122 транзистор? Он служит для усиления сигнала и контроля электрического тока. Благодаря своей конструкции, он может усилить слабый сигнал или изменить характеристики электрического сигнала, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах.

Как проверить Тип122 транзистор? Существует несколько способов провести проверку, но основная и наиболее простая – это с использованием мультиметра. Вот пошаговая инструкция:

Шаг 1:

Перед началом проверки убедитесь, что транзистор не подключен к электрической схеме или источнику питания. Отключите его от всех проводов и отпаяйте от платы (если он установлен на плату).

Шаг 2:

Установите мультиметр в режиме проверки диода. Подсоедините красный провод мультиметра к «измерительному» контакту или положительному клеммнику, а черный провод – к «коммутационному» или отрицательному клеммнику.

Шаг 3:

Подсоедините красный провод мультиметра (прикоснитесь к красному проводу мультиметра) к базовому контакту транзистора, а черный провод – к коллекторному контакту (если используется соединение NPN) или к эмиттерному контакту (если используется соединение PNP).

Шаг 4:

Внимательно наблюдайте за показаниями мультиметра. Если мультиметр показывает напряжение, значит, транзистор работает, и его эмиттер-базовое соединение не имеет обрыва. Если показания мультиметра равны «0» или «НЕТ», то транзистор неисправен или эмиттер-базовое соединение обрывается.

Помимо этого, можно также проверить другие параметры транзистора, такие как коэффициент усиления (hFE), максимальное напряжение и ток коллектора, с помощью специализированных приборов и методик.

Важно помнить, что Тип122 транзистор, также как и другие электронные компоненты, подвержен износу и поломкам. Поэтому периодическая проверка и замена неисправных транзисторов могут гарантировать эффективность работы электронных устройств и предотвратить возможные поломки

Tip122 — замена транзистора

Однако иногда может возникнуть необходимость заменить транзистор Tip122 на другую модель. Это может произойти по разным причинам: от отсутствия требуемого транзистора на складе до желания использовать более доступную модель

В таком случае важно выбрать подходящую альтернативу, которая будет иметь схожие характеристики и способности

При выборе альтернативного транзистора следует обратить внимание на следующие параметры:

1. Тип транзистора: проверьте, что альтернативная модель также является PNP-транзистором, чтобы он одинаково функционировал в вашей схеме.
2. Максимальное рабочее напряжение (Vceo): убедитесь, что альтернативный транзистор имеет такое же или более высокое максимальное напряжение, чтобы избежать проблем с перегрузкой.
3. Максимальный коллекторный ток (Ic): выберите альтернативную модель, которая имеет такой же или больший максимальный ток, чтобы соответствовать требуемым характеристикам вашей схемы.

Если вам необходимо заменить транзистор Tip122, можно обратить внимание на следующие модели, которые считаются его аналогами:

• Транзистор Tip127 имеет схожие характеристики и может использоваться вместо Tip122 во многих приложениях.
• Транзистор MJE3055 имеет высокий максимальный ток и может служить заменой для Tip122 во многих случаях.
• Транзистор TIP42 имеет схожие характеристики и может использоваться как альтернатива к Tip122.

Важно помнить, что при замене транзистора необходимо учитывать все параметры и требования вашей схемы. В случае сомнений лучше проконсультироваться с профессионалами или специалистами в данной области

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

• Маркировка: D1415B
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220SIS

Практическое использование аналогов Tip122

Однако, если у вас нет возможности использовать транзистор Tip122 или вам нужно его заменить, существует несколько аналогов, которые могут быть использованы вместо него:

1. Транзистор TIP125: TIP125 является PNP транзистором со схожими характеристиками, как и Tip122. Он также обладает высоким значением тока и напряжения, что позволяет использовать его в схемах с похожими требованиями.

2. Транзистор BD139: BD139 — это NPN транзистор с аналогичными свойствами, который может быть использован вместо Tip122. Он также способен выдерживать высокие токи и напряжения, что делает его пригодным для использования в схемах, требующих эту функциональность.

3. Транзистор TIP32C: TIP32C — это PNP транзистор, который может заменить Tip122 в различных схемах. Он также обладает высокой мощностью и способен выдерживать большие токи и напряжения.

Рекомендуется использовать подходящий аналог в соответствии с требованиями вашей схемы. Обратитесь к документации и спецификациям каждого транзистора, чтобы убедиться, что он подходит для вашего конкретного приложения.

Меры безопасности

Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов. Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки

Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд

Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.

Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.

TIP122 аналог TIP122TU и TIP122G

The TIP122TU is a NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor offers 60V collector-base voltage and 5A collector current. It is designed for use in medium power linear switching applications. . Complementary to TIP127

TIP122G Обзор

The TIP122G is an NPN Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors. . High DC current gain

TIP122 Аналоги

образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить TIP122
ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор Полная замена Основные рабочие параметры и функциональные характеристики согласованы, а терминалы и пакеты согласованы, замена не требует модификации существующей схемы Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube TIP122 и TIP122 аналог TIP122TU
Fairchild Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail TIP122 и TIP122TU аналог TIP122
Multicomp Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются MULTICOMP TIP122 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 65W, 5A, 1000 TIP122 и TIP122 аналог TIP120
Multicomp Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются MULTICOMP TIP120 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 60V, 65W, 5A, 1000 TIP122 и TIP120 аналог TIP122
Solid State Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются SOLID STATE TIP122 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 65W, 5A, 1000 hFE TIP122 и TIP122 аналог TIP122
Fairchild Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bag TIP122 и TIP122 аналог TIP122-BP
Micro Commercial Components Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 100V 5A TIP122 и TIP122-BP аналог TIP122TU
ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube TIP122 и TIP122TU аналог TIP121

TIP122 отечественный анало TIP122TU, TIP122G: TIP122 TO-220 NPN 100V 5A 2000mW, TIP122TU TO-220 NPN 100V 5A 2000mW, TIP122G TO-220-3 NPN 100V 5A 2000mW. TIP122 характеристики и его российские аналоги TIP122TU, TIP122G: TIP122 Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bag, TIP122TU Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail, TIP122G TO-220AB NPN 100V 5A. TIP122 аналоги TIP122TU, TIP122G Корпус/Пакет: TIP122 Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bag, TIP122TU Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail, TIP122G TO-220AB NPN 100V 5A.

Отечественные и зарубежные аналоги

Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.

При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).

Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:

• (MJE)13002;
• (MJE)13003;
• (MJE)13005;
• (MJE)13007;
• (MJE)13009.

Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.

В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.

Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:

Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.