Биполярный транзистор 2SA562TM — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA562TM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора:
2SA562TM
Datasheet (PDF)
..1. Size:201K toshiba 2sa562tm.pdf
2SA562TM TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA562TM Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications Excellent hFE linearity: hFE (2) = 25 (min) at V = -6 V, I = -400 mA CE C 1 watt amplifier application. Complementary to 2SC1959. Maximum Ratings (Ta == 25C) =
8.1. Size:239K mcc 2sa562-o.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SA562-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SA562-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Excellent hFE) Linearlity Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates TransistorsRoHS Compliant. See o
8.2. Size:239K mcc 2sa562-y.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SA562-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SA562-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Excellent hFE) Linearlity Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates TransistorsRoHS Compliant. See o
8.3. Size:1015K no 2sa562.pdf
8.4. Size:206K secos 2sa562.pdf
2SA562 -0.5A, -35V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Excellent hFE Linearity MillimeterREF.Min. Max.CLASSIFICATION OF hFE A 4.40 4.70B 4.30 4.70C 12.70 -Product-Rank 2SA562-O 2SA562-YD 3.30 3.81E 0.36 0.56F 0.36 0.51Range 70~140 120~240
8.5. Size:507K jiangsu 2sa562.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 2SA562 TRANSISTOR (PNP)1. EMITTER FEATURESExcellent hFE inearlity 2. COLLECTOR3. BASE Equivalent Circuit A562=Device code Solid dot=Green molding compound device, Z if none,the normal deviceZ=Rank of hFE 1XXX=Code
8.6. Size:308K lge 2sa562.pdf
2SA562(PNP) TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE linearlity Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -500 m
8.7. Size:464K blue-rocket-elect 2sa562m.pdf
2SA562M(BR3CG562M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features h , 2SC1959M(3DG1959M) FEExcellent hFE linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). / Applications
8.8. Size:157K inchange semiconductor 2sa562o 2sa562y.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA562DESCRIPTIONLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-speed switching and Amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы… BUL63B
, BUL63A
, 2SA2154
, 2SA2154CT
, 2SA2154MFV
, 2SA2195
, 2SA2214
, 2SA2215
, MPSA42
, 2SC1815L
, BUL62B
, 2SC4666
, 2SC4738F
, 2SC4738FT
, 2SC5232
, 2SC5233
, 2SC5376
.
Справочники
|
|||||
Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые маркируются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора. Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26. Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзистора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2). Кодовая маркировка наносится на боковую поверхность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обозначает год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26. Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или кодом, состоящим из геометрических фигур (рис. 8.4). Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркируются окрашиванием торца корпуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый; КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый; КТ816 — розово — красный; КТ817 — серо — зелёный; КТ683 — фиолетовый; КТ9115 — голубой. Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода. Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине. Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соответственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).
Кизлюк А.И. Ключевые теги: Кизлюк |
|||||
|
|||||
|
|||||
2SA562TM Datasheet (PDF)
..1. Size:201K toshiba 2sa562tm.pdf
2SA562TM TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA562TM Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications Excellent hFE linearity: hFE (2) = 25 (min) at V = -6 V, I = -400 mA CE C 1 watt amplifier application. Complementary to 2SC1959. Maximum Ratings (Ta == 25C) =
8.1. Size:239K mcc 2sa562-o.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SA562-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SA562-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Excellent hFE) Linearlity Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates TransistorsRoHS Compliant. See o
8.2. Size:239K mcc 2sa562-y.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SA562-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SA562-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Excellent hFE) Linearlity Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates TransistorsRoHS Compliant. See o
8.3. Size:1015K no 2sa562.pdf
8.4. Size:206K secos 2sa562.pdf
2SA562 -0.5A, -35V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Excellent hFE Linearity MillimeterREF.Min. Max.CLASSIFICATION OF hFE A 4.40 4.70B 4.30 4.70C 12.70 -Product-Rank 2SA562-O 2SA562-YD 3.30 3.81E 0.36 0.56F 0.36 0.51Range 70~140 120~240
8.5. Size:507K jiangsu 2sa562.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 2SA562 TRANSISTOR (PNP)1. EMITTER FEATURESExcellent hFE inearlity 2. COLLECTOR3. BASE Equivalent Circuit A562=Device code Solid dot=Green molding compound device, Z if none,the normal deviceZ=Rank of hFE 1XXX=Code
8.6. Size:308K lge 2sa562.pdf
2SA562(PNP) TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE linearlity Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -500 m
8.7. Size:464K blue-rocket-elect 2sa562m.pdf
2SA562M(BR3CG562M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features h , 2SC1959M(3DG1959M) FEExcellent hFE linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). / Applications
8.8. Size:157K inchange semiconductor 2sa562o 2sa562y.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA562DESCRIPTIONLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-speed switching and Amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a