Транзистор bdw93c: описание, характеристики, цоколевка

Высоковольтные силовые транзисторы, подходящие для замены bdw93c: всесторонний обзор

1. TIP35C

Тип корпуса: TO-247

Максимальное рабочее напряжение: 100 В

Максимальный коллекторный ток: 25 А

Мощность: 125 Вт

2. MJ15024

Тип корпуса: TO-3

Максимальное рабочее напряжение: 140 В

Максимальный коллекторный ток: 16 А

Мощность: 250 Вт

3. TIP36C

Тип корпуса: TO-247

Максимальное рабочее напряжение: 100 В

Максимальный коллекторный ток: 25 А

Мощность: 125 Вт

4. 2N3055

Тип корпуса: TO-3

Максимальное рабочее напряжение: 70 В

Максимальный коллекторный ток: 15 А

Мощность: 115 Вт

Это только некоторые примеры высоковольтных силовых транзисторов, которые могут быть использованы в качестве аналогов для bdw93c. При выборе замены рекомендуется обратиться к документации производителя и учесть требования вашего проекта

Не забывайте, что характеристики и параметры транзисторов могут отличаться, поэтому важно выбрать транзистор, который наилучшим образом соответствует вашим потребностям

Выявление наиболее подходящего аналога

Для замены транзистора bdw93c без потери функциональности необходимо выбрать наиболее подходящий аналог. Для этого необходимо учесть следующие параметры:

1. Тип транзистора: Начните с определения типа транзистора, который вы хотите заменить. В случае bdw93c, это обычный биполярный МОП (мощный транзистор). Изучите спецификации и документацию транзистора, чтобы найти другие транзисторы схожего типа.

2. Электрические параметры: Изучите электрические параметры транзистора bdw93c, такие как максимальное рабочее напряжение, максимальный ток коллектора и базы, максимальная мощность и т.д. Ищите аналоги, которые имеют сходные или более высокие значения этих параметров.

Физические параметры: Также обратите внимание на физические параметры транзистора, такие как корпус, пиновая раскладка и размеры. Убедитесь, что выбранный аналог имеет совместимые физические характеристики, чтобы он мог быть установлен на плате замены

Производительность: Обратите внимание на производительность выбранного аналога транзистора. Изучите данные о его быстродействии, такие как время переключения, коэффициент усиления и другие характеристики

Выберите аналог с максимальной производительностью, чтобы гарантировать работоспособность замены.

После тщательного анализа этих параметров, вы сможете определить наиболее подходящий аналог bdw93c транзистора и заменить его без потери функциональности в вашей схеме или устройстве.

Транзистор BDW93C: особенности и характеристики

Основные характеристики транзистора BDW93C:

Максимальное значение тока коллектора: 20 А
Максимальное значение напряжения коллектора: 100 В
Максимальное значение мощности тепловыделения: 36 Вт
Тип корпуса: TO-220
Тип полупроводникового материала: кремний

Транзистор BDW93C обеспечивает надежную работу в широком диапазоне рабочих температур и обладает высокими электрическими параметрами. Он применяется для усиления мощности и коммутации в различных электронных устройствах, таких как усилители звука, источники питания и системы автоматического управления.

Транзистор BDW93C является надежным и долговечным элементом электроники, который легко устанавливается на печатные платы и интегрируется в различные электрические схемы. Его высокая производительность и стабильность делают его идеальным выбором для профессиональных приложений, где требуется высокая мощность и точность усиления сигнала.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В		30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak
40 В		40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak
55 В		55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak
75 В		75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak
100 В		100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
55 В		55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
75 В		75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak
	100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
55 В		55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB
	55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
75 В		75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB
	100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

Использование специализированных ресурсов для поиска аналогов

При выборе аналога для замены транзистора bdw93c без потери функциональности можно обратиться к специализированным ресурсам, предназначенным для поиска аналогов электронных компонентов.

Один из таких ресурсов — это электронные каталоги, которые предоставляют информацию о различных электронных компонентах, их технических характеристиках и возможных аналогах. На этих ресурсах можно найти подробное описание каждого компонента, а также сравнить его с другими аналогами по параметрам, таким как напряжение, ток и мощность передачи.

Также существуют специализированные форумы и сообщества, где опытные специалисты и электронщики делятся своими знаниями и опытом в поиске аналогов для электронных компонентов. В таких сообществах можно задать вопросы и получить рекомендации от экспертов по выбору аналогов и замене транзистора bdw93c.

Необходимо учитывать, что при выборе аналога для замены транзистора bdw93c следует обратить внимание на его технические характеристики и соответствие требованиям вашего проекта

Важно также учесть подходят ли аналоги по размерам и конструктиву, чтобы правильно его установить на печатную плату

С использованием специализированных ресурсов и общением с опытными специалистами вы сможете найти нужный аналог для замены транзистора bdw93c и продолжить работу без потери функциональности вашего устройства.

Анализ основных характеристик транзистора

Одной из основных характеристик транзистора является его тип. Транзисторы могут быть биполярными или полевыми. Биполярные транзисторы имеют три слоя полупроводникового материала, а полевые транзисторы состоят из двух слоев

При выборе аналога для замены транзистора bdw93c следует обратить внимание на его тип, чтобы обеспечить совместимость с остальными элементами схемы

Второй важной характеристикой транзистора является его принцип работы. Транзистор может работать как усилитель или коммутатор

Усилительный транзистор усиливает входной сигнал, а коммутационный переключает сигнал между двумя состояниями. При выборе аналога для замены транзистора bdw93c необходимо определить его принцип работы в соответствии с требуемыми характеристиками системы.

Третьей важной характеристикой транзистора является максимальное рабочее напряжение (Uce) и ток коллектора (Ic). Они определяют границы работы транзистора и могут быть разными для разных моделей

При выборе аналога для замены транзистора bdw93c необходимо проверить, чтобы его максимальное рабочее напряжение и ток коллектора соответствовали требованиям схемы.

Кроме того, при выборе аналога для замены транзистора bdw93c следует также обратить внимание на его мощность потери (Pd). Она определяет количество энергии, которая может быть развеяна в транзисторе и зависит от его формы и конструкции

Потери мощности могут вызывать перегрев транзистора и приводить к его выходу из строя.

Информация о основных характеристиках транзистора обычно приводится в его техническом описании, которое можно найти в документации производителя или в соответствующих каталогах.

Важно подчеркнуть, что при выборе аналога для замены транзистора bdw93c необходимо учесть все основные характеристики и обеспечить полную совместимость системы. Правильный выбор аналога позволит заменить транзистор без потери функциональности и обеспечит стабильную работу электронной схемы

Транзистор

Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.

Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.

Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.

Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.

Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.

Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.

Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.

За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.

Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.

Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.

https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0

Шаг 3: Сравнение аналогов bdw93c

При выборе аналога для замены транзистора bdw93c важно учесть несколько факторов. Прежде всего, необходимо проверить совместимость электрических характеристик нового транзистора с требованиями схемы

Один из важных параметров, на который стоит обратить внимание, — это максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo). Оно должно быть равно или больше оригинального транзистора bdw93c

Также стоит учесть максимальный ток коллектора (Ic), мощность (Pd) и коэффициент усиления (hFE).

Помимо электрических параметров, следует обратить внимание на корпус нового транзистора и его пин-план. Они должны быть совместимы с оригинальным компонентом bdw93c, чтобы замена прошла без проблем

Прежде чем принять решение о выборе аналога, рекомендуется ознакомиться с документацией на новый транзистор, чтобы убедиться в его способности работать в заданных условиях.

Аналоги германиевых транзисторов для bdw93c: характеристики и совместимость

1. OC44:

Этот германиевый транзистор отличается хорошей линейностью и низким уровнем шума. Его максимальная рабочая частота составляет 800 МГц, а максимальное напряжение коллектора-эмиттера — 18 В. Он совместим с bdw93c, однако, рекомендуется проверить схемотехническую совместимость перед заменой.

2. 2N404:

Этот германиевый транзистор обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума. Максимальная рабочая частота составляет 150 МГц, а максимальное напряжение коллектора-эмиттера — 15 В. Он также может быть использован в качестве аналога для bdw93c.

3. AC128:

Этот германиевый транзистор широко применялся в аудиоусилителях и радиоустройствах. Он обладает низким уровнем шума и отличается высокой линейностью. Максимальная рабочая частота составляет 200 МГц, а максимальное напряжение коллектора-эмиттера — 30 В. Он совместим с bdw93c и может быть успешно использован в качестве замены.

Обратите внимание, что перед заменой транзистора bdw93c необходимо убедиться в их электрической и механической совместимости. Также рекомендуется консультироваться с профессионалами в области электроники для получения рекомендаций и советов

Технические характеристики транзистора BDW93C

Основные технические характеристики транзистора BDW93C:

Максимальное напряжение коллектора: 100 В
Максимальный коллекторный ток: 12 А
Максимальная мощность потерь: 100 Вт
Диапазон рабочих температур: от -65°C до +150°C
Коэффициент усиления по току: 20 — 70

Транзистор BDW93C обеспечивает хорошую линейность и низкий уровень шума при работе на высоких частотах. Он имеет стабильные характеристики и надежную конструкцию, что делает его идеальным выбором для использования в различных аудио- и видеоустройствах.

Структура транзистора BDW93C позволяет ему обеспечивать высокую эффективность и низкое потребление энергии, что особенно важно для портативных устройств. Таким образом, транзистор BDW93C представляет собой надежное и мощное устройство с хорошими электрическими свойствами, которое может использоваться в различных аудио- и видеоустройствах для обеспечения высококачественного звука и изображений

Таким образом, транзистор BDW93C представляет собой надежное и мощное устройство с хорошими электрическими свойствами, которое может использоваться в различных аудио- и видеоустройствах для обеспечения высококачественного звука и изображений.

Особенности транзистора bdw93c

Транзистор bdw93c является мощным биполярным усилителем тока, который обладает высоким коэффициентом усиления и способен работать в режиме коммутации.
Он имеет напряжение коллектора-эмиттера до 100 В и ток коллектора до 12 А, что делает его идеальным для работы в высоковольтных и высокотоковых приложениях.
Транзистор bdw93c обеспечивает низкое входное сопротивление, что позволяет ему эффективно управлять большими токами с небольшими управляющими сигналами.
Он оснащен встроенным диодом, который защищает транзистор от обратной полярности и перенапряжений.
Транзистор bdw93c подходит для использования в широком спектре приложений, включая блоки питания, индустриальные управления и электронные системы обработки сигналов.
Он поставляется в удобном корпусе TO-220AB, который обеспечивает хорошую теплоотдачу и удобство монтажа.

Лучшие замены транзистора PNP для bdw93c: сравнение характеристик производительности

При замене транзистора bdw93c необходимо обратить внимание на ряд характеристик, включая максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V CEO), максимальное токовое усиление (h FE) и максимальную мощность (P D). Вот несколько лучших аналогов транзистора bdw93c:

Вот несколько лучших аналогов транзистора bdw93c:

1. BC327:

V CEO: 45 В
h FE: 100-630
P D: 625 мВт

2. 2N3906:

V CEO: 40 В
h FE: 100-300
P D: 350 мВт

3. BC807:

V CEO: 45 В
h FE: 100-630
P D: 500 мВт

4. 2N3906G:

V CEO: 40 В
h FE: 100-300
P D: 625 мВт

Выбор замены транзистора bdw93c будет зависеть от конкретных требований вашей схемы и доступности аналогов. Рекомендуется обратиться к документации производителя и провести дополнительное сравнение характеристик перед принятием окончательного решения.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Описание цоколевки и применение

Транзистор BDW93C имеет стандартную цоколевку TO-220AB, которая позволяет легко установить его на печатные платы и подключить к внешним элементам схемы. Эта цоколевка состоит из трех выводов: эмиттер (Е), база (В) и коллектор (С).

Выводы транзистора BDW93C произведены из алюминиевого материала, что обеспечивает хорошую теплопроводность и защиту компонента от перегрева.

BDW93C является пассивным элементом электронной схемы и используется в качестве усилителя или коммутатора. Зачастую это регулятор тока, стабилизатор напряжения или ключевой элемент блока питания.

Транзистор имеет высокую мощность и низкое внутреннее сопротивление, что позволяет использовать его в схемах с большими токами и напряжениями. Он также обладает быстрым переключением и предельно низкими потерями, что делает его незаменимым в многих устройствах.

Вывод	Назначение
1	Эмиттер (Е)
2	База (В)
3	Коллектор (С)

Выводы транзистора могут быть соединены с другими элементами схемы, используя провода или печатные платы. Эмиттер подключается к общей шине или источнику питания отрицательного напряжения, база обычно управляется малым током через резистор, а коллектор служит для подключения нагрузки или других элементов схемы.

BDW93C широко применяется в аудио- и видеоусилителях, блоках питания, инверторах, источниках питания и других электронных устройствах, где требуется усиление или коммутация больших токов и напряжений.

Важные моменты при замене транзистора bdw93c

1. Выбор подходящей замены:

При замене транзистора bdw93c следует выбирать аналогичные транзисторы схожих характеристик, чтобы сохранить функциональность и качество работы устройства. Рекомендуется обратиться к документации и спецификациям, чтобы найти подходящий заменитель.

2. Учитывайте основные параметры:

Перед заменой транзистора необходимо проверить следующие параметры: максимальное напряжение коллектор-эмиттер истекущем режиме, максимальный коллекторный ток, коэффициент усиления, скорость переключения и температурный диапазон.

3. Правильное подключение:

При замене транзистора важно правильно подключить продукт, следуя указаниям на схеме или документации. Ошибочное подключение может привести к неправильной работе устройства или его поломке

4. Проверка перед пайкой:

Перед пайкой нового транзистора, рекомендуется проверить его работоспособность. Для этого можно использовать мультиметр или тестер транзисторов, чтобы убедиться в правильности выбора замены и исправности нового транзистора.

5. Осмотр и проверка:

После замены транзистора необходимо провести тщательный осмотр и проверку работы устройства

Обратите внимание на любые необычные звуки, запахи или поведение системы, чтобы убедиться в отсутствии проблем и полной функциональности

Важно помнить, что эти рекомендации являются общими и всегда рекомендуется обращаться к документации и консультироваться с профессионалами в случае необходимости

Применение транзистора bdw93c

Транзистор bdw93c применяется в различных электронных устройствах, где требуется усилительная функция. В основном, он используется в силовых усилителях и аудиоусилителях, так как обладает высоким коэффициентом усиления и способен работать с высокими мощностями.

Благодаря своим характеристикам, транзистор bdw93c может использоваться в различных схемах, например:

Схема включения в эмиттерный повторитель, чтобы усилить сигнал;
Схема включения в дарлингтоновский каскад, для усиления слабого сигнала;
Схема включения в источниковый повторитель, для создания стабильного сигнала выхода.

Также, транзистор bdw93c может быть использован в импульсных источниках питания, благодаря его способности работать с высокими токами и высокой мощностью. Он обладает низким уровнем шума и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для применения в таких схемах.

Кроме того, транзистор bdw93c может использоваться в системах автоматического управления, регулирования температуры, системах освещения и других аналогичных приложениях. В общем, он находит широкое применение в электронике благодаря своей надежности и высокой производительности.

Сравнение характеристик Seam RANGEmaster 5001 и bdw93c

Ниже представлена таблица сравнения характеристик транзисторов Seam RANGEmaster 5001 и bdw93c:

Характеристика	Seam RANGEmaster 5001	bdw93c
Тип	PNP	NPN
Максимальное напряжение коллектора (V_ceo)	-500 В	Около -150 В
Максимальный ток коллектора (I_c)	5 А	7 А
Максимальная мощность (P_c)	50 Вт	40 Вт
Тип корпуса	TO-3	TO-220

Seam RANGEmaster 5001 может быть использован в качестве замены для транзистора bdw93c в определенных ситуациях, однако стоит учитывать, что некоторые характеристики, такие как тип и максимальное напряжение коллектора, различаются между ними. При замене транзистора необходимо убедиться, что все требования и спецификации соблюдаются, чтобы избежать неприятных последствий.

Шаг 1: Понять характеристики bdw93c

Перед тем как выбрать аналог bdw93c транзистора, важно понимать его основные характеристики. Именно на основе этих характеристик мы сможем выбрать подходящую замену без потери функциональности

Вот основные характеристики bdw93c:

Характеристика	Значение
Тип	PNP
Максимальный коллекторный ток (IC)	12 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE)	100 В
Мощность коллектор-эмиттерная (PCE)	80 Вт
Коэффициент усиления по току (hFE)	от 30 до 160
Тип корпуса	TO-220

Когда будем выбирать аналог bdw93c, мы должны обратить внимание на транзисторы, которые имеют схожие характеристики

Биполярный транзистор BDW93C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BDW93C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15000

Корпус транзистора:

BDW93C
Datasheet (PDF)

..1. Size:216K inchange semiconductor bdw93 bdw93a bdw93b bdw93c.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDW93/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 12ACCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDW93; 60V(Min)- BDW93ACEO(SUS)80V(Min)- BDW93B; 100V(Min)- BDW93CComplement to Type BDW94/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for hammer drivers, audio ampl

..2. Size:191K inchange semiconductor bdw93c.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW93CDESCRIPTIONWith TO-220 packagingVery high DC current gainMonolithic darlington transistor with integratedantiparallel collector-emitter diodeComplement to Type BDW94CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElectroni

0.1. Size:91K st bdw93cfp bdw94cfp.pdf

BDW93CFPBDW94CFPCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATION COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICES INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE FULLY MOLDED INSULATED PACKAGE 2000 V DC INSULATION (U.L. COMPLIANT)321APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALT0-220FPEQUIPMENT

0.2. Size:41K fairchild semi bdw93cf.pdf

BDW93CFHammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Darlington TR Complement to BDW94CF respectivelyTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V IC Collector Current (DC) 12 A I

0.3. Size:140K shantou-huashan hbdw93c.pdf

NPN DARLINGTON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBDW93C APPLICATIONS Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

0.4. Size:191K inchange semiconductor bdw93cfp.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW93CFPDESCRIPTIONWith TO-220F packagingVery high DC current gainMonolithic darlington transistor with integratedantiparallel collector-emitter diodeComplement to Type BDW94CFPMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElec

Другие транзисторы… BDW84D
, BDW91
, BDW92
, BDW93
, BDW93A
, BDW93AFI
, BDW93B
, BDW93BFI
, D667
, BDW93CFI
, BDW93FI
, BDW94
, BDW94A
, BDW94B
, BDW94C
, BDX10
, BDX10-4
.

Транзистор bdw93c: характеристики, цоколевка и особенности