Параметры транзистора 2sa1169. интернет-справочник основных параметров транзисторов

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение
Аналог	КТ972А	BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б	BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ972А	—	8*
КТ972Б	—	8*
КТ972В	—	8*
КТ972Г	—	8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ972А	—	≥200
КТ972Б	—	≥200
КТ972В	—	≥200
КТ972Г	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ972А	1к	60*
КТ972Б	1к	45*
КТ972В	1к	60*
КТ972Г	1к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ972А	—	5,00
КТ972Б	—	5,00
КТ972В	—	5,00
КТ972Г	—	5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ972А	—	4*
КТ972Б	—	4*
КТ972В	—	2,00
КТ972Г	—	2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ972А	60 В	≤1*
КТ972Б	45 В	≤1*
КТ972В	60 В	≤1*
КТ972Г	60 В	≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ972А	3 В; 1 А	≥750*
КТ972Б	3 В; 1 А	≥750*
КТ972В	3 В; 1 А	750…5000
КТ972Г	3 В; 1 А	750…5000
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ972А	—	≤3
КТ972Б	—	≤3
КТ972В	—	≤3
КТ972Г	—	≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р.	КТ972А	—	—
КТ972Б	—	—
КТ972В	—	—
КТ972Г	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ972А	—	—
КТ972Б	—	—
КТ972В	—	—
КТ972Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)	КТ972А	—	≤200*
КТ972Б	—	≤200*
КТ972В	—	≤200*
КТ972Г	—	≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Преимущества использования A1659a транзистора

Высокая надежность работы: A1659a транзистор известен своей стабильной и долговечной работой, что делает его привлекательным выбором для различных электронных устройств.
Широкий диапазон применения: Благодаря своим характеристикам, A1659a транзистор может использоваться в различных электронных цепях и схемах, включая усилители и инверторы.
Высокая эффективность: A1659a обеспечивает высокую эффективность работы благодаря низкому внутреннему сопротивлению и низкому уровню шума.
Отличные теплоотводящие характеристики: Всегда важно обеспечить надежное охлаждение электронных устройств, особенно при высоких нагрузках. A1659a транзистор имеет хорошую способность отводить тепло, что позволяет избежать перегрева и повреждения.
Низкое время переключения: A1659a транзистор способен быстро переключаться между состояниями, что особенно важно при работе с высокочастотными сигналами.
Наличие аналогов: Популярность и распространенность A1659a транзистора обеспечивает наличие аналогов на рынке, что позволяет легко заменить его в случае необходимости.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Недостатки A1659a транзистора

1. Ограниченный максимальный ток

Одним из основных недостатков A1659a транзистора является его ограниченный максимальный ток. Это означает, что он не подходит для использования в высокотоковых схемах или при работе с большими электрическими нагрузками. В таких случаях может потребоваться применение других типов транзисторов.

2. Ограниченная мощность

A1659a транзистор имеет ограниченную мощность, что ограничивает его применимость в некоторых схемах, где требуется большая выходная мощность. Если вы планируете использовать транзистор в высокомощных схемах, вам может потребоваться искать альтернативные модели с более высокой мощностью.

3. Ограниченная рабочая температура

A1659a транзистор имеет ограниченный диапазон рабочей температуры, что ограничивает его применимость в экстремальных условиях. Если вы планируете использовать транзистор в условиях высокой или низкой температуры, вам может потребоваться искать альтернативные модели с широким диапазоном рабочей температуры.

4. Ограниченная частота переключения

Еще одним недостатком A1659a транзистора является его ограниченная частота переключения. Это означает, что он не подходит для использования в высокочастотных схемах, где требуется быстрое переключение. Если вы планируете использовать транзистор в высокочастотных схемах, вам может потребоваться искать альтернативные модели с более высокой частотой переключения.

В целом, перед использованием A1659a транзистора необходимо учесть его недостатки и сопоставить их со своими требованиями и условиями эксплуатации.

Описание A1659a транзистора

Этот транзистор обладает следующими основными характеристиками:

• Максимальное напряжение стока-истока (Uds): 200 В
• Максимальная токовая нагрузка (Id): 3 А
• Максимальная мощность (Pd): 25 Вт
• Канальная проводимость тока (gfs): 10 мСм
• Напряжение порога (Vth): 2–4 В
• Температурный диапазон работы: -55…+150°C

Транзистор A1659a широко применяется в различных электронных устройствах, включая усилители аудиосигнала, источники питания, управляющие схемы, а также приборы для коммутации сигналов.

Важно отметить, что в случае отсутствия транзистора A1659a в наличии, можно воспользоваться аналогами, такими как K1659, 2SK1659, IRF150, и другими аналогичными приборами, соответствующими требуемым характеристикам и параметрам

Аналоги A1659a транзистора:

1. 2SA1962:

• Тип: NPN
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 230 В
• Максимальный коллекторный ток: 15 А
• Максимальная мощность: 150 Вт

2. 2SC5242:

• Тип: PNP
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 230 В
• Максимальный коллекторный ток: 15 А
• Максимальная мощность: 150 Вт

3. MJL4302A:

• Тип: NPN
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
• Максимальный коллекторный ток: 15 А
• Максимальная мощность: 150 Вт

4. MJL4281A:

• Тип: PNP
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
• Максимальный коллекторный ток: 15 А
• Максимальная мощность: 150 Вт

5. 2SA1943:

• Тип: PNP
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 230 В
• Максимальный коллекторный ток: 17 А
• Максимальная мощность: 140 Вт

6. 2SC5200:

• Тип: NPN
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 230 В
• Максимальный коллекторный ток: 17 А
• Максимальная мощность: 140 Вт

Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N1711

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2N1711
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  rca 2n1711.pdf

 ..2. Size:51K  philips 2n1711 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit

 ..3. Size:46K  st 2n1711.pdf

2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va

 ..4. Size:47K  st 2n1711 .pdf

2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va

 ..5. Size:64K  central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 ..6. Size:127K  bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf

http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

 ..7. Size:74K  cdil 2n1711.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE

 ..8. Size:92K  microelectronics 2n1613 2n1711.pdf

 9.1. Size:318K  no 2n1716s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

 9.2. Size:318K  no 2n1715s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

 9.3. Size:318K  no 2n1717s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

 9.4. Size:317K  no 2n1714s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

• Маркировка: D1415B
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220SIS