What is 2sa1837?

2SA1837 transistor graphical characteristics

output characteristics of the 2SA1837 transistor

The figure shows the output characteristics of the 2SA1837 transistor, and the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the collector current value increases towards infinity with respect to the collector-to-emitter voltage.

DC current gain characteristics of the 2SA1837 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the 2SA1837 transistor, the graph plots with DC current gain vs collector current.

At the initial stages the gain value increases constantly and becomes constant and then it decreases with respect to the collector current.

safe operating characteristics of Sthe 2SA1837 transistor

The figure shows the safe operating characteristics of Sthe 2SA1837 transistor, which plots with collector current vs collector to emitter voltage.

Тандемное включение транзисторов (схемы Дарлингтона и Шиклаи)

Довольно часто возникает ситуация, когда необходимого коэффициента усиления одного транзистора не хватает. В этом случае транзисторы соединяют тандемно (то есть выходной ток первого транзистора является входным током для второго). Существует две схемы такого включения: схема Дарлингтона и схема Шиклаи. Отличие заключается лишь в том, что в схеме Дарлингтона используются транзисторы одинакового типа проводимости, а в схеме Шиклаи – разного типа проводимости.

Схема Дарлингтона

Схема Шиклаи

Данные пары – это просто два каскада эмиттерного повторителя. Иногда данные составные схемы транзисторов называют «супер-β» пары, так как они функционируют как один транзистор с высоким коэффициентом усиления.

Общий коэффициент передачи тока будет равен:

h_21e(ОБЩ) = h_21e(VT1)*h_21e(VT2)

При использовании данных схем вполне возможна такая ситуация, когда нагрузка уменьшится до нуля (или некоторого минимального значения, близкого к нулю) или при повышении температуры базовый ток транзистора VT1 может стать равным нулю или даже переменить направление за счёт неуправляемого обратного тока коллектора. Во избежание запирания транзистора VT2 его режим следует стабилизировать с помощью резистора R1.

Величину сопротивления R1 можно определить по формуле:

R1 ≤ U_{E min}/I_CBO(VT1)

Транзистор A928A: характеристики и аналоги

Главная » Транзисторы

В технических характеристиках на A928A указано, что это биполярный кремниевый транзистор. Чаще всего его используют в выходных каскадах усиления низкой частоты с мощностью до 1 Вт. Конструктивно имеют структуру PNP.

Цоколевка

Рассматриваемый транзистор производят в корпусе ТО-92L. Последний является модифицированной, немного удлинённой, версией ТО-92. В обозначении чаще всего первые два символа производителями не указываются, а вместо «KSA928A» на пластиковую упаковку наносится сокращённая маркировка «A928A». Если посмотреть на неё, предварительно расположив металлические выводы вниз, слева будет находится эмиттер (Э), посередине коллектор (К), а справа база (Б).

Технические характеристики

Рассмотрим характеристики KSA928A более подробно. В технических описаниях (datasheet) они представлены в таблицах c максимальными и электрическими параметрами. Все значения указаны для температуры окружающей среды (Т_А) не более +25°С.

Максимальные параметры

Максимальные характеристики A928A (при Т_А=+25°С):

• напряжение между выводами: К-Б (V_CBO) до -30 В; К-Э (V_CEO) до -30 В; Э-Б (V_EBO) = -5 В;
• ток коллектора I_C до -2 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С до 1 Вт;
• нагрев кристалла (T_j) до +150°С;
• температура хранения (T_stg) -55 … 150°С.

При изучении транзисторов имеющих PNP-структуру следует обращать внимание на знак «-», который указывает на обратные значения тока и напряжения. Максимальные значения превышать недопустимо, так как устройство может выйти из строя, а его внутренняя структура будет повреждена

Максимальные значения превышать недопустимо, так как устройство может выйти из строя, а его внутренняя структура будет повреждена.

Электрические параметры

Наиболее реальные возможности транзистора A928A отражены в таблицах электрических (номинальных) характеристик. Там же представлены условия (режимы измерений), при которых устройство может работать наиболее стабильно и продолжительно долго, без возникновения риска выхода его из строя. Все значения как и для предельных значений параметров указаны для Т_А не более +25°С.

Группы усиления по H

_FE

Электронная промышленность подразделяет KSA928A на две группы. Такая классификация осуществляется на завершающих этапах производства, в том числе в ходе тестирования и отбраковки дефектных изделий. Решающее значение при этом имеет коэффициент усиления по току (H_FE).

_FE

Комплементарная пара

В связи с тем, что A928A используется преимущественно для работы в усилителях звуковой частоты, для него была разработана комплементарная пара KSC2328A. Последний имеет кремниевую NPN-структуру. В настоящее время существует множество аудиоусилителей сконструированных на базе двух этих транзисторов работающих парой в выходном дифференциальном каскаде.

Аналоги

К сожалению, российских аналогов у A928A в настоящее время не существует. Из зарубежных устройств хорошей альтернативой, в качестве полноценной замены, считаются: 2SA1273, 2SB892, KTA1273, 2SB544. Довольно близким по параметрам также является транзистор STX790A.

Производители

KSA928A выпускался в разное время многими зарубежными предприятиями электронной промышленности, например довольно известными Fairchild Semiconductor и ON Semiconductor. В настоящее время большинство таких транзисторов имеет китайское происхождение, но зачастую их качество ни в чём не уступает именитым европейским и американским брендам.

PNP

Поиск

Возможна отправка в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Внимательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, вам понравится ✓Отправьте заказ в тот же день! ✓Доставка по всему миру! ✓Ограниченная распродажа ✓Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта	Поиск
Доступное количество	Возможна отправка немедленно
Модель №.
Код ТН ВЭД	8529
Минимальное количество	Начиная с одной детали
Атрибуты продукта
Категории	Поиск
идентификатор продукта
артикул
gtin14
тп
Статус детали	Активный

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары отправляются с использованием почтовых услуг и оплачиваются по себестоимости. Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества. Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.

Судоходная компания	Расчетное время доставки	Информация об отслеживании
Плоская транспортировочная	30-60 дней	Нет в наличии
Заказная авиапочта	15-25 дней	В наличии
ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ	5-10 день	В наличии
Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте. Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений. После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте. Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение. Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

Подробнее о программе защиты покупок PayPal. Получите заказанный товар или верните деньги.

Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
Достаточный запас по вашему срочному требованию.
Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.

Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
Круглосуточно.

Каковы ваши основные продукты?

Интегральные схемы (ИС)	Дискретный полупроводник	Потенциометры, регулируемые R
Звук специального назначения	Аксессуары	Реле
Часы/хронометраж	Мостовые выпрямители	Датчики, преобразователи
Сбор данных	Диакс, Сидак	Резисторы
Встроенный	Диоды	Катушки индуктивности, катушки, дроссели
Интерфейс	МОП-транзисторы	Фильтры
Изоляторы — драйверы затворов	БТИЗ	Кристаллы и осцилляторы
Линейный	JFET (эффект поля перехода)	Соединители, Межсоединения
Логика	ВЧ полевые транзисторы	Конденсаторы
Память	ВЧ-транзисторы (BJT)	Изоляторы
PMIC	SCR	Светодиод
	Транзисторы (БЮТ)
	Транзисторы
	Триаки

Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).

Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.

PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену.
(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).

Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
Вы можете купить столько, сколько захотите.

Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

• Коллектор (collector) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять
• База (base) — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать большой; база заземляется, чтобы заблокировать его
• Эмиттер (emitter) — через него проходит ток с коллектора и базы, когда транзистор «открыт»

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель h_fe
также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер
способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если h_fe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит
через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент,
который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас».
Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные
10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на
контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву
и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит
из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав
кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive —
с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N.
PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется,
когда через неё идёт ток.

Details

2SA1837 High Frequency PNP power Transistor

The 2SA1837 is a PNP high frequency power transistor. It has 3 pins namely a) Base b) Emitter and C) Collector. It has collector to emitter breakdown voltage of -230 V and collector current of -1 A. As mentioned in title it’s not an ordinary transistor in fact it is High Frequency PNP Power Transistor. The difference between normal transistor and high power transistor is that power transistor is capable of carrying more current than normal transistor without melting or burning. Using this package i.e. To-220F just with the help of single screw heat sink can be mounted on it. The visual appearance is illustrated in Figure .

2SA1837 Pins Assignment:

2SA1837 Pins Assignment is shown in Figure .  Turn non-flat side towards your face on the very left side of transistor at position 1) Base followed by 2) Collector and 3) Emitter. 

Pins Configuration of 2SA1837:

Pin Number	Pin Name	Pins Description
1	Base	Used to turn ON and turn OFF the transistor (Biasing)
2	Collector	Current flows in through this and usually connected to load
3	Emitter	For current to flow out, connected with ground.

Features of 2SA1837:

• High transition frequency: 70 MHz

• TO-220F package: Could easily be installed to heat sink with one screw

• High current gain bandwidth product

• Collector-base voltage: -230 V (Tc = 25 C)

• Collector-emitter voltage: -230 V (Tc = 25 C)

• Emitter-base voltage: -5 V (Tc = 25 C)

2SA1837 Equivalent:  2SA1006B, MJE15033

2SA1837 Complement: 2SC4793

Uses of 2SA1837 Transistor:

2SA1837 is a high frequency PNP power transistor with 3 pins. This 2SA1837 is a high current gain bandwidth product which can be used for different applications like power amplifiers and driver stage amplifiers. One should keep this in consideration while using this transistor, a continuous use of this transistor under heavy load may decrease its reliability even if it’s operating within maximum rating.

Working of 2SA1837 high frequency PNP power transistor: 

2SA1837 is a high frequency PNP power transistor. A transistor is a semiconductor device with its main function to amplify the weak signal; 2SA1837 is a type of power transistor with PNP configuration.

Generally transistor works almost similarly just difference is in their topology such as Bipolar PNP, NPN and similarly FET with N-channel and P-channel also how it is configured either common emitter, common base, common collector or else.

2SA1837 has three pins, in this PNP transistor current flow from emitter to collector pin whereas, base pin controls overall flow rate. It has property that it turns ON at very low signal that is an opposite of NPN transistor which turns ON at high signal.

2SA1837 high power transistor has different working regions i.e. Active region in which transistor works as an amplifier and is most versatile working region. The saturation or ON region is that region in which transistor operates as a closed or complete circuit. The final region is OFF or cutoff region in which it resembles as an open circuit.

2D Model of 2SA1837:

Below in Figure is 2D model which could help in detail construction considerations.

Video on Youtube:

Биполярный транзистор: внешний вид, составные элементы, конструкция корпуса — кратко

Сразу стоит определиться, что биполярный транзистор (bipolar transistor) создан для работы в цепях постоянного тока, где и используется. Сократим его название до БТ.

На фотографии ниже показал насколько разнообразные формы он имеет. А ведь этот небольшой ассортимент мной высыпан из одной маленькой коробочки.

Транзисторный корпус может быть изготовлен из пластмассы или металла в виде параллелепипеда, цилиндра, таблетки различной величины. Общими элементами являются три контактных штыря, созданные для подключения к электрической схеме.

Эти выводы необходимо различать в технической документации, правильно подключать при монтаже. Поэтому их назвали:

1. Э (E) — эмиттер;
2. К (C) — коллектор;
3. Б (B) — база.

Буквы в скобках используются в международной документации.

Основной метод соединения БТ в электрических схемах — пайка, хотя допускаются и другие.

Габариты корпуса и контактных выводов зависят от мощности, которую способен коммутировать этот модуль. Чем выше проектная нагрузка, тем большие размеры вынуждены создавать производители для обеспечения надежной работы и отвода опасного тепла.

Общеизвестно, что полупроводниковые переходы не способны выдерживать высокий нагрев — они банально перегорают. Поэтому все мощные корпуса выполняются из металла и снабжаются теплоотводящими радиаторами.

В особо ответственных узлах для них дополнительно создается принудительный обдув струями воздуха. Этим приемом значительно повышается надежность работы системных блоков компьютеров, ноутбуков, сложной электронной техники.

Любой БТ состоит из трех полупроводниковых переходов p и n типа, как обычный диод. Только у диода их меньше: всего два. Он способен пропускать ток всего в одну сторону, а в противоположную — блокирует.

Bipolar transistor создается по одной из двух схем соединения полупроводниковых элементов:

1. p-n-p, называемую прямым включением;
2. n-p-n — обратным.

При обозначении на схемах их рисуют одинаково, но с небольшими отличиями вывода эмиттера:

1. прямое направление: стрелка нацелена на базу;
2. обратное — стрелка показывается выходом из базы наружу элемента.

Указатель стрелки эмиттера показывает положительное направление тока через полупроводниковый переход.

2SA1837 vs 2SA2182 vs MJE5851

We list and compare the electrical specifications of 2SA1837, 2SA2182, and MJE5851 devices, this comparison is useful for better understanding.

Characteristics	2SA1837	2SA2182	MJE5851
Collector to emitter voltage (VCE)	-230V	-230V	-350V
Collector to base voltage (VCB)	-230V	-230V	-400V
Emitter to base voltage (VEB)	-5V	-5V	-6V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	-1.5V	-0.5V	2V to 5V
Collector current (IC)	-1A	-1.0A	-8A
Base current (IB)	-0.1A	-100mA	-4A
Power dissipation	2W to 20W	2W to 20W	80W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-65 to +150℃
Transition frequency (FT)	70MHz	80MHz	—
Gain (hFE)	100 to 320hFE	100 to 320hFE	5 to 15hFE
Output capacitance	30pF	22.5pF	270pF
Package	TO-220/TO-220F	TO-220	TO-220AB

2SA1837 transistor electrical specification & application description

In this section we explain the electrical specifications of the A1837 transistor, this will be very useful for the replacement process.

Voltage specs

The voltage specs of the A1837 transistor are collector to base voltage is -230V, collector to emitter voltage is -230V, and emitter to base voltage is -5V.

The collector-to-emitter saturation voltage is -1.5V, which is the triggering voltage value of the 2SA1837 transistor.

The total terminal voltage and saturation voltage of the A1837 transistor shows that it is a high-voltage device having multiple applications.

Current specs

The collector’s current value is -1A, and the maximum load capacity of the device is calculated with the current value.

The base current value of the A1837 transistor is -0.1A, it is the current value that is used to trigger the device.

Dissipation specs

The power dissipation value of the A1837 transistor is 2W to 20W, this value is mainly dependent on the component package.

Transition frequency

The transition frequency value is 70MHz, which is the total frequency value of the transistor at the circuit application