Устройство и принцип работы MOSFET транзистора с встроенным каналом.
Устройство, в целом, схоже с JFET-транзисторами, вспомним основных действующих лиц:
- Область P-типа, в которой основными носителями заряда являются дырки.
- Область N+, в которой, напротив, основные носители – электроны. Пометка «+» символизирует повышенное легирование области, что означает повышенную же концентрацию электронов в ней.
- Электроды полевого транзистора – сток, исток и затвор. Вывод подложки может как присутствовать, так и отсутствовать (в таком случае он соединен с истоком внутри транзистора).
- И ко всему прочему, зоны типа N+ соединены между собой – эта область и образует встроенный канал, присутствующий в названии компонента.
Как адепт максимально четкой структуры, я пойду по такому же плану, как в статье про JFET. Стартовая точка такова:
Начнем с подключения следующим образом:
Канал (то есть область N-типа, соединяющая сток и исток) у нас присутствует конструктивно изначально, поэтому ничто и никто не препятствует движению электронов по этому самому каналу.
Движение электронов – это, в свою очередь, есть протекание тока. То есть при U_{ЗИ} = 0 в наличии имеется протекающий от стока к истоку ток. Фиксируем данный факт, и подаем положительное напряжение между затвором и истоком:
Возникающее электрическое поле будет притягивать дополнительные электроны как из областей стока и истока, так и из подложки, где концентрация электронов пусть и невелика, но они там есть.
И что получаем в итоге? Фактически увеличение, оно же расширение, канала, из которого логичным образом вытекает и увеличение тока, поскольку физически по нему сможет перемещаться большее количество электронов. Расширение канала ⇒ уменьшение его сопротивления ⇒ увеличение его проводимости ⇒ увеличение потока электронов ⇒ увеличение тока
При таком включении MOSFET транзистор работает в режиме обогащения. Проведем сравнительный анализ со случаем, когда U_{ЗИ} = 0:
Все соответствует произведенным нами выводам. Но на этом не завершаем, второй случай: U_{ЗИ} < 0. Механизм тот же, эффект противоположный:
Теперь возникающее поперечное электрическое поле приводит, наоборот, к выталкиванию электронов из области канала, что ведет к диаметрально отличающимся последствиям. Сужение канала ⇒ увеличение его сопротивления ⇒ уменьшение его проводимости ⇒ уменьшение потока электронов ⇒ уменьшение тока. И по итогу имеем:
В данном случае транзистор с встроенным каналом пребывает в режиме обеднения. И для всех трех рассмотренных случаев:
Также рассмотрим зависимость тока сток-исток от напряжения между затвором и истоком. Очевидно, что увидим тут полное соответствие тому, что разобрали:
При U_{ЗИ} = 0 через транзистор (по пути сток-исток) течет некий ток. Увеличение U_{ЗИ} – увеличение тока, то же самое и при уменьшении, то есть отрицательном смещении затвора относительно истока. При определенном пороговом значении канал сужается настолько, что протекание тока прекращается полностью.
Разобрали суть протекающих процессов и явлений, переходим ко второму типу – MOSFET с индуцированным каналом.
Connecting 2N3055 Transistors in Parallel
Paralleling 2N3055 Transistors
Connecting two or more 2n3055 transistors in parallel is very easy; just join their collectors and the emitters together to produce a common terminal from the collector joint and a common terminal from the emitter joint. The base of each transistor must also be made common by joining, however each base terminal must incorporate the respective resistors (usually of identical calculated values) and the free terminal of the resistors must be joined to produce a common base connection point (refer the diagram).
Since the body of the device forms the collector, the respective connections must be acquired from the body fitting screws of the transistors.
2N3440 Datasheet (PDF)
..1. Size:47K st 2n3439 2n3440.pdf
2N34392N3440SILICON NPN TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES NPN TRANSISTORDESCRIPTION The 2N3439 and 2N3440 are silicon epitaxialplanar NPN transistors in jedec TO-39 metal casedesigned for use in consumer and industrialline-operated applications. These devices are particularly suited as drivers inhigh-voltage low current inverters, switching andseri
..2. Size:272K microsemi 2n3439 2n3440.pdf
2N3439 thru 2N3440 Qualified Levels: NPN LOW POWER SILICON JAN, JANTX, Available on TRANSISTOR JANTXV and JANS commercial versions Qualified per MIL-PRF-19500/368 DESCRIPTION This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA packaging. Microsemi also offers nume
..3. Size:212K inchange semiconductor 2n3440.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2N3440DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 250 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 40(Min) @ I = 20mAFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
0.1. Size:21K semelab 2n3440dcsm.pdf
2N3439DCSM2N3440DCSMHIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPNDUAL TRANSISTOR IN AHERMETICALLY SEALEDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEDimensions in mm (inches)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONSFEATURES2.29 0.20 1.65 0.13 1.40 0.15(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005) DUAL SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR2 3 HERMETIC CERAMIC SURFACE
0.2. Size:94K semelab 2n3440c3a.pdf
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439C3A / 2N3440C3A 2N3439C3B / 2N3440C3B 2N3439C3C / 2N3440C3C High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Variant B to MIL-PRF-19500/368 outline Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =
0.3. Size:94K semelab 2n3440c3b.pdf
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439C3A / 2N3440C3A 2N3439C3B / 2N3440C3B 2N3439C3C / 2N3440C3C High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Variant B to MIL-PRF-19500/368 outline Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =
0.4. Size:94K semelab 2n3440c3c.pdf
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439C3A / 2N3440C3A 2N3439C3B / 2N3440C3B 2N3439C3C / 2N3440C3C High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Variant B to MIL-PRF-19500/368 outline Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =
0.5. Size:94K semelab 2n3440csm4r.pdf
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439CSM4 / 2N3439CSM4R 2N3440CSM4 / 2N3440CSM4R High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) 2N3439 2N3440Symbols Parame
0.6. Size:190K microsemi 2n3440ua.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/368 DEVICES LEVELS JAN 2N3439 * 2N3440JANTX 2N3439L * 2N3440LJANTXV
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Полезные страницы
- Набор GyverKIT – большой стартовый набор Arduino моей разработки, продаётся в России
- Каталог ссылок на дешёвые Ардуины, датчики, модули и прочие железки с AliExpress у проверенных продавцов
- Подборка библиотек для Arduino, самых интересных и полезных, официальных и не очень
- Полная документация по языку Ардуино, все встроенные функции и макросы, все доступные типы данных
- Сборник полезных алгоритмов для написания скетчей: структура кода, таймеры, фильтры, парсинг данных
- Видео уроки по программированию Arduino с канала “Заметки Ардуинщика” – одни из самых подробных в рунете
- Поддержать автора за работу над уроками
- Обратная связь – сообщить об ошибке в уроке или предложить дополнение по тексту ()
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений
Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard
| # | Конфигурация | Тип корпуса | Цоколевка |
| Одиночный диод | SOT23 | D1a | |
| 2 | Два последовательно включенных диода | SOT23 | D1i |
| 3 | Два диода с общим анодом | SOT23 | D1j |
| 4 | Два диода с общим катодом | SOT23 | D1h |
| 5 | Два отдельных диода | SOT143 | D6d |
| 7 | Кольцо из четырех диодов | SOT143 | D6c |
| 8 | Мост из четырех диодов | SOT143 | D6a |
| 9 | Перевернутая четверка диодов | SOT143 | – |
| B | Одиночный диод | SOT323 | D2a |
| C | Два последовательно включенных диода | SOT323 | D2b |
| E | Два диода с общим анодом | SOT323 | D2c |
| F | Два диода с общим катодом | SOT323 | D2d |
| K | Два отдельных диода | SOT363 | D7b |
| L | Три отдельных диода | SOT363 | D7f |
| M | Четыре диода с общим катодом | SOT363 | D7g |
| N | Четыре диода с общим анодом | SOT363 | D7h |
| P | Мост из четырех диодов | SOT363 | D7i |
| R | Кольцо из четырех диодов | SOT363 | D7j |
| T | Диод с низкой индуктивностью | SOT363 | – |
| U | Последовательно-параллельная пара диодов | SOT363 | – |
Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах
| Тип | 1 полоса | 2 полоса | Эквивалент |
| BA682 | Красная | Нет | BA482 |
| BA683 | Красная | Желтая | BA483 |
| BAS32 | Черная | Нет | 1N4148 |
| BAV100 | Зеленая | Черная | BAV18 |
| BAV101 | Зеленая | Красная | BAV19 |
| BAV102 | Зеленая | Красная | BAV20 |
| BAV103 | Зеленая | Желтая | BAV21 |
| BB219 | Нет | Нет | BB909 |
Маркировка диодов и диодных сборок
| Наименование | Маркировка | Кол-во диодов | Обратное напр. | Прямой ток | Время рас. | Емкость диода | Корпус |
| LL 4148 | … | один | 70 В | 100 мА | 4 нс | 4,0 пФ | mini-МELF |
| BAS 216 | … | один | 75 В | 250 мА | 4 нс | 1,5 пф | SOD110 |
| BAT254 NEW | … | один | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOD110 |
| BAS 16 | JU/A6 | один | 75 В | 200 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAS 21 | JS | один | 200 В | 200 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
| BAV 70 | JJ/A4 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAV 99 | JK, JE, A7 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAW 56 | JD, A1 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAT54S | L44 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAT54C | L43 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAV23S | L31 | 2 диода | 200В | 225 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
Маркировка стабилитронов BZX84
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZX84C2V7 | W4 | 2,4B | 2,7B | 3,1B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V0 | W5 | 2,8B | 3,0B | 3,2B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V3 | W6 | 3,1В | 3,3В | 3,5В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C3V9 | W8 | 3,7В | 3,9В | 4,1В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C4V3 | Z0 | 4,1B | 4,3B | 4,5B | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C4V7 | Z1 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C5V1 | Z2 | 4,9B | 5,1B | 5,3B | 60 Ом | 0,03% |
| BZX84C5V6 | Z3 | 5,2В | 5,6В | 6,0В | 40 Ом | 0,03% |
| BZX84C6V2 | Z4 | 5,8В | 6,2В | 6,6В | 10 Ом | 0,05% |
| BZX84C6V8 | Z5 | 6,4В | 6,8В | 7,2В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C7V5 | Z6 | 7,1В | 7,5В | 7,9В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C8V2 | Z7 | 7,7В | 8,2В | 8,7В | 15 Ом | 0,06% |
| BZX84C9V1 | Z8 | 8,8В | 9,1В | 9,5В | 20 Ом | 0,05% |
| BZX84C10 | Z9 | 9,4В | 10,0В | 10,6В | 20 Ом | 0,07% |
| BZX84C12 | Y2 | 11,4В | 12,0В | 12,7В | 25 Ом | 0,07% |
| BZX84C15 | Y4 | 13,8В | 15,0В | 15,6В | 30 Ом | 0,08% |
| BZX84C18 | Y6 | 16,8В | 18,0В | 19,1В | 45 Ом | 0,08% |
| BZX84C20 | Y8 | 17,8В | 20,0В | 21,0В | 45 Ом | 0,08% |
Маркировка стабилитронов BZT52
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZT52-C3V3S | W4 | 3,1B | 3,3B | 3,5B | 95 Oм | -0,055% |
| BZT52-C3V9S | W6 | 3,7B | 3,9B | 4,1B | 95 Oм | -0,050% |
| BZT52-C4V3S | W7 | 4,0В | 4,3В | 4,6В | 95 Ом | -0,035% |
| BZT52-C4V7S | W8 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 75 Ом | -0,015% |
| BZT52-C5V1S | W9 | 4,8B | 5,1B | 5,4B | 60 Ом | -0,005% |
| BZT52-C6V8S | WB | 6,4B | 6,8B | 7,2B | 8 Ом | 0,045% |
Как проверить SMD компоненты
Пайка чип-компонентов
В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.
Печатные платы современного вида выглядят не так, как их предшественницы. Практически исчезли знакомые детали с ножками, вставленными в отверстия. Их заменили совсем крошечные компоненты, припаянные поверх платы к специально созданным контактным площадкам. Они именуются SMD (англ. Surface Mounted Device, или устройство, монтируемое на поверхность).
Такие детали намного удобнее — исключается целая и весьма точная операция сверления отверстий при изготовлении платы, достигается компактность. При этом, миниатюрный размер не позволяет нанести на них подробное и привычное наименование. Маркировка SMD диодов выполнена в виде кодовых обозначений, о которых надо поговорить подробнее.
Маркировка диодов
Маркировка выводных диодов:
Наиболее распространены следующие системы кодирования:
JEDEC(США)— Стандартизированная система EIA370 нумерации N-серии.
Вид кода: .
Первая цифра – цифра, отражающая количество переходов в элементе (1 для диодов).
Буква – всегда буква “N”.
Серийный номер – двух-, трех- или четырехзначное число, которое отражает порядковый номер регистрации полупроводникового прибора в EIA.
Суффикс – отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам. Суффикс может состоять из одной или нескольких букв.
Например: 1N34A/1N270 (германиевый диод), 1N914/1N4148 (кремниевый диод), 1N4001-1N4007 (кремниевый выпрямительный диод на 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямительный диод на 3A).
PRO ELECTRON (Европа);
Обозначение состоит из четырех элементов.
Первый элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового материала, используемого в приборе:
- A – германий;
- B – кремний;
- C – арсенид галлия;
- R – другие полупроводниковые материалы.
Второй элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- A – маломощные импульсные и универсальные диоды;
- B – варикапы;
- E – туннельные диоды;
- G – приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
- H – магниточувствительные диоды;
- P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
- Q – светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
- X – умножительные диоды;
- Y – выпрямительные диоды, бустеры;
Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (промышленной, профессиональной, военной и т.п.). Обычно используются буквы “Z”, “Y”, “X” или “W”. В обозначениях приборов общего назначения этот элемент отсутствует.
Четвертый элемент – двух-, трех- или четырехзначный серийный номер прибора.
В обозначении могут присутствовать и некоторые дополнительные элементы. Например, такой же, как и в системе JEDEC суффикс, который отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.
Для некоторых типов приборов (таких как стабилитроны) может применяться дополнительная классификация. При этом к основному обозначению (может также быть через дефис или дробь) добавляется дополнительный код. Например, часто применяется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его возможном разбросе (“A” – 1%, “B” – 2%, “C” – 5%, “D” – 10%, “E” – 15%). Если напряжение стабилизации – не целое число, то вместо запятой ставится буква V. В дополнительном коде для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.
Например, BZY88C4V7 – это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 88, напряжением стабилизации 4.7 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения ±5%.
Таблица 1 — Цветовое кодирование диодов (PRO ELECTRON).
JIS (Япония, Азия);
Обозначение состоит из пяти элементов.
Первый элемент – цифра, отражающая количество переходов в элементе (0 – фотодиоды; 1 – диоды).
Второй элемент – буква “S”, обозначающая полупроводниковые приборы (Semiconductors).
Третий элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- E – диоды;
- G – диоды Ганна;
- Q – светоизлучающие диоды;
- R – выпрямительные диоды;
- S – слаботочные диоды;
- T – лавинные диоды;
- V – варикапы, p-i-n-диоды, диоды с накоплением заряда;
- Z – стабилитроны, ограничители.
Четвертый элемент – это серийный (регистрационный) номер прибора.
Пятый элемент – модификация прибора (“A” – первая, “B” – вторая и т.д.).
После стандартной маркировки может следовать дополнительный индекс (“N”, “M”, “S”), отражающий некоторые специальные свойства прибора.
Маркировка SMD диодов:
SMD диоды маркируются обычно с помощью буквенно-числового кода. В зависимости от типа корпуса (т.е. его размера) и производителя, применяется та или иная система кодирования. Вполне очевидно, что рассмотреть все виды кодирования не представляется возможным. Поэтому далее будут рассмотрены некоторые коды для наиболее часто применяемых корпусов диодов. Более полную версию систем кодирования SMD диодов Вы можете посмотреть .
Для корпусов SOD80 (MiniMELF):
Пример: BZV87-1V4 – кремниевый стабилитрон на напряжение стабилизации 1.4 В.
Остальные номиналы стабилитронов кодируются подобным образом.
Цветовая маркировка:
Часто производитель кодирует лишь тип диода:
Техническое описание
Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.
Характеристики
Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).
- принцип действия – биполярный;
- корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
- материал – кремний (Si);
- npn-проводимость (обратная);
предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):
основные электрические параметры:
- IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
- IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
- fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
- емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
- коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
- cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
- тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
- Токр от -40 до +85 °C.
При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В
Ниже приведена классификация КТ3102
Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.
По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.
Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.
Маркировка
Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.
Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.
Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.
Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.
2N3904 Распиновка транзистора, характеристики и применение
← Предыдущая страница
Следующая страница →
2N3904 представляет собой NPN-транзистор, изготовленный из кремния. Он используется для переключателя и усилителя общего назначения. Он поддерживает ток до 100 мА, когда действует как переключатель, и поддерживает частоту до 100 МГц, действуя как усилитель.
2N3904 это Транзистор с биполярным переходом NPN, предназначенный для коммутации при токе 100 мА и в качестве усилителя на частоте 100 МГц. Он поставляется в корпусе TO-92 и используется в самых разных областях. Его можно использовать в телевизорах, мы можем использовать его в бытовой технике, его можно использовать в качестве небольшого переключателя нагрузки, а также в качестве усилителя.
2N3904 Конфигурация контактов транзистора:
Детали Конфигурация контактов этого транзистора приведена ниже
-
- Излучатель обычно обозначается цифрой Э
- Основание обозначено B.
- Коллектор обозначен C.
Характеристики 2N3904
- Биполярный транзистор NPN: Тип
- Доступный пакет: To-92
- Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Непрерывный ток коллектора (IC): 200 мА
- Напряжение база-эмиттер (VBEO): 6 В
- Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 В
- Рассеиваемая мощность: 625 мВт
- Рабочая температура (до): -55–155°C
2N3904 Эквивалентные транзисторы NPN:
BC548, BC547 BC636, BC639, 2N2222A, 2N2222, 2N2369, 2N3055, 2n3906, 2SC5200 эквивалентны этому транзистору.
Дополнение 2n3904 Транзисторы:
BC557,BC556,A1015 являются лучшим дополнением (PNP)
SMD транзистора 2N3904
Описание выводов SMD приведено ниже 002 Когда он используется в качестве переключателя он работает в области насыщения и отсечки. Транзистор 2N3904 действует как открытый переключатель во время прямого смещения и действует как закрытый переключатель во время обратного смещения. Ток смещения должен составлять не более 5 мА. Более 5 мА повредит транзистор, поэтому последовательно с базовым выводом транзистора всегда добавляется резистор. Значение резистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам.
Значение VBE должно быть 5 В, а ток базы (IB зависит от тока коллектора. Значение IB не должно превышать мА.
2N3904 Транзистор как усилитель:
Транзистор действует как усилитель при работе в активном режиме Регион Транзистор 2n3904 может усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях, указанных ниже
- Усилитель с общей базой
- Эмиттерный усилитель
- Коллекторный усилитель
Тип с общим эмиттером является популярной конфигурацией при использовании усилителя, формула использования приведена ниже.
Модификации транзистора 2N3904
Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.
| Модель | Тип корпуса | PC | Другие параметры | Производитель |
|---|---|---|---|---|
| 2N3904 | TO-92 | 0,625 | Tj = от -55°C до +150°C | Motorola |
| 2N3904 S | SOT-23 | 0,35 | Tj = от -55°C до +150°C | KEC (Korea Electronics) |
| 2N3904 E | ESM | 0,1 | ||
| 2N3904 U | USM | |||
| 2N3904 V | VSM | |||
| 2N3904 S | SOT-23 | 0,225 | FS (First Silicon) | |
| 2N3904 U | SOT-323 | 0,15 | ||
| 2N3904 N | TO-92N | 0,4 | AUK Semiconductor | |
| MMBT 3904 | SOT-23 | 0,35 | Fairchild Semiconductor | |
| PZT 3904 | SOT-223 | 1 | ||
| 2N3904 – T18 | TO-18 | 0,31 | Tj = от -63°C до +200°C | SEME LAB |