Описание транзистора D667
Транзистор D667 имеет следующие основные характеристики:
- Тип: pnp
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 120 В
- Максимальный ток коллектора: 3 А
- Максимальная мощность: 1 Вт
- Коэффициент усиления по току: от 100 до 300
Транзистор D667 обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его применимым в различных устройствах и схемах. Он широко используется в аудиоусилителях, источниках питания, стабилизаторах напряжения и других электронных устройствах.
Одной из особенностей транзистора D667 является его низкий уровень шума и стабильность работы на различных частотах сигналов.
Назначение транзистора D667
Основное применение транзистора D667 связано с усилением сигналов в усилительных схемах, а также с управлением и коммутацией электронных сигналов в различных устройствах и системах. Он может использоваться в различных устройствах, включая аудиоусилители, радиоприемники, источники питания и другие.
Транзистор D667 имеет ряд характеристик и параметров, которые делают его подходящим для различных приложений. Он обладает высокой мощностью и эффективностью, что позволяет использовать его в устройствах с высокими требованиями к производительности. Кроме того, он обладает низким уровнем переключения и низким коэффициентом шума, что способствует более стабильной работе устройств.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | PNP биполярный транзистор |
| Максимальное напряжение коллектора (Vce) | 60 В |
| Максимальный ток коллектора (Ic) | 3 А |
| Максимальная мощность потерь (Pd) | 20 Вт |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | 40-1000 |
Таким образом, транзистор D667 является надежным и универсальным компонентом электроники, который может применяться для различных целей. Его надежность, высокая мощность и эффективность делают его отличным выбором для различных устройств и систем, где требуется управление и усиление электрического тока.
Технические характеристики транзистора D667
- Транзистор D667 имеет максимальную рабочую температуру до +150°C.
- Максимальное напряжение коллектора составляет 150 Вольт.
- Номинальное значение коллекторного тока равно 3 Ампера.
- Параметр hFE, который отвечает за усиление тока, составляет от 40 до 400.
- Транзистор D667 имеет малую емкость коллектор-эмиттер, что делает его подходящим для работы в быстрых переключающихся схемах.
- Он обладает быстрым временем реакции, что позволяет использовать его в высокочастотных устройствах.
- Транзистор D667 может работать в режиме переключателя или усилителя сигнала в различных электронных схемах.
Транзистор D667 широко применяется во многих областях, включая радиоэлектронику, телекоммуникации, силовую электронику и другие. Он является надежным и эффективным компонентом, который обеспечивает стабильную работу схем и устройств.
Физические особенности транзистора D667
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Максимальное коллекторное напряжение (VCEO) | 60 В |
| Максимальный коллекторный ток (IC) | 3 А |
| Максимальная мощность (PC) | 30 Вт |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | от 60 до 320 |
| Максимальная рабочая температура (Tj) | 150 °C |
Транзистор D667 обладает высокой надежностью и долгим сроком службы. Он широко применяется в схемах усиления, коммутации и стабилизации сигналов. Благодаря его параметрам и особенностям, транзистор D667 может быть использован в различных электронных устройствах, включая усилители мощности, источники питания, светодиодные драйверы и другие.
2SD667 Datasheet PDF — Jiangsu Changjiang Electronics
| Part Number | 2SD667 | |
| Description | NPN Transistor | |
| Manufacturers | Jiangsu Changjiang Electronics | |
| Logo | ||
|
There is a preview and 2SD667 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 3 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
www.DataSheet4U.com 2SD667,2SD667A TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low frequency power amplifier z Complementary pair with 2SB647/A MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 123 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank V(BR)CBO IC=10μA,IE=0 V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 V(BR)EBO ICBO IEBO IE=10μA,IC=0 VCB=100V,IE=0 VEB=4V,IC=0 hFE(1) VCE=5V,IC=150mA hFE(2) VCE(sat) VBE fT Cob VCE=5V,IC=500mA IC=500mA,IB=50mA VCE=5V,IC=150mA VCE=5V,IC=150mA VCB=10V,IE=0,f=1MHz 2SD667 10 μA 10 μA 320 |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SD667 electronic component. |
| Information | Total 3 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Применение транзистора D667 в различных устройствах
Одним из основных применений транзистора D667 является его использование в усилителях. Он может быть использован в усилителях аудиосигналов, радиовещания, телевизионной технике и других аппаратах, требующих усиления электрических сигналов.
Транзистор D667 также широко используется в схемах управления мощностью. Он может быть использован в системах регулирования скорости электромоторов, системах управления освещением, и других устройствах, где требуется регулирование мощности.
Еще одним важным применением транзистора D667 является его использование в схемах инверторов. Инверторы преобразуют постоянный ток в переменный, и транзистор D667 обеспечивает надежное и эффективное функционирование инверторных схем.
Транзистор D667 также может быть использован в схемах защиты от короткого замыкания и перегрузки. Он обеспечивает быстрое отключение при превышении заданных значений тока, предотвращая дальнейшие повреждения устройств.
Кроме того, транзистор D667 может быть использован во многих других электронных устройствах, включая источники питания, схемы стабилизации напряжения, таймеры и счетчики.
В заключение, транзистор D667 является универсальным элементом, который может быть успешно применен в различных электронных устройствах. Его характеристики и надежность делают его популярным выбором для проектирования и создания современных электронных устройств.
Featured Datasheets
| Part Number | Description | Manufacturers |
| 2SD661 | The function is Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification). | Panasonic Semiconductor |
| 2SD661 | The function is Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification). | Panasonic Semiconductor |
| 2SD661A | The function is Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification). | Panasonic Semiconductor |
|
Semiconductors commonly used in industry:
1N4148 |   |
||
|
Quick jump to:
2SD6 |
D882 vs MJE182 vs 2SD1712
In the table below, we try to list the electrical specifications of D882, MJE182, and 2SD1712 transistors. This comparison will be really helpful for the replacement process.
| Characteristics | D882 | MJE182 | 2SD1712 |
|---|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 60V | 100V | 100V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 30V | 80V | 100V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 5V | 7V | 5V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | 0.4 to –1.1V | 1.5 to 2V | 2V |
| Collector current (IC) | 3A | 3A | 5A |
| Power dissipation | 12.5W | 12.5W | 60W |
| Junction temperature (TJ) | -65 to +150°C | -65 to +150°C | -55 to +150°C |
| Thermal resistance | 10℃/W | 10℃/W | — |
| Transition frequency (FT) | 100MHZ | 50MHZ | 20MHZ |
| Gain (hFE) | 30 to 300hFE | 12 to 250hFE | 20 to 200hFE |
| Package | TO-126 | TO-126 | TO-3p |
2SD667 Datasheet (PDF)
..1. Size:331K utc 2sd667.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD667 NPN SILICON TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL DESCRIPTION The UTC 2SD667 is a NPN epitaxial silicon transistor, which can be used as a low frequency power amplifier. FEATURES * Low frequency power amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SD667L-x-AE3-R 2SD6
..2. Size:32K hitachi 2sd667.pdf
2SD667, 2SD667ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SB647/AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD667, 2SD667AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD667 2SD667A UnitCollector to base voltage VCBO 120 120 VCollector to emitter voltage VCEO 80 100 VEmitter to base voltage VEBO 55V
..3. Size:547K jiangsu 2sd667 2sd667a.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92MOD Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92MOD 2SD667,2SD667A TRANSISTOR (NPN)1. EMITTERFEATURES Low Frequency Power Amplifier2. COLLECTOR Complementary Pair with 2SB647/A3. BASE Equivalent Circuit D667=Device code Solid dot = Green molding compound device, D667if none, the normal device XXX=Code
..4. Size:897K blue-rocket-elect 2sd667 2sd667a.pdf
2SD667(A) Rev.F Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features 2SB647(A)Complementary pair with 2SB647(A). / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / P
0.1. Size:284K mcc 2sd667l.pdf
MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth2SD667LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Low Frequency Power Amplifier NPN Complementary Pair with 2SB647/A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisture Sensitivity Level 1Transistor Lead Free Finish/Rohs Compl
0.2. Size:557K mcc 2sd667a-b-c-d 2sd667-b-c-d.pdf
2SD667(A)-BMCCMicro Commercial ComponentsTM2SD667(A)-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SD667(A)-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Capable of 0.9Watts of Power Dissipation.Pla
0.3. Size:64K secos 2sd667a.pdf
2SD667A 1A , 120V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES AD Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB647A BKEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SD667A-B 2SD667A-C 2SD667A-D Range 60~120 100~200 160~320 NG H1 Emitte
0.4. Size:257K lge 2sd667-2sd667a to-92mod.pdf
2SD667/2SD667A TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features Low frequency power amplifier 5.8006.200 Complementary pair with 2SB647/A 8.400MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 8.8000.9001.100Symbol Parameter Value Units 0.400VCBO Collector- Base Voltage 120 V 0.600VCEO Collector-Emitter Voltage 2SD667 8
0.5. Size:215K lge 2sd667-2sd667a to-92l.pdf
2SD667/2SD667A TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.7005.100 2 3 1Features7.800 Low frequency power amplifier 8.200 Complementary pair with 2SB647/A 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Value Units0.55013.80014.200VCBO Collector- Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Vol
0.6. Size:557K blue-rocket-elect 2sd667a.pdf
2SD667(A)(BR3DG667(A)L) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL) Complementary pair with 2SB647(BR3CG647L)/2SB647A(BR3CG647AL). / Applications Low frequency power ampli