KN3904S Datasheet (PDF)
0.1. kn3904s.pdf Size:71K _kec
SEMICONDUCTOR KN3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=50nA(Max.) ; @VCE=30V, VEB=3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=50mA, IB=5mA.1G 1.90H
8.1. kn3904.pdf Size:71K _kec
SEMICONDUCTOR KN3904TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), @VCE=30V, VEB=3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3906.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0
9.1. kn3906.pdf Size:71K _kec
SEMICONDUCTOR KN3906TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.), @VCE=-30V, VEB=-3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3904.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.8
9.2. kn3906s.pdf Size:72K _kec
SEMICONDUCTOR KN3906STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G 1.
9.3. kn3905s.pdf Size:425K _kec
SEMICONDUCTOR KN3905STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G
Уникальные характеристики и свойства
Транзистор 2n2219a обладает рядом уникальных характеристик и свойств, которые делают его особенно полезным в различных сферах применения. Вот некоторые из них:
1. Универсальность: 2n2219a является универсальным транзистором, который может использоваться как в цифровых, так и в аналоговых схемах. Это значит, что он может быть использован в широком диапазоне приложений, от усилительных схем до коммутационных устройств.
2. Высокая надежность: Транзистор 2n2219a известен своей высокой надежностью и долговечностью. Это позволяет использовать его в работе с длительными циклами нагрузки и обеспечивает стабильную работу в течение долгого времени.
3. Низкое потребление энергии: 2n2219a потребляет очень мало энергии при работе, что делает его идеальным для использования в батарейных устройствах или других приложениях, где энергопотребление является критичным фактором.
4. Широкий диапазон рабочих температур: Этот транзистор способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его даже в экстремальных условиях.
5. Высокая мощность: 2n2219a обладает высокими мощностными характеристиками, что позволяет ему работать с высокими уровнями сигналов.
6
Хорошие параметры усиления: Этот транзистор обеспечивает хорошие параметры усиления, что особенно важно в усилительных схемах
7. Легкость в использовании: Благодаря своим компактным размерам и популярности в электронной индустрии, 2n2219a легко найти и использовать в различных проектах.
Это лишь некоторые уникальные характеристики и свойства транзистора 2n2219a, которые делают его таким популярным и востребованным компонентом в электронике.
