Особенности и применение
Транзистор 2Т825А широко применяется в радиолюбительских устройствах, радиоэлектронике, в частотных фильтрах, регулирующих устройствах, усилителях и других электронных системах, где требуется низкий уровень шума и хорошая линейность.
Однако, при выборе заменителя для транзистора 2Т825А, необходимо учитывать его параметры и спецификации, чтобы он максимально соответствовал требованиям схемы и обеспечивал правильную работу устройства
Важно обратить внимание на коэффициент усиления, сопротивление дренаж-исток и другие ключевые характеристики
Рекомендуется обратиться к производителю или специалистам в области радиоэлектроники, чтобы получить консультацию и выбрать наиболее подходящий заменитель для транзистора 2Т825А с учетом требований вашей схемы и условий эксплуатации.
Достоинства и недостатки составных транзисторов
Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.
Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:
- Высокий коэффициент усиления по току.
- Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
- Применяются при относительно высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора:
- Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
- Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер выходного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в одиночном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на прямосмещенном p-n переходе.
- Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещенном p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе.
Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчетом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счетфорсирования закрытия транзистора , так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько кОм в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.
Критерии выбора аналога
При выборе аналога для замены транзистора 2т825а важно учитывать несколько критериев:
1. Параметры транзистора: Перед выбором аналога необходимо убедиться, что он имеет аналогичные параметры и характеристики, такие как максимальное напряжение, ток и мощность, коммутационные времена и частоты и другие основные параметры. Иначе, аналог может не работать стабильно либо не совместим с остальными компонентами схемы.
2. Тип корпуса: Корпус транзистора также является важным фактором при выборе аналога. Транзисторы могут иметь различный тип корпуса — от металлических до пластмассовых. Помимо этого, необходимо учитывать размеры и монтажные возможности корпуса для его установки на плату.
3
Надежность и качество аналога: При выборе аналога следует обратить внимание на его надежность и качество. Желательно отдавать предпочтение компонентам от проверенных производителей, имеющих хорошую репутацию на рынке
Это поможет избежать проблем с выходом из строя и некачественной работой.
4. Цена: Цена является не менее важным фактором при выборе аналога. Необходимо найти компромисс между ценой и качеством компонента, а также учитывать свои бюджетные ограничения.
Соблюдение этих критериев поможет выбрать подходящий аналог для замены транзистора 2т825а и обеспечит безотказную работу электрической схемы.
2Т825А
2Т825А Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения . Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора: — в металлическом корпусе не более 20,0 г, — кристалла не более 0,025 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: — приемка «ВП» аА0.339.054ТУ; — приемка «ОСМ» аА0.339.054ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N6287.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки. Гарантийная наработка: — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ; — 40000 часов — в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т825А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 500. 18000; • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом
Источник
Транзистор
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.
Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.
Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.
Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.
За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.
Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.
Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.
https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0
KT829A Datasheet (PDF)
0.1. kt829a.pdf Size:33K _no
n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max),B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h21(h21) 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh21), 4R -(R -),/ 2.08
0.2. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia
0.3. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE
Другие транзисторы… KT826V, KT827A, KT827B, KT827V, KT828A, KT828B, KT828G, KT828V, 2SC1740, KT829B, KT829G, KT829V, KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A.
Раздел 2: Критерии выбора заменителя
При выборе заменителя для транзистора 2т825а следует учитывать несколько критериев
Во-первых, необходимо обратить внимание на электрические характеристики заменителя, такие как максимальное рабочее напряжение, ток коллектора и коэффициент усиления. Эти параметры должны быть сопоставимы с характеристиками оригинального транзистора
Во-вторых, важно учесть физические размеры заменителя. Он должен соответствовать размерам монтажного места, чтобы его было легко установить на плату
Если заменитель имеет другие габариты, то возможно его придется дополнительно подгонять или использовать адаптер.
Также следует обратить внимание на температурный диапазон работы заменителя. Он должен быть совместим с условиями эксплуатации транзистора 2т825а
Если температурный диапазон недостаточен, то заменитель может быстрее выходить из строя.
Наконец, необходимо учитывать стоимость заменителя. В зависимости от производителя и характеристик, стоимость может варьироваться
Важно выбрать заменитель, который будет соответствовать требованиям и стоимости проекта
Применение:
Транзистор 2Т825Б PNP считается универсальным транзистором благодаря своим особенностям и характеристикам. Он может использоваться в самых различных электронных схемах и устройствах.
Основное применение транзистора 2Т825Б PNP включает:
В усилительных схемах, где требуется большой усилительный коэффициент и небольшая выходная мощность.
В сигнальных цепях, в том числе в схемах преобразования сигналов.
В источниках тока, стабилизаторах напряжения и других аналогичных схемах, где важно обеспечение стабильности и точности работы.
В схемах включения индикаторов, дисплеев или светодиодов.
В транзисторных ключах, электронных схемах переключения и управления.
Благодаря своим характеристикам и высокой надежности, транзистор 2Т825Б PNP нашел широкое применение в различных областях электроники, включая радиоаппаратуру, телевизоры, автомобильную электронику, аудиоустройства, источники питания и другие устройства и системы.
Справочники
|
|
|||||
|
Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые маркируются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора. Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26. Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзистора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2). Кодовая маркировка наносится на боковую поверхность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обозначает год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26. Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или кодом, состоящим из геометрических фигур (рис. 8.4). Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркируются окрашиванием торца корпуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый; КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый; КТ816 — розово — красный; КТ817 — серо — зелёный; КТ683 — фиолетовый; КТ9115 — голубой. Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода. Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине. Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соответственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).
Кизлюк А.И. Ключевые теги: Кизлюк |
|||||
|
|||||
|
|||||
Транзисторы серии КТ825, 2Т825
По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.
Мультивибратор на КТ315
Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.
Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).
Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.
Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.
Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.
Характеристики
Максимальные характеристики КТ825Г:
- Uбэоmax — напряжение пробоя база-эмиттер =5 В;
- Iкmax — постоянный максимальный ток коллектора =20 А;
- Iкиmax — импульсный максимальный ток коллектора =40 А;
- Rэкнас — сопротивление насыщения эмиттер-коллектор не более =0,4 Ома
- Uкэmax длительное (при RБЭ = 1000 Ом и UЭБ = 1,5 В) =90 В;
- Iбmax длительно возможный протекающий ток базы =500 mА.
Электрические характеристики
При работе на предельной температуре коэффициент передачи тока максимальный. Предел частоты работы ограничен собственной емкостью pn перехода составного транзистора.
| Значения параметров при температуре pn перехода Тп=25°С | ||
| UэКнас (напряжение насыщения между эмиттером и коллектором транзистора) | В | <2 |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Тк=25°С | 750÷18000; |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Т=Тк макс | 600÷25000 |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Тк=-60°С | 150÷18000 |
| f гp — граничная частота коэффициента передачи тока | МГц | <4 |
| СК — емкость коллекторного перехода UКБ=10В | пФ | min 350 пФ max 600 пФ |
| СЭ — емкость эмиттерного перехода UЭБ=5В | пФ | min 450 пФ max 350 пФ |
| Время включения | мкс | 1 |
| Время выключения | мкс | 4,5 |
| Напряжение насыщения Uкэ | Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА | 2 3 |
| Напряжение насыщения Uбэ | Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА | 3 4 |
Тепловые и другие параметры
Металлостеклянный корпус КТ825Г обеспечивает рассеяние тепловыделения в работе до 3 Вт без радиатора и до 125 Вт с радиатором охлаждения.
| РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. | Вт | 3 |
| РК т max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. | Вт | 125 |
| Т max — максимально допустимая температура окружающей среды. | °С | -40 ÷+100 |
| TП max максимально допустимая температура перехода | °С | 150 |
| fгр граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | МГц | 4 |
| Масса транзистора в металле не более | грамм | 20 |
Комплементарной парой (транзистором сходным по абсолютным значениям параметров, но имеющим другой тип проводимости) для КТ825Г является КТ827Г с npn структурой.
Параметры транзистора КТ825. Datasheet. Цоколевка и аналоги.
КТ825
—
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной (Дарлингтона) n-p-n
транзистор в пластмассовом корпусе TO-3
Назначение: КТ825
предназначен для применения
усилителях низкой частоты, переключающих устройствах
Типы: КТ825
Г, КТ825
Д, КТ825 Е
Аналог КТ825
: по параметрам близок 2N6050
Комплементарная пара: npn транзистор КТ827
Цоколевка КТ825
: см. рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Datasheet:
(подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)
| Основные параметры транзисторов КТ825: | |||
|---|---|---|---|
| Параметры | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
| Статический коэффициент передачи тока КТ825 | Uкэ=10B, Iк=10A | 750 | 18000 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ825 | Iк=10А, Iб=40мA | 1 | 2.0В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер КТ825 | Iк=20A, Iб=200мA | 2.6 | 4.0В |
| Предельные параметры транзисторов КТ825 : |
|||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттерКТ825 ГКТ825 ДКТ825 Е | Rэб≤ 1кОм | 90В60В30В | |
| Напряжение эмиттер-база (обратное) | 5В | ||
| Постоянный ток коллектора КТ825 | 20А | ||
| Импульсный ток коллектора | 40А | ||
| Постоянный ток базы | 0.5А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 25 °С | 125Вт |
Подробные характеристики КТ825
и графики зависимостей
параметров приведены в
справочнике мощных транзисторов
Критерии выбора
1
Технические характеристики: При выборе заменителя для транзистора 2т825а необходимо обратить внимание на его технические характеристики, такие как максимальное рабочее напряжение, максимальный ток коллектора, коэффициент усиления тока и другие параметры. Они должны быть максимально близкими к значениям технических характеристик исходного транзистора
2. Универсальность заменителя: Желательно выбрать заменитель, который может использоваться не только вместо транзистора 2т825а, но и в других схемах. Это позволит вам иметь запас заменителей для различных случаев.
3. Наличие и доступность заменителя: Перед выбором заменителя рекомендуется проверить его наличие и доступность на рынке. Иногда возникает ситуация, когда требуемый транзистор нереально найти или его стоимость слишком высока.
4. Отзывы и рекомендации: Перед выбором заменителя рекомендуется ознакомиться с отзывами и рекомендациями других пользователей или специалистов в отношении данного заменителя. Это поможет вам сделать более обоснованный выбор и избежать возможных проблем в будущем.
5. Цена: Важным критерием при выборе заменителя является его цена. Она должна быть приемлемой для вашего бюджета. Однако стоит помнить, что слишком дешевые заменители могут иметь низкое качество.
6. Консультация с профессионалами: Если у вас остались сомнения или вопросы, рекомендуется проконсультироваться с профессионалами в области электроники. Они смогут подсказать наиболее подходящие заменители для транзистора 2т825а и ответить на все ваши вопросы.
Цоколевка
Корпус транзистора выпускался в металлическом исполнении TO-3 (КТ-9). У КТ825Г выводы не маркированы. Маркировка нанесена цифробуквенным кодом на транзисторе. Наименование находится в верхней части металлического корпуса. Расположение двух жёстких выводов «база-эмиттер», изолированных стеклянным диэлектриком — со смещением от центра. Корпус транзистора соединён с коллектором. Надписи на транзисторе содержат наименование, логотип производителя, дату производства, возможно знак военной приёмки. Размеры корпусов приведены на рисунке. Корпус ТО-3 имеет два отверстия для монтажа.