Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание
Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF
12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
2SC3746 Datasheet (PDF)
..1. Size:101K sanyo 2sa1469 2sc3746.pdf
Ordering number:EN1973APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1469/2SC374660V/5A High-Speed Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Various inductance lamp drivers for electricalunit:mmequipment.2041 Inverters, converters (strobo, flash, fluorescent lamp[2SA1469/2SC3746]lighting circuit). Power amp (high power car stereo, motor controller).
..2. Size:190K jmnic 2sc3746.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3746 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SA1469 Low saturation voltage Excellent current dependence of hFE Short switching time APPLICATIONS Various inductance of lamp drivers for electronic equipment Inverters ,converters Switching regulator ,driver PINNING PIN DESCRIPTION
..3. Size:204K inchange semiconductor 2sc3746.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3746DESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Switching SpeedLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSVarious inductance lamp drivers for electrical equipmentInverters, convertersPower amplifiersHigh-speed switching applications.ABSOLUTE MA
8.1. Size:95K sanyo 2sa1470 2sc3747.pdf
Ordering number:EN1972APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1470/2SC374760V/7A High-Speed Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Inductance, lamp drivers.unit:mm Inveters, conveters (strobes, flashes, FLT lighting2041circiuts).[2SA1470/2SC3747] Power amplifiers (high-power car stereos, motorcontrol). High-speed switching (switching
8.2. Size:100K sanyo 2sc3749.pdf
Ordering number:EN1968ANPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3749500V/3A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage and high reliability.unit:mm Fast switching speed.2041A Wide ASO. Adoption of MBIT process. Micaless package facilitating mounting.1 : Base2 : Collector3 : EmitterSANYO : TO-2
8.3. Size:94K sanyo 2sa1471 2sc3748.pdf
Ordering number:EN2001APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1471/2SC374860V/10A High-Speed Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Car-use inductance drivers, lamp drivers.unit:mm Inverters drivers, conveters (strobes, flashes, FLT2041lighting circuits).[2SA1471/2SC3748] Power amplifiers (high-power car stereos, motorcontrol). High-s
8.4. Size:56K panasonic 2sc3743.pdf
Power Transistors2SC3743Silicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage high-speed switchingUnit: mm10.0 0.2 4.2 0.25.5 0.2 2.7 0.2FeaturesHigh-speed switching 3.1 0.1Wide area of safe operation (ASO) with high breakdown voltageSatisfactory linearity of foward current transfer ratio hFEFull-pack package which can be installed to the heat si
8.5. Size:214K inchange semiconductor 2sc3749.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3749DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 500V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
8.6. Size:211K inchange semiconductor 2sc3748.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3748DESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Switching SpeedLow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA1471Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSInductance, lamp driversInverters, convertersPower amplifiersHigh-speed switching applications.ABSOLUTE MAXI
8.7. Size:212K inchange semiconductor 2sc3743.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3743DESCRIPTION Collector-Emiiter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min.)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
8.8. Size:211K inchange semiconductor 2sc3747.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3747DESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Switching SpeedLow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA1470Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSInductance, lamp driversInverters, convertersPower amplifiersHigh-speed switching applications.ABSOLUTE MAXI
Тепловые характеристики и сопротивление
| Наименование | Значение |
|---|---|
| Тепловое сопротивление корпус-переход | 0.85 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-кристалл | 6 °C/W |
| Тепловое сопротивление корпус окружающей среде | 100 °C/W |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
Тепловое сопротивление корпус-переход указывает на способность транзистора передавать тепло от его корпуса к переходу. Чем ниже это значение, тем эффективнее отводится тепло.
Тепловое сопротивление переход-кристалл показывает, насколько эффективно тепло отводится от перехода кристалла. Меньшее значение этого показателя означает лучшую теплопередачу.
Тепловое сопротивление корпус окружающей среде указывает на способность транзистора отводить тепло в окружающую среду. Этот показатель особенно важен при использовании транзистора в условиях повышенной температуры или в замкнутом пространстве.
Максимальная рабочая температура определяет предельную температуру, при которой транзистор может надежно работать. Превышение этой температуры может привести к повреждению или выходу из строя транзистора.
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
О транзисторе
Давайте вспомним о том, что вне зависимости от того, проверяем мы транзистор с прямой или обратной проводимостью, они имеют два p-n перехода. Любой из этих переходов можно сопоставить с диодом. Исходя из этого, можно с уверенностью заявить, что транзистор представляют собой пару диодов, соединённых параллельно, а место их соединения, является базой.
Таким образом получается, что у одного из диодов выводы будут представлять собой базу и коллектор, а у второго диода выводы будут представлять базу и эмиттер, или наоборот. В таблице ниже представлена цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.
Таблица маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.
Исходя из выше написанного, наша задача сводится к проверке напряжения падения на полупроводниковом приборе, или проверки его сопротивления.
Если диоды работоспособны, значит и проверяемый элемент рабочий.Для начала рассмотрим транзистор с обратной проводимостью, то есть имеющим структуру проводимости N-P-N.
На электрических схемах, разных устройств, структуру транзистора определяют с помощью стрелки, которая указывает эмиттерный переход.
Так если стрелка указывает на базу, значит, мы имеем дело c с транзистором прямой проводимости, имеющим структуру p-n-p, а если наоборот, значит это транзистор с обратной проводимостью, имеющий структуру n-p-n.
Для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h21э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.
Для открытия транзистора с прямой проводимостью, нужно дать отрицательное напряжение на базу. Для этого берём мультиметр, включаем его, и после этого выбираем режим измерения прозвонки, обычно он обозначается символическим изображением диода. В этом режиме прибор показывает падение напряжения в мВ. Благодаря этому мы можем определить кремниевый или германиевый диод или транзистор. Если падение напряжения лежит в пределах 200-400 мВ, то перед нами германиевый полупроводник, а если 500-700 кремниевый.
Современный многофункциональный мультиметр.
Проверка работоспособности транзистора
Подключаем на базу полевого транзистора плюсовой щуп (красный цвет), другим щупом (черный- минус) подключаем к выводу коллектора и делаем измерение. Затем минусовым щупом подключаем к выводу эмиттера и измеряем. Если переходы транзистора не пробиты, то падение напряжения на коллекторном и эмиттерном переходе должно быть на границе от 200 до 700 мВ.
Будет интересно Варианты схем подключения проходных выключателей
Для этого берем, подключаем черный щуп к базе, а красный по очереди подключаем к эмиттеру и коллектору, производя измерения.
Теперь произведём обратное измерение коллекторного и эмиттерного перехода.
Во время измерения, на экране прибора высветится цифра «1», что в свою очередь означает, что при выбранном нами режиме измерения, падение напряжения отсутствует.
Точно также, можно проверить элемент, который находиться на электронной плате, от какого-либо устройства.
При этом во многих случаях можно обойтись и без выпаивания его из платы.
Бывают случаи, когда на впаянные элементы в схеме, оказывают большое влияние резисторы с малым сопротивлением.
Но такие схематические решения, встречаются очень редко. В таких случаях при измерении обратного коллекторного и эмиттерного перехода, значения на приборе будут низкие, и тогда нужно выпаивать элемент из печатной платы. Способ проверки работоспособности элемента с обратной проводимостью (P-N-P переход), точно такой же, только на базу элемента подключается минусовой щуп измерительного прибора.
Упаковка и маркировка
Транзистор C3746 поставляется в упаковке типа TO-92, которая обеспечивает надежную защиту от механических повреждений и электростатического разряда. Упаковка состоит из пластикового корпуса с тремя выводами, которые крепятся к печатной плате или другой поверхности.
На корпусе транзистора нанесена маркировка, которая содержит информацию о типе транзистора и его характеристиках. Маркировка C3746 может быть выполнена с использованием различных методов, включая шелкографию или лазерную гравировку.
На маркировке обычно указывается следующая информация:
- Буквенный код: буквенное обозначение типа транзистора, в данном случае «C» указывает на то, что это тип транзистора с коммутационными характеристиками.
- Числовой код: числовое обозначение типа транзистора, в данном случае «3746».
Маркировка позволяет идентифицировать тип транзистора и его основные характеристики, что упрощает выбор и установку в электронных схемах.
Транзистор C4468 — 140 В, 10 А, транзистор NPN, 2SC4468
Опубликовано 24 июля 2022 г. 9 декабря 2022 г. от Pinout
Номер детали: C4468, 2SC4468
Функция: 140V, 10A, NPN Transistor
Пакет: TO-3P Type
Производство: Sanken, Allegro Micro Systems
Изображение
Описание:
Это 140V, 10A 10A, 10A, 10A, 10A, 10A, 10A, 10A. , кремниевый NPN тройной диффузный планарный транзистор.
Особенности:
1. Дополнение к типу 2SA1695
1 стр.
Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25°C) Vceo = 140 В 3. Напряжение между эмиттером и базой: Vebo = 6 В 4. Ток коллектора: Ic = 10 А 5. Суммарное рассеивание: Pc = 100 Вт 6. Температура перехода: Tj = 150°C 7. Температура хранения: Tsg = -55 ~ +150°C
Электрические характеристики
Символ ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat)
ft COB ∗hFE Ранг Условия VCB=200 В VEB=6 В IC=50 мА VCE=4 В, IC=3 А IC=5 А, IB=0,5 А VCE=12 В , IE=–0,5A VCB=10В, f=1МГц Внешние размеры МТ-100(ТО3П) 5,0±0,2 15,6±0,4 9,6 2,0 1,8 4,8±0,2 2,0±0,1 Единица измерения мкА мкА 19,9±0,3 В 4,0 а б ø3,2±0,1 2 O(50–100), P(70–140), Y(90–180) Типовые характеристики переключения (общий эмиттер) VCC (В) 60 RL (Ом) 12 IC (A) 5 VBB1 (В) 10 VBB2 (В) – 5 IB1 (A) 0,5 IB2 (A) –0,5 тонны (мкс) 0,24 тип.
Применение:
1. Аудио и общего назначения
Избранные сообщения
- YX8018 — Драйвер солнечного светодиода — Shiningic
- LTK5128 — Микросхема усилителя звука
- 4558D — двойной операционный усилитель
- 17HS4401 – 40 мм, шаговый двигатель
- 30F124 – GT30F124, 300 В, 200 А, БТИЗ
- 78L05 — 5 В, регулятор положительного напряжения
Последние сообщения
- Техническое описание M5840 в формате PDF — Автономный ШИМ-контроллер, СОП 8
- Техническое описание 17HS2408 PDF — 2-фазный гибридный шаговый двигатель
- Техническое описание 1N5223B в формате PDF — 2,7 В, 500 мВт, стабилитрон
транзистор%20c3746 техническое описание и примечания по применению
Модель ECAD
Производитель
Описание
Техническое описание Скачать
Купить Часть
BD6047AGUL
РОМ Полупроводник
Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором
БМ2П016-З
РОМ Полупроводник
ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включая переключающий МОП-транзистор
БМ2П0361К-З
РОМ Полупроводник
ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором
BD9B305QUZ
РОМ Полупроводник
Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный
БД9Д300МУВ
РОМ Полупроводник
Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный
БМ2П104ЭФ
РОМ Полупроводник
Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС
Туннельные транзисторы
Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта. Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.
Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.
/ фото PxHere PD
В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.
Внешний вид и общие характеристики
Внешне транзистор C3746 выглядит как небольшая пластмассовая коробка с тремя выводами. Выводы обычно имеют разные цвета, чтобы помочь вам правильно подключить транзистор.
Общие характеристики транзистора C3746 включают его тип, максимальные значения напряжения и тока, а также его основные параметры, такие как усиление и потери мощности. Транзистор C3746 обычно относится к типу NPN или PNP, в зависимости от его конфигурации.
Максимальные значения напряжения и тока указывают на максимальные значения, которые транзистор может выдержать без повреждения
Это важно знать при подключении транзистора к источнику питания
Основные параметры транзистора включают его усиление, которое представляет собой способность транзистора усилить входной сигнал. Оно измеряется в коэффициенте усиления тока или напряжения. Потери мощности указывают на количество мощности, которую транзистор теряет в виде тепла при работе.
В целом, транзистор C3746 является надежным и универсальным компонентом, который может быть использован во многих электронных схемах. Он обладает различными характеристиками, которые позволяют ему быть эффективным в реализации различных функций.