Irfp260n характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Что такое транзистор IRFP150N: особенности и применение

Основные особенности транзистора IRFP150N:

Высокая мощность: транзистор способен выдерживать большие токи и напряжения, что позволяет использовать его в приборах с высокой энергетической потребностью;
Низкое сопротивление: IRFP150N обладает низким сопротивлением, что позволяет минимизировать потери мощности и увеличивать эффективность работы;
Широкий диапазон рабочих температур: транзистор может работать в широком диапазоне температур от -55 до +175 градусов Цельсия;
Высокая надежность: благодаря высоким техническим характеристикам и качественному материалу, из которого изготавливается транзистор, он обладает высокой надежностью в работе;
Хорошие коммутационные характеристики: IRFP150N имеет быстрое время коммутации, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.

Применение транзистора IRFP150N:

Из-за своих характеристик и возможностей, транзистор IRFP150N широко применяется в различных областях:

Источники питания: благодаря высокой мощности и низкому сопротивлению, транзистор используется в источниках питания для обеспечения стабильного и эффективного питания электронных устройств;
Усилители мощности: IRFP150N может быть использован как ключевой элемент в усилителях мощности для усиления сигналов и передачи их на высокие нагрузки;
Импульсные преобразователи: транзистор позволяет создавать высокочастотные импульсные преобразователи с высоким КПД;
Солнечные батареи: благодаря своим характеристикам, IRFP150N может использоваться в солнечных батареях для оптимизации процесса зарядки и разрядки;
Электрические моторы: транзистор широко применяется в современных электрических моторах для управления скоростью вращения;
Другие приборы и системы, требующие высокой мощности и надежности.

В заключение, транзистор IRFP150N является важным компонентом в многих устройствах и системах. Его особенности и применение делают его незаменимым элементом в области электроники и электротехники.

IRFP150N Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number	IRFP150N
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	International Rectifier
Logo
There is a preview and IRFP150N download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-
industrial applications where higher power levels
preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is
similar but superior to the earlier TO-218 package
because of its isolated mounting hole.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
www.irf.com
G
PD — 91503D
IRFP150N

HEXFETPower MOSFET

VDSS = 100V

RDS(on) = 0.036WΩ

ID = 42A

S
TO-247AC
Max.
42
30
140
160
1.1
± 20
420
22
16
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.95
–––
40
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
1
07/15/02

IRFP150N
50
40
30
20
10

25 50 75 100 125 150 175

TC , Case Temperature ( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
10

VDS

VGS

D.U.T.
10V

Pulse Width £1 µs

Duty Factor £ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001

PDM

SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

Notes:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Peak TJ = P DM x ZthJC + TC

0.0001
0.001
0.01

t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)

0.1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
1
5

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRFP150N electronic component.

Information	Total 8 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. — 100V, 42A, MOSFET, Transistor
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Области применения транзистора IRFP150N

Промышленная автоматика. Транзисторы IRFP150N широко применяются в промышленных автоматических системах для управления электрическими нагрузками (моторами, насосами и др.). Они обеспечивают стабильное и эффективное управление большими токами и высокими напряжениями.
Источники питания. Благодаря своей мощности и надежности, транзисторы IRFP150N используются в источниках питания, которые предназначены для обеспечения стабильного напряжения и высоких токов. Они позволяют обеспечить надежную работу и эффективную передачу электроэнергии.
Силовая электроника. Транзисторы данной серии широко применяются в силовой электронике, включая инверторы, преобразователи напряжения и частоты, стабилизаторы и другие устройства, требующие обработки высоких токов и напряжений.
Светодиодные источники света. В светодиодных источниках света, транзисторы IRFP150N используются для управления током и напряжением, обеспечивая стабильность работы и эффективность системы. Благодаря своей мощности, они позволяют управлять большими светодиодными массивами и обеспечивать яркий свет.
Аудиоусилители. Транзисторы IRFP150N активно применяются в аудиоусилителях высокой мощности, позволяя достичь высокого качества звучания и обеспечивая эффективность усиления сигнала.

В целом, транзистор IRFP150N является универсальным и надежным элементом в электронике, который нашел свое применение во многих областях. Благодаря своим техническим характеристикам, этот транзистор способен обеспечить стабильную работу с высокими токами и напряжениями, что делает его незаменимым элементом во многих устройствах и системах.

Как выбрать и установить транзистор IRFP150N

Транзистор IRFP150N представляет собой мощный N-канальный MOSFET, который широко используется в различных электронных устройствах и системах. При выборе и установке данного транзистора необходимо учесть ряд важных факторов.

Первым шагом при выборе транзистора IRFP150N является анализ требований вашего проекта или системы. Определите максимальную рабочую токовую нагрузку, напряжение и температуру, с которыми транзистор будет работать. Учтите также необходимость установки охлаждающей системы для обеспечения надежной работы и длительного срока службы.

Далее рекомендуется ознакомиться с техническими характеристиками транзистора IRFP150N, которые можно найти в его документации

Обратите внимание на максимальные значения тока и напряжения, сопротивление канала, время переключения и другие параметры. Сравните эти характеристики с требованиями вашего проекта и выберите транзистор с запасом

При установке транзистора IRFP150N важно обеспечить надежное соединение с другими элементами цепи. Для этого можно использовать подходящие контакты, например, медные пластины или провода, которые должны быть надежно закреплены на выводах транзистора

Также следует обратить внимание на правильное подключение транзистора к питающей схеме и убедиться, что все провода подключены корректно

Однако стоит помнить, что установка транзистора IRFP150N является процедурой деликатной и требует определенных знаний и опыта с электроникой. Поэтому, если у вас нет опыта в установке транзисторов, рекомендуется обратиться за помощью к опытным специалистам или инженерам.