C3150 транзистор характеристики на русском языке

Режимы работы транзистора С3150

Транзистор С3150 может работать в нескольких режимах в зависимости от величины подаваемого напряжения и тока:

Активный режим: Транзистор находится в активном режиме работы, когда между базой и эмиттером подается положительное напряжение, а между коллектором и эмиттером подается положительное напряжение. В этом режиме транзистор работает как усилитель с отрицательной обратной связью.
Насыщенный режим: Транзистор переходит в насыщенный режим работы, когда между базой и эмиттером подается положительное напряжение, а между коллектором и эмиттером подается максимальное положительное напряжение. В этом режиме транзистор работает как ключ, и его коллектор-эмиттерное сопротивление минимально.
Отсечка: Транзистор находится в режиме отсечки, когда между базой и эмиттером подается отрицательное напряжение, или когда между коллектором и эмиттером подается отрицательное напряжение. В этом режиме транзистор полностью блокируется, и его коллектор-эмиттерное сопротивление достигает максимального значения.

Важно правильно настроить режим работы транзистора С3150 в соответствии с требованиями схемы, в которой он будет использоваться, чтобы обеспечить стабильную и надежную работу устройства

Описание внутренней структуры транзистора C3150

Базовый слой транзистора C3150 обычно является тонким слоем типа n, нанесенным на подложку из полупроводникового материала типа p. База выполняет роль контролирующего электрода и отвечает за регулирование тока, протекающего через устройство.

Эмиттерный слой, расположенный между базовым и коллекторным слоями, также является слоем типа p, но более плотным и толстым. Он предназначен для эмиттерного обогащения и обеспечивает выход тока из устройства. Эмиттер соединен с базой с помощью тонкого эмиттерного перехода.

Коллекторный слой, расположенный под эмиттером, обычно представляет собой слой типа n и является основной частью транзистора C3150. Он служит для сбора и отвода тока, поступающего от эмиттера.

Внутренняя структура транзистора C3150 позволяет достичь высокой производительности, надежности и стабильности работы устройства в широком диапазоне рабочих условий. Она также обеспечивает высокую эффективность и низкое потребление энергии, что делает данный транзистор привлекательным для использования в различных электронных устройствах.

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме.

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (U_БЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы I_Би коллектора I_Кнезначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение U_БЭс 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока I_Б максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора R_Б. При этом I_К может расти до 100 мА, а U_КЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка работоспособности КТ315

Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.

Проверка работоспособности КТ361

Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать

Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе

Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

Электрические параметры

Параметр	Ток коллектора выключения	Ток эмиттера выключения	Статический коэффициент усиления	Напряжение насыщения	Напряжение насыщения	Частота среза	Емкость коллектора	Пост. времени коллектор-ной цепи
Обозначение	I_CBO, мкА	I_EBO, мкА	h_FE	U_CE(sat), В	U_BE(sat), В	f_T, МГц	пФ	пс
Режим/Тип	U_CB = 10 В I_E = 0	U_BE = 6 В	U_CB = 10 В I_E = 1 мА	I_C = 20 мА I_B = 2 мА	I_C = 20 мА I_B = 2 мА	U_CE = 10 В I_E = 5 мА	U_CB = 10В	U_CB = 10 В I_E = 5 мА f = 5 МГц
КТ315А	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 300
КТ315А1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Б	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Б1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315В	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315В1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Г	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Г1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Д	1	30	20…90	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Д1	0,6	30	20…90	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Е	1	30	50…350	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Е1	0,6	30	50…350	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Ж	1	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	˂ 1000
КТ315Ж1	0,6	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	300…1000
КТ315И	1	50	˃ 30	—	—	˃ 250	—	—
КТ315И1	0,6	50	˃ 30	0,9	1,35	˃ 250	10	300…1000
КТ315Н1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Р1	0,5	3	150…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Характеристики транзистора C3150: коэффициент усиления и сопротивление

1. Коэффициент усиления

Коэффициент усиления транзистора C3150 является одной из его важных характеристик. В зависимости от режима работы и параметров схемы, этот коэффициент может изменяться.

Коэффициент усиления в режиме малого сигнала:

Для транзистора C3150 коэффициент усиления в режиме малого сигнала составляет около 40-160. Он показывает, во сколько раз усилится входной сигнал при прохождении через транзистор.

Коэффициент усиления в режиме большого сигнала:

В режиме большого сигнала коэффициент усиления транзистора C3150 может быть выше, и составлять около 10-30. Он показывает, на сколько раз усилится входной сигнал при прохождении через транзистор в условиях большой амплитуды.

2. Сопротивление

Транзистор C3150 имеет несколько различных сопротивлений, которые влияют на его характеристики и режим работы.

Сопротивление базы:

Сопротивление базы транзистора C3150 составляет около 10-50 кОм. Это сопротивление определяет ток базы и влияет на его усиливающие свойства.

Сопротивление коллектора:

Сопротивление коллектора в транзисторе C3150 составляет примерно 1-10 Ом. Оно определяет ток коллектора при заданном напряжении и влияет на мощность и эффективность работы транзистора.

Сопротивление эмиттера:

Сопротивление эмиттера транзистора C3150 составляет примерно 1-10 Ом. Оно определяет общий ток эмиттера и влияет на его эффективность и рабочие характеристики.

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные

Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:

Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.

Преимущества транзистора C3150 перед другими аналогами

Высокая мощность: транзистор C3150 обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в приложениях с большими энергетическими требованиями.

Низкое входное сопротивление: этот транзистор имеет низкое входное сопротивление, что обеспечивает более эффективное использование энергии и снижает потребление электроэнергии.

Высокая рабочая частота: благодаря своей конструкции и особым свойствам материала, транзистор C3150 способен работать на высоких частотах, что делает его идеальным выбором для применения в радиочастотных устройствах.

Высокая надежность: транзистор C3150 обладает высокой надежностью и долговечностью, что особенно важно в условиях экстремальных температур, вибраций и других воздействий.

Широкий диапазон рабочих температур: C3150 может успешно работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в различных климатических условиях.

Все эти преимущества делают транзистор C3150 одним из наиболее востребованных компонентов в области электроники, и он находит широкое применение в различных устройствах, включая усилители, источники питания, радиотехнику и другие.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

Маркировка: D1415B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO220SIS

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Рекомендации по выбору и подключению транзистора С3150