Транзисторы кт503, 2т503. справочник, справочные данные, параметры, цоколевка, datasheet, даташит

Что такое усилитель Д класса

В ответе на такой вопрос нет ничего сложного. Просто схемотехника усилителя класса D построена таким образом, что его оконечный тракт работает в режиме ключа. Чтобы было легче воспринять эту информацию и понять принцип его работы, для этого мы поясним на примере усилителя класса AB.

Такие аппараты, как правило имеют невысокую выходную мощность и работают в качестве линейного устройства. В усилителях с импульсным источником питания, мощные полевые транзисторы (MOSFET) выполняют функции переключателей. Тоесть, в определенный момент открывают и закрывают переходы транзистора затвор, сток и исток.

Для сравнения, ниже показаны две схемы включения транзисторов — первая включение биполярного транзистора структуры NPN, другая выполняет переключение полевого транзистора.

А это схема работы полевого транзистора:

Такой принцип действия, гарантирует довольно высокую производительность полупроводниковых приборов, в пределах 96 процентов. Из этого следует, что выходной каскад усилителя Д класса дает много тепловой энергии. Поэтому нет необходимости устанавливать радиатор с большой площадью рассеивания тепла.

В этом есть существенное отличие от усилителей класса АВ, работающих в линейном подключении. Для примера можно взять усилитель В класса, который способен обеспечить производительность не более 78 процентов, к тому же, это только теоретически. Ниже показана структурная схема УМЗЧ D класса, или как еще говорят, усилителя с ШИМ-контроллером.

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г

Транзисторы меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и 
дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе ТО126(КТ-27) с гибкими выводами. 
Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.



Граничное напряжение при I_Э> = 100 мА, τи < 300 мкс, Q> 100 не менее:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I_К = 3 А, I_Б = 0,3 А не более . . . . . .  1 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К = 3 А, I_Б = 0,3 А не более  . . . . . . .  1,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
при U_КЭ = 2 В, I_K = 2 А не менее:
КТ816А, КТ816Б, КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  20
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . .  15
Граничная частота коэффициента передачи тока при U_КЭ = 5 В, I_К = 0,05 А не менее . . .  3 МГц
Емкость коллекторного перехода при U_КЭ = 5 В, f = 465 кГц не более . . . . . . . . . . 115 пФ
Обратный ток коллектора 
при U_КБ = 25 В (КТ816А);
при U_КБ = 45 В (КТ816Б); 
при U_КБ = 60 В (КТ816В);
при U_КБ = 100 В (КТ816Г) 
не более . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 мкА



Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при бесконечном значении R_БЭ, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ < 1 кОм, Tк 213...373 К:
КТ816А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 В
КТ816Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 В
КТ816В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 В
КТ816Г . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Tк 213...373 К  . . . . . . . . . . . . . . . .  5 В
Постоянный ток коллектора при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  3 А
Постоянный ток коллектора при τи < 20 мс, Q > 100, Tк 213...373 К . . . . . . . 6 А
Постоянный ток базы при Tк 213...373 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Tк 213...298 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 Вт
без теплоотвода при Tк 213...298 К   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Вт
Температура перехода  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 423 К
Температура окружающей среды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . от 213 до 398 К

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	P_C T_a = 25°C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Советы по замене транзистора КТ503

Если у вас возникла необходимость заменить транзистор КТ503 на аналогичный или альтернативный вариант, вот несколько советов, которые помогут вам в этом процессе:

Перед началом замены тщательно изучите технические характеристики транзистора КТ503, чтобы найти подходящий аналог или заменитель.
Обратите внимание на параметры такие как максимальное значение тока, напряжения, мощности, скорости переключения и другие характеристики. Их выбор должен соответствовать действующим требованиям схемы.
Учитывайте, что аналоги и заменители транзистора КТ503 могут иметь разные корпуса и распиновку

Проверьте соответствие пинов и весьма желательно, чтобы это соответствие было на 100% иначе придётся делать дополнительные правки в схеме.
Следите за температурным режимом работы заменяемого компонента и нового транзистора. Возможно, потребуется использование радиатора для охлаждения.
Если возможно, обратитесь к даташитам и техническим документам производителей, чтобы проверить совместимость выбранного аналога или заменителя.
При замене транзистора убедитесь, что все соединения прочны и надежны, дабы избежать возможных проблем в дальнейшем.
При необходимости консультируйтесь с опытными радиоэлектрониками или специалистами в данной области.

Следуя этим советам, вы сможете успешно заменить транзистор КТ503 и обеспечить надежное функционирование вашей схемы.

Характеристики транзисторов КТ503

Транзисторы КТ503 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)

Маркировка КТ503

КТ503А — сбоку белая точка, сверху темнокрасная точка

КТ503Б — сбоку белая точка, сверху желтая точка

КТ503В — сбоку белая точка, сверху темнозеленая точка

КТ503Г — сбоку белая точка, сверху голубая точка

КТ503Д — сбоку белая точка, сверху синяя точка

КТ503Е — сбоку белая точка, сверху белая точка

Предельные параметры КТ503

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_П = 25° C:

КТ503А — 25 В
КТ503Б — 25 В
КТ503В — 40 В
КТ503Г — 40 В
КТ503Д — 60 В
КТ503Е — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_П = 25° C:

КТ503А — 40 В
КТ503Б — 40 В
КТ503В — 60 В
КТ503Г — 60 В
КТ503Д — 80 В
КТ503Е — 100 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_П = 25° C:

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{К max}) при Т = 25° C:

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е — 85 ° C