CZT5401 Datasheet (PDF)
0.1. czt5401e.pdf Size:534K _central
CZT5401Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES: High Collector Breakdown Voltage 250VSOT-223 CASESOT-223
0.2. czt5401.pdf Size:614K _secos
CZT5401PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The CZT5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 4 0 1D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3
0.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin
SMD Type TransistorsPNP TransistorsCZT5401 (KZT5401)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 High Voltage High Voltage Amplifier Application1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -160 Coll
Электрические характеристики
Значения в таблице действительныпри температуре внешней среды Ta = 25°C.
| Характеристика | Обознач. | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Характеристики включенного / выключенного состояния ٭ | ||||
| Ток коллектора выключения, нА | ICEX | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 | |
| Ток базы выключения, нА | IBL | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 | |
| Напряжение пробоя коллектор – база, В | V(BR)CBO | IC = 10мкА, IE = 0 | ≥ 60 | |
| Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, В | V(BR)CEO | IC = 1,0мА, IB = 0 | ≥ 40 | |
| Напряжение пробоя эмиттер – база, В | V(BR)EBO | IE = 10мкА, IC = 0 | ≥ 6 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE(1) | VCE = 1 В, IC = 0,1 мА | ≥ 40 | |
| hFE(2) | VCE = 1 В, IC = 1 мА | ≥ 70 | ||
| hFE(3) | VCE = 1 В, IC = 10 мА | 100…300 | ||
| hFE(4) | VCE = 1 В, IC = 50 мА | ≥ 60 | ||
| hFE(5) | VCE = 1 В, IC = 100 мА | ≥ 30 | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | VCE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,2 | |
| VCE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,3 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | VBE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,85 | |
| VBE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,95 | ||
| Характеристики в режиме малого сигнала | ||||
| Частота среза, МГц | fT | VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц | ≥ 300 | |
| Выходная емкость коллектора, pF | Cob | VCB = 5 В, IE = 0, f = 1 МГц | ≤ 4,0 | |
| Входная емкость, pF | Cib | VBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1 МГц | ≤ 8,0 | |
| Входной импеданс, кОм | hie | VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГц | От 1,0 до10 | |
| Коэффициент обратной связи по напряжению, × 10-4 | hre | От 0,5 до 8 | ||
| Коэффициент усиления при малом сигнале | hfe | От 100 до 400 | ||
| Выходная проводимость, мкСм | hoe | От 1 до 40 | ||
| Коэффициент шума транзистора, dB | NF | VCE = 5В, ICE = 0,1мА, RS = 1кОм, f = 1,0 кГц | ≤ 5,0 | |
| Характеристики режима переключений | ||||
| Времена режима переключения | Время задержки, нс | td | UCC = 3,0 В, UBE = 0,5 В, IC = 10 мА, IB1 = 1,0 мА | ≤ 35 |
| Время нарастания, нс | tr | ≤ 35 | ||
| Время рассасывания, нс | tstg (ts) | UCC = 3,0 В, IC = 10 мА, IB1 = IB2 = 1,0 мА | ≤ 200 | |
| Время спада, нс | tf | ≤ 50 |
٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2 %.
Биполярные транзисторы
Транзисторы можно рассматривать как своего рода переключатели, такие же как и многие электронные компоненты, например, реле или вакуумные лампы. Транзисторы применяются в различных схемах, и редко какая схема обходится без них, даже сейчас, при широком использовании микросхем. Существует два основных вида биполярных транзисторов – n-p-n и p-n-p, они различаются по проводимости.
Два схожих по параметрам транзистора разных проводимостей называют комплементарной парой. Если в какой-нибудь схеме, например, в усилителе, заменить транзисторы одного вида на транзисторы другого вида со схожими параметрами (не забыв изменить при этом полярность питающих напряжений, электролитических конденсаторов и полупроводниковых диодов), то схема будет работать точно так же, за исключением СВЧ диапазона, поскольку n-p-n транзисторы являются более высокочастотными, чем p-n-p, и здесь возможно не удастся подобрать комплементарную пару.
Биполярный транзистор – трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости.
Чаще всего в схемах применяют транзисторы структуры n-p-n. Это связано с тем, что в схемах эмиттеры транзисторов соединены с отрицательным источником питания.
Соответственно и общий провод схемы так же будет соединён с отрицательным выводом источника питания, что является общепринятым стандартом.
Транзисторы выпускаются в различных корпусах, но все они имеют три вывода (у высокочастотных транзисторов иногда имеется и четвёртый вывод, соединённый с металлическим корпусом – экраном):
- База- это управляющий вывод;
- Коллектор- находится под положительным потенциалом (для n-p-n транзистора);
- Эмиттер- находится под отрицательным потенциалом (для n-p-n транзистора).
2N3904 аналог 2N3904 и 2N3904BU
The 2N3904 from Multicomp is a through hole, NPN silicon planar switching transistors in TO-92 metal can package. This transistor features fast switching, short turn off and low saturation voltage hence is suitable for switching and amplification. . Collector emitter voltage (Vce) of 40V . Continuous collector current (Ic) of 200mA . Power dissipation of 625mW . Operating junction temperature range from -55°C to 150°C . Collector emitter saturation voltage is less than 300mV at Ic=10mA . DC current gain is greater than 30 at Ic=100mA
![2n2904 transistor: 2n2904, datasheet, pinout [video]](https://pafosklub.ru/wp-content/uploads/e/0/f/e0fc3f6c79b942e77879aa2187de4817.jpeg)
2N3904BU Обзор
The 2N3904BU is a NPN Transistor for general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100mA as a switch and to 100MHz as an amplifier. . 200°C/W Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
2N3904 Аналоги
образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить 2N3904
Multicomp Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются MULTICOMP 2N3904 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40V, 300MHz, 625mW, 200mA, 300 hFE 2N3904 и 2N3904 аналог 2N3904BU
Fairchild Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными NPN 625mW 40V 200mA Through Hole General Purpose Amplifier — TO-92-3 2N3904 и 2N3904BU аналог 2N3904TA
2N3904 отечественный анало 2N3904, 2N3904BU: 2N3904 NPN 625mW, 2N3904 TO-92 NPN 625mW, 2N3904BU TO-92 NPN 60V 200mA 625mW. 2N3904 характеристики и его российские аналоги 2N3904, 2N3904BU: 2N3904 Bipolar — RF Transistor, NPN, 40V, 300MHz, 625mW, 200mA, 300 hFE, 2N3904 MULTICOMP 2N3904 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40V, 300MHz, 625mW, 200mA, 300 hFE, 2N3904BU NPN 625mW 40V 200mA Through Hole General Purpose Amplifier — TO-92-3. 2N3904 аналоги 2N3904, 2N3904BU Корпус/Пакет: 2N3904 Bipolar — RF Transistor, NPN, 40V, 300MHz, 625mW, 200mA, 300 hFE, 2N3904 MULTICOMP 2N3904 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40V, 300MHz, 625mW, 200mA, 300 hFE, 2N3904BU NPN 625mW 40V 200mA Through Hole General Purpose Amplifier — TO-92-3.
Аналоги
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5401 | 150 | 0,6 | 0,31 | 60 | 100 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ6116А | 160 | 0,6 | 0,625 | 60 | 100 |
| КТ502Е | 80 | 0,15 | 0,35 | 40 | 5 |
| Импорт | |||||
| 2N5400 | 120 | 0,6 | 0,31 | 40 | 100 |
| ECG288 | 300 | 0,5 | 0,625 | 40 | 50 |
| MPSA92 | 300 | 0,5 | 0,625 | 25 | 50 |
| MPSA93 | 200 | 0,5 | 0,625 | 30 | 50 |
| MPSL51 | 100 | 0,6 | 0,31 | 40 | 60 |
| BF491 | 200 | 0,5 | 0,625 | 25 | 50 |
| ECG288 | 300 | 0,5 | 0,625 | 40 | 50 |
| 2SB646 | 80 | 0,5 | 0,9 | 60 | 70 |
| 2SB646A | 100 | 0,5 | 0,9 | 60 | 70 |
| 2SB647 | 150 | 0,5 | 0,3 | 30 | 40 |
| 2SB647A | 80 | 1 | 0,9 | 60 | 70 |
| 2SA638 | 100 | 1 | 0,9 | 60 | 70 |
| BC526A | 50 | 0,2 | 0,625 | 100 | 200 |
| BC404VI | 60 | 0,15 | 0,35 | 50 | 150 |
| 2SA1015 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
Таблица отображает аналоги с наиболее близкими техническими характеристиками, взятыми из даташип производителя.
Маркировка
Префикс LM сначала использовался при маркировке общего назначения компанией National Semiconductor. Цифры “358” это ее серийный номер. В 2011 году эта компания была приобретена другим производителем электроники Texas Instruments. С этого года префикс “LM” является кодом производителя Texas Instruments, но несмотря на это, этот код используют и другие производители при маркировке своей продукции. Микросхемы LM358, LM358-N и LM358-P имеют одинаковые технические параметры. У большинства компаний-производителей символами “-N” , “-P” обозначаются пластиковые корпуса PDIP.
В технических описания встречается такие виды: LM358A, LM358B, LM358BA. Так указывается версии следующего поколения промышленного стандарта LM358. Устройства «B» могут быть доступны в более современных микрокорпусах TSOT и WSON.
