Транзистор 2n3055

Сравнение с электронными лампами

До разработки транзисторов вакуумные (электронные) лампы (или просто «лампы») были основными активными компонентами электронного оборудования. По принципу управления наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор, многие соотношения, описывающие работу ламп, пригодны и для описания работы полевых транзисторов.

Радиолампа 6Ф12П

Многие схемы, разработанные для ламп, стали применяться для транзисторов и получили развитие, поскольку электронные лампы имеют только один тип проводимости — электронный, а транзисторы могут иметь как электронный, так и дырочный тип проводимости. Так называемый эквивалент воображаемой «позитронной лампы». Это привело к широкому использованию комплементарных схем (КМОП).

Преимущества

Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников (вакуумные лампы) в большинстве электронных устройств:

• малые размеры и небольшой вес, что способствует развитию миниатюризации электронных устройств;
• высокая степень автоматизации и групповой характер операций на многих этапах технологического процесса изготовления, что ведёт к постоянному снижению удельной стоимости при массовом производстве;
• низкие рабочие напряжения, что позволяет использовать транзисторы в небольших по габаритам и энерговооружённости электронных устройствах с питанием от малогабаритных электрохимических источников тока;
• не требуется дополнительного времени на разогрев катода после включения, что позволяет достичь почти мгновенной готовности к работе транзисторных устройств, сразу после подачи питания;
• малая, по сравнению с лампами, рассеиваемая мощность, в том числе из-за отсутствия разогрева катода, что способствует повышению энергоэффективности, облегчает отвод избыточного тепла и позволяет повышать компактность устройств;
• высокая надёжность и большая физическая прочность, стойкость к механическим ударам и вибрации, что позволяет избежать проблем при использовании устройств в условиях любых ударных и вибрационных нагрузок;
• очень продолжительный срок службы — некоторые транзисторные устройства находились в эксплуатации более 50 лет и при этом не потеряли своей работоспособности;
• возможность объединения множества элементов в едином миниатюрном конструктивном модуле позволяет значительно повысить степень интеграции и облегчает разработку комбинированных схем высокой сложности, что не представляется возможным с вакуумными лампами.

Уменьшение размеров радиоэлементов

Недостатки

• Обычные кремниевые транзисторы не работают при напряжениях выше 1 кВ, вакуумные лампы могут работать с напряжениями на несколько порядков выше 1 кВ. Для коммутации цепей с напряжением свыше 1 кВ разработаны IGBT транзисторы.
• Применение транзисторов в мощных радиовещательных и СВЧ передатчиках нередко, оказывается, технически и экономически нецелесообразным: требуется параллельное включение и согласование многих сравнительно маломощных усилителей. Мощные и сверхмощные генераторные лампы с воздушным или водяным охлаждением анода, а также магнетроны, клистроны, лампы бегущей волны(ЛБВ) обеспечивают лучшее соотношение частотных характеристик, мощностей и приемлемой стоимости.
• Транзисторы значительно более уязвимы, чем вакуумные лампы, к действию сильных электромагнитных импульсов, которые, в том числе, являются одним из поражающих факторов ядерного взрыва;
• Чувствительность к радиации и воздействию космических излучений. Для работы в космосе созданы специальные радиационно-стойкие микросхемы для электронных устройств космических аппаратов.

Технические характеристики

2N3055 являются низкочастотным транзистором. Вместе с тем считается, что типовая граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Впервые данный параметр на устройства появился в техописаниях компании RCA в 1971 г. и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно он рос, вместе с совершенствованием технического процесса изготовления. В 1977 г принял современное значение в 2,5 МГц.

Основные параметры рассматриваемого транзистора, с момента начала его производства (с 1967 г.) практически не изменялись. У разных производителей могут быть они могут незначительно отличатся. Вот типовые значения максимально допустимых эксплуатационных характеристик 2N3055:

• предельное напряжение К-Б (V_{КБО макс}) до 100 В, при разомкнутой цепи Э;
• предельное напряжение К-Э (V_{КЭО макс}) до 70 В, при обрыве на Б;
• максимальный коллекторный ток (I_Кмакс) до 15 А;
• рассеиваемая мощность (P_Кмакс) до 115 Вт;
• статический коэффициент передачи тока (H_FE) 20 … 70;
• температура перехода (T_К) до 200 oC, хранения (Т_Хран) -65…+200 oC.

Превышение любого из этих значений может привести к выходу устройства из строя. С повышением температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.

Аналоги

Самым популярным российским аналогом 2N3055 считается мощный биполярный транзистор KT819ГM от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». От зарубежных производителей, в качестве замены можно использовать современный варианты с большим номинальным напряжением 2N3055HV (VКЭО = 100 В), MJ15015G (VКЭО = 120 В). Хорошей альтернативой является: T2N6371HV

Стоит обратить внимание на появившиеся в настоящее время версии в пластиковом корпусе ТО-3PN типа TIP3055 с мощностью до 90 Вт

В 70-хх компания Philips выпускала очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V_КЭО до 60 В) и позиционировала их для применения в аппаратуре Hi-Fi. Очень надежными и качественными эквивалентами у радиолюбителей до сих пор считаются KD502, KD503 бывшего Чехословацского производителя Teslа. К сожалению найти их сейчас очень сложно, так как они больше не выпускаются, а предприятие после распада СССР пришло в упадок.

Комплементарная пара

У устройства есть комплементарная пара MJ2955 с переходом типа PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является почти полной копией транзистора 2N3055. Применяется вместе с ним в выходных каскадах мощных усилителей до 40 Вт с нагрузкой до 8 Ом, и 60 Вт на 4 Ом.

1000PCS 2N5401 MMBT5401 2L SOT-23 SMD PNP транзистор

ДОСТАВКА И ДОСТАВКА

Мы рады предложить услуги международной доставки, которые в настоящее время работают в более чем 200 странах и островах по всему миру.

Как вы отправляете посылки?

Пакеты с нашего склада будут отправлены ePacket или Aliexpress Standard или China Post Registered Air Mail в зависимости от веса и размера продукта и места доставки.

Вы отправляете по всему миру?

Да. Мы осуществляем доставку в более чем 200 стран мира. Тем не менее, есть некоторые места, куда мы не можем отправить товар. Если вы окажетесь в одной из этих стран, мы свяжемся с вами.

А таможня?

Мы не несем ответственности за любые таможенные сборы после отправки товара. Покупая наши продукты, вы соглашаетесь с тем, что одна или несколько посылок могут быть отправлены вам и могут быть оплачены таможенными сборами, когда они прибудут в вашу страну.

Сколько времени занимает доставка?

Время доставки зависит от местоположения.

Предоставляете ли вы информацию для отслеживания?

Да, после отправки вашего заказа вы получите электронное письмо с информацией для отслеживания. Если вы не получили информацию об отслеживании в течение 5 дней, свяжитесь с нами.

В моем отслеживании написано «нет информации в данный момент».

Некоторым транспортным компаниям требуется 2-5 рабочих дней для обновления информации об отслеживании в системе. Если ваш заказ был размещен более 5 рабочих дней назад, а информация о вашем номере для отслеживания до сих пор отсутствует, свяжитесь с нами.

Мои товары будут отправлены одной посылкой?

По логистическим причинам товары в рамках одной покупки иногда отправляются отдельными посылками, даже если вы указали комбинированную доставку.

Если у вас есть другие вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы сделаем все возможное, чтобы помочь вам.

ПОЛИТИКА ВОЗВРАТА

Отмена заказа

Все заказы могут быть отменены до тех пор, пока они не будут отправлены. Если ваш заказ оплачен и вам необходимо внести изменения или отменить заказ, вы должны связаться с нами в течение 12 часов.

Возврат

Ваше удовлетворение является нашим приоритетом №1. Таким образом, вы можете запросить возврат или повторную отправку заказанных товаров, если:

• Если вы , а не получили товар в течение гарантированного времени (60 дней, не включая 2-5-дневную обработку), вы можете запросить возврат или повторную отправку.
• Если вы получили не тот товар, вы можете запросить возврат или повторную отправку.
• Если вам не нужен продукт, который вы получили, вы можете запросить возврат средств, но вы должны вернуть товар за свой счет, и товар не должен быть использован.

Мы делаем , а не возвращаем деньги, если:

• Ваш заказ не прибыл из-за факторов, находящихся под вашим контролем (т.е. указание неверного адреса доставки)
• Ваш заказ не прибыл из-за исключительных обстоятельств, не зависящих от National Semiconductor (например, не прошел таможенную очистку, задержался из-за стихийного бедствия).
• Другие исключительные обстоятельства, не зависящие от https://nationalsemiconductor.net

*Вы можете отправить запрос на возврат в течение 15 дней после истечения гарантированного периода доставки (60 дней). Вы можете сделать это, отправив сообщение на странице «Свяжитесь с нами»

. Если вы одобрены для возврата, ваш возврат будет обработан, и кредит будет автоматически применен к вашей кредитной карте или первоначальному способу оплаты в течение 14 дней. .

Обмен

После оплаты товар не подлежит обмену. Но вы можете отменить заказ, отправив нам электронное письмо в течение 12 часов.

Пожалуйста, не возвращайте нам свою покупку, если мы не разрешим вам сделать это.

Развитие транзисторных технологий

Несмотря на миниатюрность и экономичность, первые транзисторы отличались высоким уровнем шумов, маленькой мощностью, нестабильностью характеристик во времени и сильной зависимостью параметров от температуры. Точечный транзистор, не являясь монолитной конструкцией, был чувствителен к ударам и вибрациям. Фирма-создатель Bell Telephone Laboratories не оценила перспективы нового прибора, выгодных военных заказов не ожидалось, поэтому лицензия на изобретение вскоре начала продаваться всем желающим за 25 тыс. долларов. В 1951 году был создан плоскостной транзистор, конструктивно представляющий собой монолитный кристалл полупроводника, и примерно в это же время появились первые транзисторы на основе кремния. Характеристики транзисторов быстро улучшались, и вскоре они стали активно конкурировать с электронными радиолампами.

За 30 лет развития, транзисторы почти полностью вытеснили электронные лампы и стали основой полупроводниковых интегральных схем, благодаря этому, электронная техника стала более экономичной, функциональной и миниатюрной. Транзисторы и интегральные схемы на их основе вызвали бурное развитие компьютерной техники. В начале 21-го века транзистор стал одним из самых массовых изделий, производимых человечеством. В 2013 году на каждого жителя Земли было выпущено около 15 миллиардов транзисторов (большинство из них — в составе интегральных схем).

С появлением интегральных микросхем началась борьба за уменьшение размера элементарного транзистора. В 2012 году самые маленькие транзисторы содержали считанные атомы вещества. Транзисторы стали основной частью компьютеров и других цифровых устройств. В некоторых конструкциях процессоров их количество превышало миллиард штук.