Транзистор 2sc2482

C5353 описание

Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Модуль датчика стука и цифровой интерфейс 13, светодио дный встроенный светодиод создают простую схему для производства ударных мигалок Если вы выбираете Бесплатная Post Доставка с незарегистрированных, там не будет отслеживания в пункт назначения,Вы должны держать в touch с местном почтовом отделении все время до доставки. Если пакет будет взиматься таможенные пошлины, мы не несем ответственности за любые таможенные пошлины или налоги на импорт.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого

Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1 Обновления Подавитель сотовой связи большой мощности. Перед тем как создавать тему на форуме, воспользуйтесь поиском! Пользователь создавший тему, которая уже была, будет немедленно забанен!

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

sot23-3.
sot23-5.
sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

DC/DC.
AC/DC.
ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

О транзисторе

Давайте вспомним о том, что вне зависимости от того, проверяем мы транзистор с прямой или обратной проводимостью, они имеют два p-n перехода. Любой из этих переходов можно сопоставить с диодом. Исходя из этого, можно с уверенностью заявить, что транзистор представляют собой пару диодов, соединённых параллельно, а место их соединения, является базой.

Таким образом получается, что у одного из диодов выводы будут представлять собой базу и коллектор, а у второго диода выводы будут представлять базу и эмиттер, или наоборот. В таблице ниже представлена цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Таблица маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Исходя из выше написанного, наша задача сводится к проверке напряжения падения на полупроводниковом приборе, или проверки его сопротивления.

Если диоды работоспособны, значит и проверяемый элемент рабочий.Для начала рассмотрим транзистор с обратной проводимостью, то есть имеющим структуру проводимости N-P-N.

На электрических схемах, разных устройств, структуру транзистора определяют с помощью стрелки, которая указывает эмиттерный переход.

Так если стрелка указывает на базу, значит, мы имеем дело c с транзистором прямой проводимости, имеющим структуру p-n-p, а если наоборот, значит это транзистор с обратной проводимостью, имеющий структуру n-p-n.

Для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h21э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Для открытия транзистора с прямой проводимостью, нужно дать отрицательное напряжение на базу. Для этого берём мультиметр, включаем его, и после этого выбираем режим измерения прозвонки, обычно он обозначается символическим изображением диода. В этом режиме прибор показывает падение напряжения в мВ. Благодаря этому мы можем определить кремниевый или германиевый диод или транзистор. Если падение напряжения лежит в пределах 200-400 мВ, то перед нами германиевый полупроводник, а если 500-700 кремниевый.

Современный многофункциональный мультиметр.

Проверка работоспособности транзистора

Подключаем на базу полевого транзистора плюсовой щуп (красный цвет), другим щупом (черный- минус) подключаем к выводу коллектора и делаем измерение. Затем минусовым щупом подключаем к выводу эмиттера и измеряем. Если переходы транзистора не пробиты, то падение напряжения на коллекторном и эмиттерном переходе должно быть на границе от 200 до 700 мВ.

Будет интересно Варианты схем подключения проходных выключателей

Для этого берем, подключаем черный щуп к базе, а красный по очереди подключаем к эмиттеру и коллектору, производя измерения.

Теперь произведём обратное измерение коллекторного и эмиттерного перехода.

Во время измерения, на экране прибора высветится цифра «1», что в свою очередь означает, что при выбранном нами режиме измерения, падение напряжения отсутствует.

Точно также, можно проверить элемент, который находиться на электронной плате, от какого-либо устройства.

При этом во многих случаях можно обойтись и без выпаивания его из платы.

Бывают случаи, когда на впаянные элементы в схеме, оказывают большое влияние резисторы с малым сопротивлением.

Но такие схематические решения, встречаются очень редко. В таких случаях при измерении обратного коллекторного и эмиттерного перехода, значения на приборе будут низкие, и тогда нужно выпаивать элемент из печатной платы. Способ проверки работоспособности элемента с обратной проводимостью (P-N-P переход), точно такой же, только на базу элемента подключается минусовой щуп измерительного прибора.

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23

Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:

снижение канального сопротивления;
паразитного сопротивления;
выводной емкости и индуктивности;
увеличение рабочего тока;
увеличение рабочего напряжения;
увеличение скорости действия.

Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.

Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.

Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.

К транзисторам предъявляются следующие требования:

Невысокое открытое сопротивление.
Стабильность температуры, если не используется радиатор.
Невысокий порог напряжения затвора.
Бюджетная стоимость.

У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.

У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.

Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.

Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.

Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23

Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.

Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой

Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения

На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.

Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.

Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23

В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:

управляющее напряжение затвора;
тип корпуса;
технология кристаллизации;
уровень напряжения стока и размера кристалла.

Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:

L — уровень управляющего напряжения.
F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.

Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.

Основные характеристики транзистора C2682

Максимальное смещение эмиттер-база (Veb): 5 В

Максимальное смещение коллектор-база (Vcb): 50 В

Максимальный коллекторный ток (Ic): 0,5 А

Максимальный потребляемый коллекторный ток (Ic): 0,15 А

Максимальная мощность потери (Pc): 0,4 Вт

Транзистор C2682 обладает высокой стабильностью параметров и низким уровнем шума, что делает его идеальным выбором для использования в усилителях низкочастотного диапазона, устройствах управления и коммутации сигналов.

Пожалуйста, обратите внимание, что указанные характеристики являются типичными значениями и могут отличаться в разных партиях транзисторов или у разных производителей

Металл-воздушные транзисторы

По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой. Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.

Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.

Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок. О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:

VMware EMPOWER 2021: делимся впечатлениями
Перспективы дата-центров: технологии, которые повысят производительность серверов
Процессоры для серверов: обсуждаем новинки
Развитие дата-центров: технологические тренды
Как повысить энергоэффективность дата-центра
Как разместить 100% инфраструктуры в облаке IaaS-провайдера и не пожалеть об этом
«Как дела у VMware»: обзор новых решений

Биполярный транзистор 2SC1384 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1384

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SC1384
Datasheet (PDF)

..1. Size:47K panasonic 2sc1383 2sc1384.pdf

Transistor2SC1383, 2SC1384Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA683 and 2SA6845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Complementary pair with 2SA683 and 2SA684.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings Unit

..2. Size:276K utc 2sc1384.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC1384 NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver. FEATURES * Low VCE(SAT) * 2~3W output in complementary pair with 2SA684 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3- 2SC1384G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel2SC138

..3. Size:377K jiangsu 2sc1383 2sc1384.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors2SC1383 TRANSISTOR (NPN)2SC1384 TO-92L FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat).1.EMITTER Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684.2.COLLECTOR 3.BASE C1383=Device code C1383Solid dot = Green molding compound device, Equivalent Circuit if none,

..4. Size:193K lzg 2sc1384 3da1384.pdf

2SC1384(3DA1384) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. :, 2SA684(3CA684) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SA684(3CA684). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

..5. Size:166K tgs 2sc1383 2sc1384.pdf

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC1383 TRANSISTOR (NPN) TO-92L 2SC1384 FEATURES 1.EMITTER Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 2.COLLECTOR Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 60 V

0.1. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 7.8008.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.350VCBO Collector-Base Voltage 30 60 V 0.550

0.2. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384 to-92mod.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD2.COLLECTOR 1 23.BASE 3 Features5.800 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 6.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltage 30

0.3. Size:514K semtech st2sc1383 st2sc1384.pdf

ST 2SC1383 / 2SC1384 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For low-frequency power amplification and driver Amplification. Complementary to 2SA683 to and 2SA684. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCo

Другие транзисторы… 2SC1378
, 2SC1379
, 2SC138
, 2SC1380
, 2SC1380A
, 2SC1381
, 2SC1382
, 2SC1383
, 2SC2073
, 2SC1385
, 2SC1385H
, 2SC1386
, 2SC1386H
, 2SC1387
, 2SC1388
, 2SC1388F
, 2SC138A
.