Mpsa56 транзистор

MPSA06 transistor electrical specification description

In this block, we try to explain the electrical specifications of the MPSA06 transistor device.

Main electrical description will help us to know more about the device and it is really helpful for the replacement process.

Voltage specs

The voltage specifications of the MPSA06 transistor are collector to emitter voltage is 80V, collector to base voltage is 80V, and emitter to base voltage is 4V.

The collector to emitter saturation voltage value is 0.25V, it is the range switching voltage of the device.

Overall voltage specs of the MPSA06 transistor show that it is a transistor device which having more project-based applications.

Current specs

The collector current value of the MPSA06 transistor is 500mA, and the load capacity of the transistor device is under 0.5A.

This is the reason why the MPSA06 transistor had applications at low switching applications.

Dissipation specs

The power dissipation value of the MPSA06 transistor is 625mW, the dissipation value of the device mainly depends on the package.

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 2N5551

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551C

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551CN

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO-92N

Наименование производителя: 2N5551G

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO-92_SOT-89

In Stock: 8329

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Characteristics curves of MPSA06 transistors

DC current gain characteristics of the MPSA06

The figure shows the DC current gain characteristics of the MPSA06 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.

At three different temperature ranges and fixed collector to an emitter voltage value, the DC current gain value graph starts from a high value at 125℃ with respect to collector current. Then the gain value dips at the end.

safe operating area characteristics of the MPSA06

The figure shows the safe operating area characteristics of the MPSA06 transistor, the graph is plotted with different quantities such as collector current, collector to emitter voltage, temperature ranges, and switching speed.

The graphical representation will indicate the operation range of the MPSA06 transistor with these quantities indicates.

Характеристики

В техническом описании на транзистор обычно указывают его предельно допустимые режимы эксплуатации (maximum rating), электрические характеристики (electrical characteristic) и классификация по группа h_FE. Эти параметры проверяются производителем устройства, при температуре окружающей среды + 25°С.

Предельные режимы эксплуатации

При изучении характеристик S9015 следует учесть его PNP-структуру и то, что его pn-переход открывается при напряжении обратной полярности. Т.е. источник питания на эмиттерном переходе U_БЭ (V_BE) подсоединяется минусом к базе, а плюсом к эмиттеру. Поэтому, производители транзистора PNP-структуры, предельные значения эксплуатации и электрические характеристики напряжения и тока, в техническом описании, обычно указывают со знаком “-”. Рассмотрим предельные режимы эксплуатации s9015 (ТО-92).

Электрические характеристики

Рассмотрим электрические параметры S9015 (ТО-92). Важным значением при выборе данного компонента, является его собственный коэффициент шума F_Ш (NF, Noise Figure). Именно он иногда определяет применение этого транзистора в различных схемах усиления. Обычно у s9015 низкий коэффициент собственных шумов, который не превышает 10 дБ. Это значение относит его к малошумящим. В последнее время, встречаются технические описания на устройства в которых, по неизвестным причинам, эта характеристика не указывается.

Классификация по H_FE

Отдельно от основных характеристик в datasheet на s9015 указывается его коэффициент усиления по току h_FE. Для классификации транзисторов по этому параметру используется последняя буква (A-D, H-L) в его обозначении. Значение этой величины у устройства s9015D достигает 1000 h_FE. Ниже приведена стандартная классификация устройства по h_FE_.

Мощность рассеивания

При выборе так же обращают внимание на его максимальную мощность рассеивания на коллекторе PK (PC). Так, у маломощных s9015H и s9015L, в корпусе SOT-23, максимальная мощность рассеивания не превышает 0,2 Вт

Если необходима большая мощность (0,45 Вт), то подбирают девайс в корпусе ТО-92: s9015A, s9015B, s9015C, s9015D.

Аналоги

К иностранным аналогам можно отнести следующие: bc317, bc320,hs733, ksa733, ktc9015, ktc9015c

Если не важен коэффициент усиления по току и граничная частота, то обратите внимание на: ksp55, ksp56, mps751, mps751g, mpsa55, mpsa56, mpsw55, mpsw56. Российские аналоги для s9015 являются устройства из серии КТ3107, КТ6112

Достаточно трудно подобрать замену для S9015D. Многие радиолюбители вместо него обычно устанавливают КТ3107К или КТ3107Л, с коэффициент усиления по току до 800 h_FE_.

MPSA06 vs BC538 vs MPS8099

In the table below, we list and compare the electrical specifications of MPSA06, BC538, and MPS8099 transistors. This comparison table is really helpful for a better understanding.

Characteristics	MPSA06	BC538	MPS8099
Collector to base voltage (VCB)	80V	80V	80V
Collector to emitter voltage (VCE)	80V	80V	80V
Emitter to base voltage (VEB)	4V	6V	6V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	0.25V	0.7 to 1.5V	0.3 to 0.4V
Collector current (IC)	500mA	1A	500mA
Power dissipation	625mW	625mW	625mW
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Thermal resistance	200℃/W	200℃/W	—
Transition frequency (FT)	100MHz	120MHZ	150MHz
Gain (hFE)	100hFE	40 to 400hFE	100 to 400hFE
Package	TO-92	TO-92	TO-92

Each of the transistors in this list had almost the same electrical specifications, we can use them as the equivalent.

MPSA56 Datasheet PDF — Motorola Semiconductors

Part Number	MPSA56
Description	Amplifier Transistors
Manufacturers	Motorola Semiconductors
Logo
There is a preview and MPSA56 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 6 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MPSA05/D
Amplifier Transistors
COLLECTOR
3
COLLECTOR
3
2
BASE
NPN
1
EMITTER
2
BASE
PNP
1
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating
MPSA05 MPSA06
Symbol MPSA55 MPSA56
Unit
Collector – Emitter Voltage
Collector – Base Voltage
Emitter – Base Voltage
Collector Current – Continuous

Total Device Dissipation @ TA = 25°C

Derate above 25°C

VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
60 80
60 80
4.0
500
625
5.0
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW

mW/°C

Total Device Dissipation @ TC = 25°C

Derate above 25°C

PD
1.5 Watts

12 mW/°C

Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit

Thermal Resistance, Junction to Ambient RqJA(1) 200 °C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

RqJC

83.3 °C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(2)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPSA05, MPSA55
MPSA06, MPSA56
Emitter – Base Breakdown Voltage

(IE = 100 µAdc, IC = 0)

Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
MPSA05, MPSA55
MPSA06, MPSA56

v v1. RqJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

2. Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2.0%.

NPN
MPSA05
MPSA06*
PNP
MPSA55
MPSA56*
Voltage and current are negative
for PNP transistors
*Motorola Preferred Device
1
23
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
Symbol
Min
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICES
ICBO
60
80
4.0
—
—
—
Max Unit
Vdc
—
—
— Vdc

0.1 µAdc

µAdc

0.1
0.1

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

1.0
0.8
IC =
50 mA
0.6
NPN
IC =
100 mA

TJ = 25°C

IC =
250 mA
IC =
500 mA
0.4
IC =

0.2 10 mA

0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
20
50
Figure 14. MPSA05/06 Collector Saturation
Region
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
PNP
–1.0
–0.8
IC =
–50 mA
–0.6

TJ = 25°C

IC = IC = IC =
–100 mA –250 mA –500 mA
–0.4
IC =

–0.2 –10 mA

–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
IB, BASE CURRENT (mA)
–50
Figure 15. MPSA55/56 Collector Saturation
Region
–0.8 –0.8
–1.2 –1.2
–1.6

–2.0 RqVB for VBE

–1.6

–2.0 RqVB for VBE

–2.4 –2.4
–2.8
0.5
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. MPSA05/06 Base–Emitter
Temperature Coefficient
500
–2.8
–0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100 –200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 17. MPSA55/56 Base–Emitter
Temperature Coefficient
–500
1.0
0.7 D = 0.5
0.5

0.3 0.2

0.2 0.1

0.05
0.1

0.07 SINGLE PULSE

0.05
0.03
0.02

0.02 0.01

SINGLE PULSE
0.01
1.0 2.0
5.0 10
20
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2

ZθJC(t) = r(t) • RθJC

TJ(pk) – TC = P(pk) ZθJC(t)

ZθJA(t) = r(t) • RθJA

TJ(pk) – TA = P(pk) ZθJA(t)

D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
(SEE AN469)
50 100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
t, TIME (ms)
Figure 18. MPSA05, MPSA06, MPSA55 and MPSA56 Thermal Response
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
5

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MPSA56 electronic component.