Описание транзистора D882
Транзистор D882 применяется в различных электронных схемах, включая усилители мощности, источники питания, стабилизаторы напряжения и другие. Он способен работать с низкими и средними токами и нагрузками.
Для правильного подключения транзистора D882 в схему необходимо учитывать его выводы: база, коллектор и эмиттер. База подключается к источнику управляющего сигнала, а коллектор и эмиттер — к нагрузке. Для обеспечения надежной работы транзистора, необходимо установить соответствующий радиатор для отвода тепла.
Транзистор D882 обладает следующими параметрами:
- Напряжение коллектора (Vce): до 40 В;
- Максимальный коллекторный ток (Ic): до 3 А;
- Мощность (P): 10 Вт;
- Температурный диапазон (Tj): -55…+150 °C.
Транзистор D882 может быть заменен аналогами схожими параметрами, такими как 2SD882 или B772P.
Важно учитывать, что в реальных условиях работы схемы, транзистор D882 может иметь различные электрические параметры, поэтому рекомендуется использовать спецификации производителя для определения его точных характеристик и обеспечения работоспособности схемы
D882 Transistor Features
The D882 transistor offers several features that make it suitable for various electronic applications. Here are some key features of the D882 transistor:
NPN BJT Configuration: The D882 transistor follows the NPN (Negative-Positive-Negative) configuration, where the current flows from the emitter to the collector when a positive voltage is applied to the base.
Three-Terminal Device: The D882 transistor has three terminals — the emitter, base, and collector — allowing for easy integration into electronic circuits.
Moderate Current and Voltage Ratings: The D882 transistor can handle a maximum collector current of 3A and a maximum collector-emitter voltage of 40V, making it suitable for low-power applications.
Compact Size: The D882 transistor is available in a compact package, allowing for space-efficient circuit design and integration.
General-Purpose Amplification and Switching: The D882 transistor is commonly used for general-purpose amplification and switching tasks, making it versatile for a wide range of electronic projects.
Wide Availability: The D882 transistor is widely available and produced by multiple manufacturers, ensuring accessibility and availability in the market.
Cost-Effective: The D882 transistor is known for its cost-effectiveness, making it an attractive option for budget-conscious projects or applications.
Статические характеристики биполярного транзистора
Эти характеристики показывают графическую зависимость между токами и напряжениями транзистора и могут применяться для определения некоторых его параметров, необходимых для расчета транзисторных схем. Наибольшее применение получили статические входные и выходные характеристики.
Рис. 10 — Входные характеристики германиевого транзистора типа р-n-р в схемах с ОБ (а) и ОЭ (б)
Входные статические характеристики представляют собой вольтамперные характеристики эмиттерного электронно-дырочного перехода (ЭДП). Если транзистор включен по схеме с общей базой, то это будет зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе (рис. 10, а). При отсутствии коллекторного напряжения ( = 0) входная характеристика представляет собой прямую ветвь вольтамперной характеристики эмиттерного ЭДП, подобную ВАХ диода. Если на коллектор подать некоторое напряжение, смещающее его в обратном направлении, то коллекторный ЭДП расширится и толщина базы вследствие этого уменьшится. В результате уменьшится и сопротивление базы эмиттерному току, что приведет к увеличению эмиттерного тока, то есть характеристика пройдет выше.
При включении транзистора по схеме с общим эмиттером входной характеристикой будет графическая зависимость тока базы от напряжения на эмиттерном переходе . Так как эмиттерный переход и при таком включении остается смещенным в прямом направлении, то входная характеристика будет также подобна прямой ветви вольтамперной характеристики эмиттерного ЭДП (рис. 10, б).
Выходные статические характеристики биполярного транзистора — это вольтамперные характеристики коллекторного электронно-дырочного перехода, смещенного в обратном направлении. Их вид также зависит от способа включения транзистора и очень сильно от состояния, а точнее — режима работы, в котором находится эмиттерный ЭДП.
Если транзистор включен по схеме с общей базой (ОБ) и =0, то есть цепь эмиттера оборвана, то эмиттерный ЭДП не оказывает влияния на коллекторный переход. Так как на коллекторный ЭДП подано обратное напряжение, то выходная характеристика, представляющая собой зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой , будет подобна обратной ветви ВАХ диода (нижняя кривая на рис. 11, а). Если же на эмиттерный ЭДП подать прямое напряжение, то появится ток эмиттера , который создаст почти такой же коллекторный ток . Чем больше прямое напряжение на эмиттерном ЭДП, тем больше значения эмиттерного и коллекторного токов и тем выше располагается выходная характеристика.
Рис. 11 — Выходные характеристики германиевого транзистора типа р-п-р в схемах с ОБ (а) и ОЭ (б)
Сказанное справедливо и при включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Разница состоит лишь в том, что в этом случае выходные характеристики снимают не при постоянных значениях тока эмиттера, а при постоянных значениях тока базы (рис. 11, б), и идут они более круто, чем выходные характеристики в схеме с ОБ.
При чрезмерном увеличении коллекторного напряжения происходит пробой коллекторного ЭДП, сопровождающийся резким увеличением коллекторного тока, разогревом транзистора и выходом его из строя. Для большинства транзисторов напряжение пробоя коллекторного перехода лежит в пределах от 20 до 30 В
Это важно знать при выборе транзистора для заданного напряжения источника питания или при определении необходимого напряжения источника питания для имеющихся транзисторов
Увеличение температуры вызывает возрастание токов транзистора и смещение его характеристик. Особенно сильно влияет температура на выходные характеристики в схеме ОЭ (рис. 12).
Рис. 12 — Зависимость выходных статических характеристик транзистора от температуры:
а — в схеме с ОБ, б — в схеме с ОЭ.
Совместимость с другими компонентами
Транзистор D882 широко используется и совместим с различными компонентами и модулями электронных устройств. Благодаря своим характеристикам и параметрам, он может быть успешно интегрирован в различные схемы и сборки.
В связи с его низким напряжением насыщения, транзистор D882 может успешно работать с различными источниками питания. Он подходит для использования в цифровых и аналоговых схемах, включая усилители мощности и управления двигателем.
Транзистор D882 также может быть использован совместно с другими полупроводниковыми приборами, такими как диоды и резисторы, для создания сложных электрических схем. Он может быть подключен к микроконтроллерам, микросхемам операционных усилителей и другим компонентам для управления различными электронными устройствами.
Более того, транзистор D882 совместим с множеством электронных приборов и систем, таких как переключатели, реле, источники питания и схемы защиты. Он может быть использован в интегральных схемах и сборках во многих отраслях промышленности, включая телекоммуникации, автомобильную и электронику потребительских товаров.
Принцип работы транзистора D882
Принцип работы транзистора D882 основан на контроле электрического тока в базовом электроде. Когда между базой и эмиттером подается небольшой ток, транзистор находится в режиме активного насыщения (active region), и его коллектор-эмиттерный переход становится проводящим.
В этом режиме транзистор D882 может работать как электронный ключ или усилитель. При подаче малого входного сигнала на базу транзистора, его выходной ток на коллекторе может быть значительно увеличен, что позволяет усилить сигнал.
Когда между базой и эмиттером транзистора D882 не подается ток, транзистор находится в режиме отсечки (cutoff region), и его коллектор-эмиттерный переход становится непроводящим. В этом режиме транзистор не пропускает электрический ток и может быть использован для отключения электрической цепи.
Таким образом, принцип работы транзистора D882 позволяет использовать его в различных схемах и приложениях, где требуется контроль или усиление электрического тока.
D882 Transistor Equivalent Parts / D882 Transistor Substitute
While the D882 transistor is a popular choice for many applications, there are several equivalent parts that can be used as substitutes in circuits. These equivalent parts are designed to have similar electrical characteristics and pinouts. Here are a few commonly used equivalents for the D882 transistor:
2SD882: The 2SD882 is an equivalent part to the D882 transistor, often offered by different manufacturers. It shares similar specifications and pinout configuration, making it a direct replacement option.
MJE340: The MJE340 is another equivalent transistor that can be used in place of the D882. It is an NPN transistor with comparable current and voltage ratings.
C945: The C945 transistor is often used as a substitute for the D882 in low-power applications. Although it has slightly different specifications, it can function adequately in many circuits.
BC327: The BC327 is a PNP transistor that can be used as an equivalent to the D882, but with inverted polarity. It is commonly used in complementary transistor pair configurations.
Преимущества использования транзистора D882
1. Надежность и долговечность
Транзистор D882 отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств. Благодаря качественным материалам и технологиям производства, данный транзистор способен прослужить долгое время без поломок и снижения производительности.
2. Высокая электрическая мощность
Транзистор D882 обладает высокой электрической мощностью, что позволяет использовать его в самых требовательных электронных схемах. Высокая мощность гарантирует стабильное и эффективное функционирование устройств, в которых используется данный транзистор.
3. Широкий диапазон рабочих температур
Транзистор D882 способен работать в широком диапазоне рабочих температур, что делает его подходящим для применения в различных климатических условиях. От низких зимних температур до высоких летних показателей – данный транзистор проявляет высокую стабильность и надежность в любых условиях.
4. Широкое применение
Транзистор D882 широко применяется в различных схемах и устройствах. Он находит применение в различных областях, от электроники и электротехники до автомобильной промышленности. Большой выбор возможностей использования делает его универсальным компонентом для многих электронных устройств.
5. Доступность и низкая стоимость
Транзистор D882 отличается высокой доступностью и низкой стоимостью, что позволяет использовать его в различных проектах без значительных затрат. Доступность компонента и его низкая стоимость делают его привлекательным выбором для широкого круга разработчиков и электронщиков.
Все эти преимущества делают транзистор D882 популярным компонентом для различных электронных устройств и схем. Он гарантирует надежность, высокую электрическую мощность и универсальность использования, что делает его неотъемлемой частью многих проектов и разработок.
KTB688 Datasheet (PDF)
..1. ktb688.pdf Size:42K _kec
SEMICONDUCTOR KTB688TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURES Complementary to KTD718. Recommended for 45 50W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATI
..2. ktb688.pdf Size:223K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor KTB688DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTD718Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicat
0.1. ktb688b.pdf Size:443K _kec
SEMICONDUCTOR KTB688BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.AQ BNFEATURES O KRecommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage.DIM MILLIMETERSComplementary to KTD718B. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20_C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20D_G 3.50 + 0.20E_
Другие транзисторы… KTB1367
, KTB1368
, KTB1369
, KTB1370
, KTB1423
, KTB1424
, KTB2955
, KTB595
, 2N5401
, KTB778
, KTB817
, KTB988
, KTB989
, KTC1001
, KTC1003
, KTC1006
, KTC1008
.
Применение транзистора D882 в электронике
Одним из основных применений транзистора D882 является управление нагрузкой постоянного тока. Транзистор может использоваться в схемах усиления, где он усиливает слабый сигнал до достаточной мощности для работы с большими нагрузками. Также он широко применяется в схемах ключевания, где он переключает нагрузку с высокой скоростью.
Другим применением транзистора D882 является его использование в схемах стабилизации напряжения. Такие схемы используются для поддержания постоянного напряжения на выходе электронной системы при изменении входного напряжения или нагрузки. Транзистор D882 может быть использован в таких схемах для управления током стабилизации и обеспечения стабильности на выходе.
Также транзистор D882 может быть использован в схемах драйверов для управления другими устройствами, такими как моторы, светодиоды или реле. Он обеспечивает необходимую мощность и контроль для работы с этими устройствами.
Кроме того, транзистор D882 можно использовать в схемах инверторов, счетчиков и таймеров. Он обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что делает его привлекательным для использования в этих схемах.
В целом, транзистор D882 является универсальным элементом, который может быть использован во множестве электронных схем. Его высокие характеристики делают его незаменимым компонентом для многих проектов, требующих мощного и стабильного управления нагрузками.
Практика работы составного транзистора
На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).
- Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
- Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
- Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.
На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:
Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.
Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ
Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе
Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.
Преимущества использования транзистора D882
1. Надежность и долговечность
Транзистор D882 отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств. Благодаря качественным материалам и технологиям производства, данный транзистор способен прослужить долгое время без поломок и снижения производительности.
2. Высокая электрическая мощность
Транзистор D882 обладает высокой электрической мощностью, что позволяет использовать его в самых требовательных электронных схемах. Высокая мощность гарантирует стабильное и эффективное функционирование устройств, в которых используется данный транзистор.
3. Широкий диапазон рабочих температур
Транзистор D882 способен работать в широком диапазоне рабочих температур, что делает его подходящим для применения в различных климатических условиях. От низких зимних температур до высоких летних показателей – данный транзистор проявляет высокую стабильность и надежность в любых условиях.
4. Широкое применение
Транзистор D882 широко применяется в различных схемах и устройствах. Он находит применение в различных областях, от электроники и электротехники до автомобильной промышленности. Большой выбор возможностей использования делает его универсальным компонентом для многих электронных устройств.
5. Доступность и низкая стоимость
Транзистор D882 отличается высокой доступностью и низкой стоимостью, что позволяет использовать его в различных проектах без значительных затрат. Доступность компонента и его низкая стоимость делают его привлекательным выбором для широкого круга разработчиков и электронщиков.
Все эти преимущества делают транзистор D882 популярным компонентом для различных электронных устройств и схем. Он гарантирует надежность, высокую электрическую мощность и универсальность использования, что делает его неотъемлемой частью многих проектов и разработок.
What is a D882 Transistor?
The D882 transistor is a commonly used NPN bipolar junction transistor (BJT) that belongs to the «D» series of transistors. It is designed for general-purpose amplification and switching applications in electronic circuits. The D882 transistor consists of three layers of semiconductor material and has three terminals: the emitter, base, and collector. It is capable of handling moderate levels of current and voltage, making it suitable for low-power applications. With its compact size, reliability, and availability, the D882 transistor has gained popularity among hobbyists, students, and professionals in the field of electronics.
Транзистор
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.
Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.
Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.
Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.
За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.
Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.
Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.
https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0
Идентификация выводов транзистора D882
Для проверки транзистора D882 мультиметром необходимо сначала правильно определить его выводы. По сравнению с некоторыми другими транзисторами, выводы D882 могут быть организованы нестандартным образом.
Прежде всего, необходимо учесть, что транзисторы обычно имеют три вывода: базу (B), эмиттер (E) и коллектор (C). В самом простом случае, применяя транзистор в схеме, обязательно нужно знать, какой вывод является базой, а какие — эмиттером и коллектором.
Для определения выводов транзистора D882, можно воспользоваться его маркировкой. Она может быть напечатана непосредственно на корпусе или на боковой стороне. Обычно маркировка содержит буквы и цифры, которые указывают на тип транзистора и его параметры, а также порядок выводов.
Если маркировка не видна или плохо различима, можно обратиться к документации, в которой указаны подробности о расположении выводов. В случае отсутствия доступной документации можно воспользоваться следующим методом для определения выводов транзистора.
Возьмите мультиметр с функцией измерения диодов и выберите нужные настройки. Затем подключите черный провод мультиметра к корпусу транзистора.
Теперь используйте красный провод мультиметра и последовательно присоедините его к каждому из выводов транзистора. Если мультиметр показывает напряжение, значит вы соединили эмиттер с красным проводом. Фиксируйте это.
Затем, изменив полюс красного провода, соедините его с другим выводом транзистора. Если мультиметр снова показывает напряжение, значит этот вывод является базой. Можно обозначить ее знаком «B».
Оставшийся третий вывод будет коллектором. Обозначьте его знаком «C».
Таким образом, после совершения этих простых действий, можно правильно определить выводы транзистора D882 и приступить к его тестированию с помощью мультиметра.