Irf510 mosfet pinout: simple transistor amplifier circuit

Характеристики транзистора IRF 510

Номинальное напряжение смещения (V_DS). IRF 510 имеет номинальное напряжение смещения (V_DS) в районе 100 вольт. Это означает, что транзистор может выдерживать напряжение до 100 вольт между его стоком и истоком.
Номинальное напряжение вентиляции (V_GS). Номинальное напряжение вентиляции (V_GS) для IRF 510 составляет от 10 до 20 вольт. Это напряжение определяет уровень сигнала управления, который необходим для полного включения или выключения транзистора.
Номинальный ток стока (I_D). IRF 510 обладает номинальным током стока (I_D) около 5.6 ампер. Он показывает максимальный допустимый ток, который может пройти через транзистор в режиме работы.
Сопротивление канала (R_DS(on)). Это сопротивление определяет уровень внутреннего сопротивления транзистора в режиме открытого канала. Для IRF 510 оно составляет примерно 0.54 Ом.
Мощность потерь (P_D). Максимальная мощность потерь (P_D) для IRF 510 составляет около 43 Вт. Она определяет максимальную мощность, которую транзистор может потерять в виде тепла при работе на максимальном токе.

Это лишь некоторые из основных технических характеристик транзистора IRF 510. Он является надежным и широко используется в различных электронных проектах.

Описание и назначение

Основное назначение транзистора IRF 510 — это использование в схемах усилителей мощности, как аудио так и радиочастотных. Также он широко применяется в схемах коммутации, блокировки или регулировки тока. Транзистор IRF 510 обладает низким сопротивлением канала, что позволяет эффективно передавать сигналы на большие расстояния без искажений.

Одним из главных преимуществ транзистора IRF 510 является его высокая эффективность и низкое сопротивление переключения. Это делает его идеальным выбором для работы в схемах с высокой частотой и большой мощностью. Также, благодаря высокой тепловой стабильности, этот транзистор может применяться в схемах с высокими температурами окружающей среды без риска перегрева.

Транзистор IRF 510 имеет три вывода: исток (Source), сток (Drain) и затвор (Gate). Исток и сток служат для подключения нагрузки, а затвор используется для управления током между истоком и стоком. Для работы с этим транзистором необходимо правильно настроить напряжение на затворе, чтобы открыть или закрыть токовый канал.

IRF510 MOSFET electrical specification explanation & applications

Here in this section, we explain the electrical specifications of IRF510 MOSFET, this detailed explanation is really useful for a better understanding of the device.

Voltage specs

The terminal voltage value of IRF510 MOSFET is the drain to source is 100V and gate to source voltage +/-20V, the voltage values indicate it is a power device used for heavy applications.

The gate-to-source threshold voltage value is 2V and 4V, both of these are the common triggering voltage value of the MOSFET device.

Current specs

The drain current value of IRF510 MOSFET is 5.6A, the current value indicates the maximum load capacity of the device.

The pulsed drain current value is 20A, this value is calculated from a specific condition.

Overall, the current values of the IRF510 MOSFET have multiple heavy applications.

Dissipation specs

The power dissipation ability of IRF510 MOSFET is 43W, it is the overall voltage and current values of the MOSFET device.

Drain to source on-state resistance

The drain-to-source on-state resistance value of IRF510 MOSFET is 0.54Ω, the resistance value is important at the circuit level.

IRF510 Datasheet (PDF)

..1. Size:65K 1 irf510 irf511 irf512 irf513.pdf

..2. Size:239K international rectifier irf510pbf.pdf

PD — 95364IRF510PbF Lead-Free6/10/04Document Number: 91015 www.vishay.com1IRF510PbFDocument Number: 91015 www.vishay.com2IRF510PbFDocument Number: 91015 www.vishay.com3IRF510PbFDocument Number: 91015 www.vishay.com4IRF510PbFDocument Number: 91015 www.vishay.com5IRF510PbFDocument Number: 91015 www.vishay.com6IRF510PbFTO-220AB Package Outline

..3. Size:175K international rectifier irf510.pdf

..4. Size:151K fairchild semi irf510.pdf

..5. Size:279K vishay irf510 sihf510.pdf

IRF510, SiHF510www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt ratingVDS (V) 100Available Repetitive avalanche ratedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 175 C operating temperatureAvailableQg max. (nC) 8.3 Fast switchingQgs (nC) 2.3 Ease of parallelingQgd (nC) 3.8 Simple drive requirementsConfiguration Single

..6. Size:201K vishay irf510pbf sihf510.pdf

IRF510, SiHF510Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.3 Fast SwitchingQgs (nC) 2.3 Ease of ParallelingQgd (nC) 3.8 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli

..7. Size:151K infineon irf510 sihf510.pdf

0.1. Size:325K international rectifier irf510s.pdf

PD — 95540IRF510SPbF Lead-FreeSMD-2207/21/04Document Number: 91016 www.vishay.com1IRF510SPbFDocument Number: 91016 www.vishay.com2IRF510SPbFDocument Number: 91016 www.vishay.com3IRF510SPbFDocument Number: 91016 www.vishay.com4IRF510SPbFDocument Number: 91016 www.vishay.com5IRF510SPbFDocument Number: 91016 www.vishay.com6IRF510SPbFPeak Diode

0.2. Size:252K fairchild semi irf510a.pdf

IRF510AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = 5.6 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaTO-220n 175C Operating Temperaturen Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100Vn Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sour

0.3. Size:937K samsung irf510a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

0.4. Size:210K vishay irf510s sihf510s.pdf

IRF510S, SiHF510Swww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESD Surface-mount Available in tape and reel D2PAK (TO-263) Dynamic dv/dt ratingAvailable Repetitive avalanche ratedG 175 C operating temperatureAvailable Fast switching Ease of parallelingDG Material categorization: for definitions of complianceSSplease see www.

0.5. Size:196K vishay irf510strlpbf irf510strrpbf sihf510s.pdf

IRF510S, SiHF510SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 100 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.3 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 3.8 Fast Switching Ea

Характеристики транзистора ИРФ 510

Транзистор ИРФ 510 относится к классу MOSFET транзисторов с управляющим p-каналом. Этот транзистор обладает рядом интересных параметров и характеристик, которые делают его привлекательным для различных применений.

Одним из главных преимуществ транзистора ИРФ 510 является его высокая коммутационная способность, обеспечивающая эффективное управление большими токами. Максимальный допустимый постоянный ток составляет 5 ампер, что позволяет использовать этот транзистор для работы с высокочастотными устройствами и схемами с большой мощностью. Кроме того, ИРФ 510 обладает низким внутренним сопротивлением, что улучшает его эффективность и позволяет достичь низкого уровня потерь мощности.

Еще одной важной особенностью транзистора ИРФ 510 является его низкое напряжение порога, равное 2 вольтам. Это означает, что для управления этим транзистором не требуется высокое напряжение, что позволяет использовать его с логическими уровнями сигнала, такими как 3.3 вольта или 5 вольт

Такая характеристика делает ИРФ 510 удобным для работы с микроконтроллерами и другими низковольтными устройствами.

Также стоит отметить высокую частоту переключения транзистора ИРФ 510, которая составляет порядка 50 мегагерц. Это позволяет использовать этот транзистор в различных высокочастотных приложениях, включая преобразователи, инверторы и другие схемы мощности.

Транзистор ИРФ 510 широко применяется в различных устройствах и схемах, требующих эффективного и надежного управления большими токами. Он часто используется в силовых источниках, схемах управления моторами, светодиодных драйверах, а также в системах коммутации и сигнальных устройствах. Благодаря своим высоким характеристикам и надежности, транзистор ИРФ 510 является одним из популярных выборов среди разработчиков и электронщиков.

Параметр	Значение
Максимальное напряжение стока-истока (VDS)	100 В
Максимальное сопротивление стока-истока (RDS(on))	0.4 Ом
Максимальный допустимый постоянный ток стока (ID)	5 А
Напряжение порога (VGS)	2 В
Высокая частота переключения (f)	50 МГц

IRF510 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF510

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.6
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 8.3(max)
nC

Время нарастания (tr): 16
ns

Выходная емкость (Cd): 81
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54
Ohm

Тип корпуса:

IRF510
Datasheet (PDF)

..1. Size:65K 1 irf510 irf511 irf512 irf513.pdf

..2. Size:239K international rectifier irf510pbf.pdf

..3. Size:175K international rectifier irf510.pdf

..4. Size:151K fairchild semi irf510.pdf

..5. Size:279K vishay irf510 sihf510.pdf

..6. Size:201K vishay irf510pbf sihf510.pdf

..7. Size:151K infineon irf510 sihf510.pdf

0.1. Size:325K international rectifier irf510s.pdf

0.2. Size:252K fairchild semi irf510a.pdf

0.3. Size:937K samsung irf510a.pdf

0.4. Size:210K vishay irf510s sihf510s.pdf

0.5. Size:196K vishay irf510strlpbf irf510strrpbf sihf510s.pdf

Другие MOSFET… IRF450
, IRF451
, IRF452
, IRF453
, IRF460
, IRF4905
, IRF4905L
, IRF4905S
, STP60NF06
, IRF510A
, IRF510S
, IRF511
, IRF512
, IRF513
, IRF520
, IRF520A
, IRF520FI
.

Интересные параметры транзистора ИРФ 510

Одним из ключевых параметров транзистора ИРФ 510 является его мощность. Он способен выдерживать ток до 5 Ампер, что делает его идеальным для использования в усилителях мощности, источниках тока и других приборах, где требуется обработка больших токов.

Еще одним интересным параметром транзистора ИРФ 510 является его низкое значение входной емкости. Она составляет всего 1.8 пФ, что позволяет эффективно управлять транзистором с помощью небольших сигналов и снижает потребление энергии.

Важным параметром является также его низкое сопротивление открытого коллектора. Оно составляет всего 0.24 Ом, что делает транзистор ИРФ 510 отличным выбором для работы с высокими токами и напряжениями.

Транзистор ИРФ 510 также обладает низкими значениями шума и искажений, что особенно важно для аудио-усилителей и других приборов, где качество звука играет важную роль. Благодаря этим и другим интересным параметрам транзистор ИРФ 510 широко используется в различных областях, включая электронику, телекоммуникации, автомобильную промышленность и другие отрасли

Благодаря этим и другим интересным параметрам транзистор ИРФ 510 широко используется в различных областях, включая электронику, телекоммуникации, автомобильную промышленность и другие отрасли.

IRF510 vs IRF512 vs IRF634

Here in this table, we listed the electrical specifications of IRF510, IRF512, and IRF634 MOSFETs, this detailed listing comparison is really useful for a better understanding of the device.

Characteristics	IRF510	IRF512	IRF634
Drain to source voltage (V_DS))	100V	100V	250V
Gate to source voltage (V_gs)	20V	20V	20V
Gate threshold voltage (V_g(th))	2 to 4V	2 to 4V	2 to 4V
Drain current (I_d)	9.2A	4.9A	8.1A
Pulsed drain current	20A	18A	32A
Total gate charge (Q_g)	8.3nC	5 to 7.7nC	41nC
Power dissipation (P_D)	43W	43W	74W
Junction temperature (T_J)	-55 to +175°C	-55 to +175°C	-55 to +150°C
Thermal resistance	3.5℃/W	3.5℃/W	1.7℃/W
Drain to source on-state resistance (R_DS)	0.54Ω	0.4Ω to 0.54Ω	0.45Ω
Rise time (tr)	16ns	25 to 36ns	9.6ns
Input capacitance	180pf	135pf	770pf
Output capacitance	81pF	80pF	190pf
Reverse recovery time	100 to 200ns	46 to 200ns	220 to 440ns
Package	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB

In Stock: 56156

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Применение транзистора ИРФ 510

Основные области применения транзистора ИРФ 510:

Силовые усилители: благодаря своей мощности и высокому уровню выходного сигнала, транзистор ИРФ 510 используется в силовых усилителях. Он позволяет усиливать сигналы и контролировать электромеханические устройства, такие как электромагнитные клапаны и приводы.
Импульсные блоки питания: транзистор ИРФ 510 обладает отличными характеристиками для работы с импульсными блоками питания, такими как высокая скорость переключения и низкое сопротивление. Он обеспечивает эффективное преобразование энергии и стабильное питание.
Световое оборудование: благодаря своей высокой мощности и надежности, транзистор ИРФ 510 применяется в световом оборудовании, таком как светодиодные лампы и флэшеры. Он позволяет регулировать яркость и уровень света.
Источники питания: транзистор ИРФ 510 может использоваться в источниках питания для регулирования и защиты электрических цепей. Он обеспечивает стабильное и надежное питание для различных устройств и систем.

Транзистор ИРФ 510 обладает высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным выбором для инженеров и электронщиков при разработке различных электронных устройств и систем.

Characteristics curves of IRF510 MOSFET

output characteristics of IRF510 power MOSFET

The figure shows the output characteristics of IRF510 power MOSFET, the graph plots with drain current vs drain to source voltage.

At the different gate-to-source voltage values drain current increases with increases in gate voltage with respect to drain-to-source voltage.

After a certain point drain current curve has become a higher infinite value, this is common for all MOSFET devices.

on-state resistance characteristics of IRF510 MOSFET

The figure shows the on-state resistance characteristics of IRF510 MOSFET, the graph plots with a drain to source on-state resistance vs junction temperature.

At constant current and voltage values, the on-state resistance value increases from a certain value with respect to junction temperature.

maximum safe operating area characteristics of IRF510

The figure shows the maximum safe operating area characteristics of IRF510 MOSFET, the graph plots with drain current vs drain to source voltage and on-state resistance, temperature value, and switching speed.

The characteristics curves indicate the operational areas of the device, using this data we can easily make circuits.

Области применения

Транзистор IRF 510 имеет широкий спектр применения в различных электронных устройствах. Вот некоторые из областей, в которых этот транзистор может быть использован:

1. Силовые усилители: IRF 510 может использоваться в силовых усилителях для усиления сигналов и управления большими токами. Он обладает хорошими свойствами усиления и низкими потерями мощности.

2. Источники питания: Транзистор IRF 510 может быть использован в источниках питания для регулирования и контроля напряжения и тока. Он позволяет реализовать стабильную работу и защиту от перегрузок.

3. Высокочастотные приемники: Благодаря высоким характеристикам и низкому уровню шумов, транзистор IRF 510 может быть использован в высокочастотных приемниках для усиления слабых сигналов и повышения чувствительности приемника.

4. Импульсные источники тока: IRF 510 обладает способностью быстро переключаться между включенным и выключенным состояниями, что делает его идеальным выбором для использования в импульсных источниках тока.

5. Аудиоусилители: Транзистор IRF 510 может быть использован в аудиоусилителях для усиления звуковых сигналов. Он позволяет достичь высокой точности и качества звучания.

6. Устройства светодиодного освещения: IRF 510 может быть использован для управления светодиодами в устройствах светодиодного освещения. Он обладает высоким уровнем энергоэффективности и низкими потерями мощности.

Это только некоторые примеры областей применения транзистора IRF 510. Благодаря своим характеристикам и параметрам, он может быть использован во многих других электронных устройствах, где требуется регулирование тока, усиление сигналов или управление высокими мощностями.

Напряжение и сопротивление

Транзистор IRF 510 обладает номинальным напряжением питания в рабочем режиме до 100 Вольт. Это означает, что при использовании транзистора в схеме напряжение питания не должно превышать данное значение, чтобы избежать повреждения или выход транзистора из строя.

Одним из важных параметров транзистора IRF 510 также является его сопротивление при открытом состоянии (RDS(on)). Этот параметр определяет электрическое сопротивление, которое транзистор представляет при пропускании тока в открытом состоянии. В случае IRF 510 он составляет около 0.5 Ом. Чем меньше это значение, тем меньше сопротивление транзистора и тем эффективнее он будет выполнять свои функции в схеме.

Также следует отметить параметры сопротивления насыщения (Ron) и дрейна (RDS). Ron определяет сопротивление транзистора при открытом состоянии, а RDS — сопротивление, которое он представляет при закрытом состоянии. У IRF 510 Ron составляет 0.7 Ом, а RDS — около 100 МОм.

Напряжение и сопротивление — ключевые характеристики транзистора IRF 510, которые необходимо учитывать при проектировании электронных схем и выборе соответствующих компонентов.