Описание принципа работы транзистора c1162 и его структуры
Структура транзистора c1162 состоит из трех зон: базы (B), эмиттера (E) и коллектора (C). База является управляющим электродом, отвечающим за контроль тока в транзисторе. Эмиттер является источником тока, который протекает через базу и коллектор. Коллектор собирает большую часть тока и является выходом транзистора.
Принцип работы транзистора c1162 основан на использовании двух p-n переходов. При подаче положительного напряжения на базу ток начинает протекать от эмиттера к коллектору. В этом состоянии транзистор работает в активном режиме насыщения и обеспечивает усиление сигнала. При обратном напряжении на базе ток не протекает, и транзистор находится в выключенном состоянии.
Транзистор c1162 является надежным и широко используется в различных аудиоустройствах и радиосхемах.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | IC = 100 мкА, IE = 0 | ≥ 60 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 100 мкА, IB = 0 | ≥ 50 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 60 В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICEO | UCE = 50 В, IB = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 5 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Характеристики включенного состояния | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 100 мА, IB = 10 мА | ≤ 0,25 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 100 мА, IB = 10 мА | ≤ 1,0 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 6,0 В, IC = 2,0 мА | 70…700 |
| hFE (2) | UCE = 6,0 В, IC = 150,0 мА | ≥ 25 | |
| Характеристики работы в режиме малого сигнала | |||
| Граничная частота усиления (частота среза), МГц | fT | IC = 1,0 мА, UCE = 10 В | ≥ 80 |
| Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | ≤ 3,5 |
| Коэффициент шума | NF | IC = 0,1 мА, UCE = 6 В, RG = 10 кОм, f = 1,0 кГц | 1…10 |
2SC1162 Datasheet (PDF)
..1. Size:29K hitachi 2sc1162.pdf
2SC1162Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SA715OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 2.5 ACollector peak current
..2. Size:392K secos 2sc1162.pdf
2SC1162 2.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-126 Low frequency power amplifier EmitterCollectorBase CLASSIFICATION OF hFE (1) Product-Rank 2SC1162-B 2SC1162-C 2SC1162-DABERange 60~120 100~200 160~320FCNHLMK DJG
..3. Size:267K jiangsu 2sc1162.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors2SC1162 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1. EMITTERLow Frequency Power Amplifier 2. COLLECOTR3. BASE Equivalent Circuit C1162=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device C1162 XXXX=Code ORDERING INFORMATION Part Number Package
..4. Size:172K jmnic 2sc1162.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1162 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA715 APPLICATIONS For low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base
..5. Size:180K lge 2sc1162.pdf
2SC1162(NPN) TO-126 Transistor TO-1261. EMITTER 2. COLLECOTR 3. BASE 3 21 Features2.5007.400 Low frequency power amplifier 2.9001.1007.8001.5003.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.600Symbol Parameter Value Units0.00011.0000.300VCBO Collector-Emitter Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 35 V2.100
..6. Size:214K inchange semiconductor 2sc1162.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1162DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 2.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA715Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a
8.1. Size:63K toshiba 2sc1169.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
8.2. Size:49K no 2sc1166.pdf
8.3. Size:181K inchange semiconductor 2sc1161.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1161DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency high voltage power amplifierTV vertical deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
8.4. Size:182K inchange semiconductor 2sc1163.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1163DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 0.1ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier appl
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C (Надпись на поле рисунка).
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения UCE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения UCE = 1 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды Ta и при соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов IC/IB = 10 и температуре внешней среды Ta = 25°C (надпись на поле рисунка).
Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) IB от напряжения управления UBE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) fT от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при температуре среды Ta = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при нарастании температуры внешней среды Ta.
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).
Ограничение по величине коллекторного тока: IC = 150 мА.
Ограничение по величине коллекторного напряжения: UCEO = 50 В.
Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.
Преимущества и особенности транзистора c1162
Транзистор c1162 отличается рядом преимуществ и особенностей, которые делают его востребованным в различных электронных устройствах:
Высокая частота переключения: транзистор c1162 способен работать на очень высоких частотах, что важно для передачи и обработки сигналов в радиочастотных устройствах.
Низкое входное сопротивление: это позволяет транзистору c1162 эффективно контролировать ток в цепи управления, что в свою очередь повышает его эффективность и точность работы.
Низкое выходное сопротивление: благодаря этому параметру, транзистор c1162 обеспечивает низкие потери мощности и высокую энергоэффективность в устройствах.
Высокая устойчивость к перегрузкам: транзистор c1162 способен выдерживать значительные токовые и напряженные нагрузки без потери своих характеристик и работоспособности.
Широкий диапазон рабочих температур: транзистор c1162 способен прекрасно работать в широком диапазоне температур, что позволяет его использование в различных условиях эксплуатации.
Все эти преимущества и особенности делают транзистор c1162 незаменимым компонентом в различных электронных устройствах, включая радиоприемники, радиопередатчики, усилители, системы связи и другие технические устройства, где требуется высокое качество и надежность сигнальной обработки.
